用于在材料沉积工艺中承载基板的载体和用于承载基板的方法技术

描述了用于要在真空处理设施中处理的一个或多个基板的载体(100；320)。所述载体包括：基板支撑部分(110)，用于支撑一个或多个待处理基板，基板支撑部分(110)包括至少一个拐角(111)；和框架(120)，基本上围绕基板支撑部分(110)提供并且包括外缘(121；122；123；124)。框架(120)包括狭缝(130；330)，所述狭缝从基板支撑部分(110)的至少一个拐角(111)延伸到框架(120)的外缘(121；122；123；124)。狭缝(130；330)相对于框架的外缘(121；122；123；124)而倾斜。另外，描述了用于在真空沉积工艺中承载基板的方法。

Carrier for carrying substrate in material deposition process and method for carrying substrate

A carrier (100; 320) for one or more substrates to be processed in a vacuum treatment facility is described. The carrier comprises a substrate supporting part (110) for supporting one or more pending substrates, and the substrate support part (110) includes at least one corner (111), and a frame (120), which is basically provided around the substrate support part (110) and includes the outer edge (121; 122; 123; 124). The frame (120) includes a slit (130; 330), and the slit extends from at least one corner (111) of the substrate support part (110) to the outer edge of the frame (120) (121; 122; 123; 124). Slit (130; 330) is tilted relative to the outer edge of the frame (121; 122; 123; 124). In addition, a method for carrying a substrate in a vacuum deposition process is described.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在材料沉积工艺中承载基板的载体和用于承载基板的方法
本文所述的主题涉及基板承载系统，并且更具体地涉及基板载体和用于在材料沉积工艺期间承载基板的系统。具体地，本文所述的主题涉及用于在真空沉积工艺中承载基板的载体并且涉及用于在真空沉积工艺中承载基板的方法。
技术介绍
一般来说，基板载体用于支撑或保持待处理基板并且用于在处理设施中或通过所述处理设施运输基板。例如，基板载体在显示器或光生伏打工业中用于在处理设施中或通过所述处理设施运输基板，所述基板包括玻璃、硅或其他材料。这样的基板支撑件或基板载体可能是重要的，特别是，如果基板特别薄或由敏感材料(sensitivematerial)制成的话，直接运输基板(即，在不使用辅助运输装置的情况下运输)是不可能的，因为存在损坏风险。例如，在物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition；PVD)工艺(诸如溅射)中，基板载体一般提供相对平坦的表面，此举使基板在材料沉积工艺期间保持水平。与基板载体或保持器相关的缺陷之一是在高温处理期间易于翘曲(wraping)。因例如热膨胀而造成的载体的细微形变可能导致材料在基板上的不均匀的沉积。不均匀的材料沉积可实质地影响沉积质量。因此，在高温处理期间，可使用包括更温度稳定的材料(诸如石墨)的基板载体。然而，这些材料通常是非常昂贵的，从而导致此类基板传送(handling)系统(例如，用于薄膜电池制造、显示器制造或其他应用)的总拥有成本(TCO)是相对高的。鉴于上述，本公开内容的目的在于提供克服本领域的至少一些问题的基板载体和用于承载基板的方法。
技术实现思路
