美观隐藏式静电放电保护结构制造技术

本文中公开了美观隐藏式静电放电(ESD)保护结构及系统。在一个示例中，提供了一种电子设备。该电子设备包括集成电路和至少部分地围绕该集成电路的周界定位的ESD保护结构，其中该ESD保护结构被配置成保护集成电路免受静电放电冲击。该电子设备进一步包括被定位在ESD保护结构的表面上的隐蔽层，该隐蔽层被配置成至少部分地隐藏ESD保护结构不让查看。

Aesthetic hidden electrostatic discharge protection structure

The beautiful hidden electrostatic discharge (ESD) protection structure and system are disclosed in this paper. In an example, an electronic device is provided. The electronic device includes an integrated circuit and a ESD protection structure at least partially around the circumferential positioning of the integrated circuit, in which the ESD protection structure is configured to protect the integrated circuit from the electrostatic discharge impact. The electronic device further includes a covert layer positioned on the surface of the ESD protection structure, which is configured to at least partially hide the ESD protection structure from viewing.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】美观隐藏式静电放电保护结构附图描述为更完全地理解本公开，参考以下详细描述和附图，在附图中，相同的参考标号可被用来标识附图中相同的元素。图1描绘了具有静电放电保护的集成电路的示例。图2描绘了具有静电放电保护结构的集成电路的示例截面。图3描绘了具有静电放电保护结构的集成电路的截面的附加示例。图4是根据一个示例的用于实现所公开的传感器、输入设备或其诸方面的计算环境的框图。图5是可操作以采用本文中所描述的美观隐藏式静电放电(ESD)保护结构的示例实现中的环境的图解。尽管所公开的系统和方法容许具有各种形式的实施例，但在附图中例示了(并在下文描述了)各具体实施例，其中要理解，本公开旨在是说明性的，而不旨在将权利要求范围限于本文中所描述和解说的各具体实施例。详细描述本文中公开了具有美观隐藏式静电放电保护结构的电子设备和系统。静电放电(ESD)是指由接触、电短路或电介质击穿引起的两个带电物体之间的电流。当使得带不同电荷的电物体靠近在一起时，或者它们之间的电介质击穿时，可能会发生ESD，从而潜在地创建火花。ESD可导致电子组件(诸如集成电路)的故障。因此，电子制造商可在电子组件附近安装ESD保护结构或设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备，包括：集成电路；至少部分地围绕所述集成电路的周界定位的静电放电(ESD)保护结构，所述ESD保护结构被配置成保护所述集成电路免受静电放电冲击；以及定位在所述ESD保护结构的表面上的隐蔽层，所述隐蔽层被配置成至少部分地隐蔽所述ESD保护结构不让查看。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.16 US 14/856,1611.一种电子设备，包括：集成电路；至少部分地围绕所述集成电路的周界定位的静电放电(ESD)保护结构，所述ESD保护结构被配置成保护所述集成电路免受静电放电冲击；以及定位在所述ESD保护结构的表面上的隐蔽层，所述隐蔽层被配置成至少部分地隐蔽所述ESD保护结构不让查看。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述集成电路是指纹传感器集成电路。3.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述ESD保护结构包括镀金属的迹线。4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述镀金属的迹线是镀金迹线。5.根据权利要求1-4中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述ESD保护结构是围绕所述集成电路的整个周界定位的连续结构。6.根据权利要求1-4中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述ESD保护结构包括围绕小于所述集成电路的整个周界定位的多个区段。7.根据权利要求1-6中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述隐蔽层包括导电涂料层。8.根据权利要求1-7中任一项所述的电子设备，其特征在于，进一步包括：被定位在所述集成电路的表面上的表面层，使得所述表面层暴露给所述电子设备的用户。9.根据权利要求8所述的电子设...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·德门肖诺克，S·A·朗高，D·I·罗森，
申请(专利权)人：微软技术许可有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US