A flexible sparse metric sampling plot consists of receiving a complete set of measurement signals from one or more wafers from a metric tool; determining a set of chip properties based on the complete set of the measured signals and calculating the chip nature measure associated with the properties of the set of wafers; calculating one or more independence based on the complete set of the degree signals. Characteristic metrics; and flexible sparse sampling maps based on the set wafer properties, the wafer property measurements and the one or more independent characteristic metrics. The described one or more independent characteristic measurements of one or more of the properties calculated using a metric signal from the flexible sparse sampling graph are within a threshold of one or more independent characteristic measurements of one or more of the properties calculated from the complete set of measurement signals used to be used.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使用灵活取样的过程控制的方法及系统相关申请案的交叉参考本申请案与下列申请案(“相关申请案”)相关且要求所述申请案的最早可用有效申请日的权利(例如,对于相关申请案的任何及全部父母代申请案、祖父母代申请案、曾祖父母代申请案等等,要求除临时专利申请案以外的最早可用优先权日,或根据35USC§119(e)要求临时专利申请案的权利)。相关申请案:为满足USPTO附加法定要求,本申请案构成名为奥努尔·德米雷尔(OnurDemirer)、威廉·皮尔逊(WilliamPierson)及拉尼·沃尔科维奇(RoieVolkovich)的专利技术者于2015年6月18申请的名称为使用灵活取样的复合晶片控制(COMPOSITEWAFERCONTROLUSINGFLEXIBLESAMPLING)的申请序列号为62/181,200的美国临时专利申请案的非临时专利申请案,所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。为满足USPTO附加法定要求,本申请案构成名为马克·瓦格纳(MarkWagner)、拉尼·沃尔科维奇、达娜·克莱因(DanaKlein)、比尔·皮尔森(BillPierson)及奥努尔 ...
【技术保护点】
一种度量系统,其包括:度量子系统,其经配置以对一或多个晶片执行一或多个度量测量;和控制器,其通信地耦合到所述度量子系统的一或多个部分,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:从所述度量子系统接收来自所述一或多个晶片的度量信号全集;基于所述度量信号全集来确定一组晶片性质且计算与所述组晶片性质相关联的晶片性质度量;基于所述度量信号全集来计算一或多个独立特性度量;以及基于所述组晶片性质、所述晶片性质度量及所述一或多个独立特性度量而产生灵活的稀疏取样图,其中使用来自所述灵活的稀疏取样图的度量信号来计算的所述一或多个性质的所述一 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.21 US 62/221,588;2016.06.16 US 15/184,6121.一种度量系统,其包括:度量子系统,其经配置以对一或多个晶片执行一或多个度量测量;和控制器,其通信地耦合到所述度量子系统的一或多个部分,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:从所述度量子系统接收来自所述一或多个晶片的度量信号全集;基于所述度量信号全集来确定一组晶片性质且计算与所述组晶片性质相关联的晶片性质度量;基于所述度量信号全集来计算一或多个独立特性度量;以及基于所述组晶片性质、所述晶片性质度量及所述一或多个独立特性度量而产生灵活的稀疏取样图,其中使用来自所述灵活的稀疏取样图的度量信号来计算的所述一或多个性质的所述一或多个独立特性度量是在选自使用所述度量信号全集来计算的所述一或多个性质的一或多个独立特性度量的阈值内。2.根据权利要求1所述的度量系统,其中所述控制器进一步经配置以:产生至少一个额外的灵活稀疏取样图。3.根据权利要求2所述的度量系统,其中所述控制器经配置以指导所述度量子系统在所述灵活的稀疏取样图及至少所述额外的灵活稀疏取样图的位置处执行一或多个度量测量。4.根据权利要求3所述的度量系统,其中所述控制器进一步经配置以:组合来自在所述灵活稀疏取样图及至少所述额外的灵活稀疏取样图的位置处执行的所述一或多个度量测量的结果,以形成虚拟密集取样图。5.根据权利要求4所述的度量系统,其中所述控制器进一步经配置以:基于所述虚拟密集取样图来计算一或多个可校正误差。6.根据权利要求5所述的度量系统,其中所述控制器进一步经配置以:基于所述可校正误差来调整一或多个处理工具。7.根据权利要求1所述的度量系统,其中所述度量子系统包括:基于成像的度量工具。8.根据权利要求1所述的度量系统,其中所述度量子系统包括:基于散射测量的度量工具。9.根据权利要求1所述的度量系统,其中所述度量子系统包括:集成度量工具。10.根据权利要求1所述的度量系统,其中由所述控制器确定的所述组晶片性质包括:一组重叠值。11.根据权利要求1所述的度量系统,其中由所述控制器确定的所述组晶片性质包括:一组侧壁角度值。12.根据权利要求1所述的度量系统,其中由所述控制器确定的所述组晶片性质包括:一组临界尺寸值。13.根据权利要求1所述的度量系统,其中由所述控制器计算的所述晶片性质度量包括:统计度量。14.根据权利要求13所述的度量系统,其中所述统计度量包括:平均值或标准偏差中的至少一个。15.根据权利要求1所述的度量系统,其中所述一或多个独立特性度量与所述组晶片性质无关。16.根据权利要求1所述的度量系统,其中所述一或多个独立特性度量包括:一或多个准确度指标。17.根据权利要求16所述的度量系统,其中所述一或多个准确度指标包括:过程标记度量、图案晶片几何度量、重叠目标非对称性度量或重叠目标准确度度量中的至少一个。18.一种度量系统,其包括:度量子系统,其经配置以对一或多个晶片执行一或多个度量测量;和控制器,其通信地耦合到所述度量子系统的一或多个部分,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:从所述度量子系统接收来自所述一或多个晶片的度量信号全集;基于所述度量信号全集来确定一组晶片性质且计算所述组晶片性质的一组准确度指...
【专利技术属性】
技术研发人员:O·德米雷尔,R·弗克维奇,W·皮尔逊,M·瓦格纳,D·克莱因,
申请(专利权)人:科磊股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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