鉴于上述，提供了根据独立权利要求的用于承载基板的载体和用于承载基板的方法。另外的方面、优点和特征从从属权利要求、描述和附图显而易见。根据一个实施方式，提供用于要在真空处理设施中处理的一个或多个基板的载体。所述载体包括基板支撑部分，所述基板支撑部分用于支撑一个或多个待处理基板，所述基板支撑部分包括至少一个拐角。所述载体还包括框架，所述框架基本上围绕基板支撑部分提供并且包括外缘。框架包括狭缝，所述狭缝从基板支撑部分的至少一个拐角延伸到框架的外缘，其中狭缝相对于框架的外缘而倾斜。根据另一实施方式，提供真空沉积设施。所述真空沉积设施包括：真空沉积腔室；和沉积源，所述沉积源包括要沉积在真空沉积腔室中的基板上的材料。所述真空沉积设施还包括根据本文所述的实施方式的载体。具体地，真空沉积设施包括载体，所述载体用于要在真空处理设施中处理的一个或多个基板。载体包括基板支撑部分，所述基板支撑部分用于支撑一个或多个待处理基板，所述基板支撑部分包括至少一个拐角。所述载体还包括框架，所述框架基本上围绕基板支撑部分提供并且包括外缘。框架包括狭缝，所述狭缝从基板支撑部分的至少一个拐角延伸到框架的外缘，其中狭缝相对于框架的外缘而倾斜。根据又一实施方式，提供用于在真空沉积工艺中承载一个或多个基板的方法。所述方法包括提供载体。载体包括：基板支撑部分，具有至少一个拐角；和框架，基本上围绕所述基板支撑部分提供。载体的框架包括外缘和狭缝，所述狭缝从基板支撑部分的至少一个拐角延伸到框架的外缘。狭缝相对于框架的外缘而倾斜。所述方法还包括将至少一个基板或具有至少一个基板的子载体耦接到载体。实施方式还针对用于执行所公开的方法的设备并且包括用于进行每个描述的方法特征的设备部分。这些方法特征可经由硬件部件、通过适当软件编程的计算机、这二者的任何组合的方式或以任何其他方式来进行。此外，本文所述的实施方式也针对用于操作所述设备的方法。实施方式包括用于执行设备的每个功能的方法特征。附图说明为了可详细第理解上述特征所用方式，在上文简要概述的更具体的描述可以参考实施方式进行。随附附图涉及实施方式，并且在下文中描述：图1示出根据本文所述的实施方式的载体的示意图；图2示出根据本文所述的实施方式的载体的放大的局部图；图3示出根据本文所述的实施方式的载体的示意图；图4示出根据本文所述的实施方式的载体的示意图；图5示出根据本文所述的实施方式的载体的示意图；图6a示出根据本文所述的实施方式的具有子载体的载体的示意图；图6b示出沿着图6a所示的载体的线A-A的截面图的示意图；图7示出根据本文所述的实施方式的用于利用载体的溅射沉积的设备的示意性水平断面图；和图8示出根据本文所述的实施方式的用于承载基板的方法的流程图。具体实施方式现将详细参考各种实施方式，它们的一个或多个示例在图式中示出。在以下对附图的描述中，相同参考数字是指相同部件。一般来说，仅描述相对于单独实施方式的差异。每个示例通过解释方式来提供，而不意欲作为限制。另外，示出或描述为一个实施方式的部分的特征可以用于其他实施方式或与其他实施方式结合以产生又一实施方式。描述意欲包括这样的修改和变化。本文使用的术语“载体”可以理解为能够在处理设施中或通过所述处理设施(例如，处理腔室、处理线、或处理区域)承载一个或多个基板的装置。载体可提供足够的强度以保持并支撑基板。具体地，载体可适于在沉积工艺(特别地真空沉积工艺)期间保持并支撑基板。例如，载体可通过由合适材料制成而适于真空条件，所述合适材料具有例如低脱气率、用于承受压力变化的稳定设计和诸如此类。载体可以提供用于固定基板、或将基板固定到限定范围(例如，在基板的一些侧面处)的设备，诸如夹持构件、螺栓、固定孔洞或孔、钩、磁性装置和诸如此类。根据一些实施方式，载体可以适于承载薄膜基板并且/或者用于固定基板的设备可以适于薄膜基板。在一些实施方式中，载体可以适于承载一个或多个基板，包括箔、玻璃、金属、绝缘材料、云母、聚合物和诸如此类。在一些示例中，载体可以用于PVD沉积工艺、CVD沉积工艺、基板结构化轧边(substratestructuringedging)、加热(例如，退火)或任何种类的基板处理。本文所述的载体的实施方式具体地用于竖直取向的基板的非静态(即，连续)基板处理。本领域的技术人员将会理解，载体也可用于静态工艺和/或具有水平取向的基板的工艺中。根据本文所述的实施方式，载体的基板支撑部分可以理解为适于支撑基板的载体的一部分。与之相比，载体的一些部分可以适于在处理区域中导引载体、适于稳定载体、适于加热载体、适于驱动载体和诸如此类。在一些实施方式中，基板支撑部分是载体的一部分，所述载体包括用于一个或多个基板的耦接或固定构件。载体可以包括围绕基板支撑部分的框架。根据一些实施方式，框架可以包括导引构件(诸如辊、轨道、杆和诸如此类)，所述导引构件用于在处理区域中导引载体。根据本文所述的实施方式，提供用于一个或多个要在真空处理设施中处理的基板的载体。载体包括用于支撑一个或多个待处理基板的基板支撑部分。通常，基板支撑部分包括至少一个拐角。载体另外包括基本上围绕基板支撑部分提供并且包括外缘的框架。根据本文所述的实施方式，框架包括狭缝，所述狭缝从基板支撑部分的至少一个拐角中的一个拐角延伸到框架的外缘。狭缝相对于框架的外缘而倾斜。根据本文所述的一些实施方式，狭缝将框架划分为至少两个框架部分。每个框架部分可具有外缘。框架的外缘可由框架部分的单个外缘构成。在框架包括两个或更多个框架部分(每个框架部分具有外缘)的情况下，狭缝可相对于外缘中的每一个而倾斜。图1示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于要在真空处理设施(300)中处理的一个或多个基板的载体(100；320)，包括：基板支撑部分(110)，用于支撑一个或多个待处理基板，所述基板支撑部分(110)包括至少一个拐角(111)；和框架(120)，基本上围绕所述基板支撑部分(110)提供并且包括外缘(121；122；123；124)；其中所述框架(120)包括狭缝(130；330)，所述狭缝(130；330)从所述基板支撑部分(110)的所述至少一个拐角(111)延伸到所述框架(120)的所述外缘(121；122；123；124)，并且其中所述狭缝(130；330)相对于所述框架(120)的所述外缘(121；122；123；124)而倾斜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于要在真空处理设施(300)中处理的一个或多个基板的载体(100；320)，包括：基板支撑部分(110)，用于支撑一个或多个待处理基板，所述基板支撑部分(110)包括至少一个拐角(111)；和框架(120)，基本上围绕所述基板支撑部分(110)提供并且包括外缘(121；122；123；124)；其中所述框架(120)包括狭缝(130；330)，所述狭缝(130；330)从所述基板支撑部分(110)的所述至少一个拐角(111)延伸到所述框架(120)的所述外缘(121；122；123；124)，并且其中所述狭缝(130；330)相对于所述框架(120)的所述外缘(121；122；123；124)而倾斜。2.如权利要求1所述的载体，其中所述狭缝(130；330)将所述框架(120)划分为至少两个框架部分(126、127、128、129)，每个框架部分具有外缘(121；122；123；124)，并且其中所述狭缝(130；330)倾斜于所述框架部分的所述外缘(121；122；123；124)中的每一个。3.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述狭缝(130；330)延伸通过所述载体(100；320)的所述框架(120)的整个厚度。4.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体(100；320)是整体的载体。5.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述基板支撑部分(110)具有基本上矩形的形状并且所述框架(120)具有基本上矩形的外部形状，其中所述狭缝(130；330)从所述基板支撑部分(110)的相应拐角(111)斜对地延伸到所述框架的外缘(121；122；123；124)。6.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述框架(120)包括四个狭缝(130)，所述四个狭缝(130)将所述框架(120)划分为四个框架部分。7.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述狭缝(130；330)具有在90mm与150mm之间的长度和在5mm与30mm之间的宽度。8.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体(100；320)的所述基板支撑部分(110)的厚度小于所述载体的所述框架(120)的厚度并且/或者其中所述框架(120)具有与所述基板支撑部分(110)不同的在温度变化下的膨胀行为。9.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体(100；320)适于保持两个或更多个子载体(160)以用于承载基板。10.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：莱内尔·欣特舒斯特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US