清洁组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种组合物(例如清洁和/或剥离组合物)，其含有(a)0.5‑25重量百分比的碱性化合物；(b)1‑25重量百分比的醇胺化合物；(c)0.1‑20重量百分比的羟铵化合物；(d)5‑95重量百分比的有机溶剂；(e)0.1‑5重量百分比的腐蚀抑制剂化合物；及(f)2‑25重量百分比的水。

Cleaning composition

The invention relates to a composition (such as cleaning and / or peeling composition) containing (a) 0.5 of 25 weight percent alkaline compounds; (b) 1 of 25 weight percent of the alcohol amine compound; (c) 0.1 of 20 weight percent hydroxyl ammonium compound; (d) 5 95 weight percent organic solvent; (E) 0.1 5 weight percentage corrosion inhibition Chemical compounds; and (f) 2% 25 weight percent water.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁组合物相关申请的交叉引用本申请主张于2015年8月3日申请的美国临时申请序号62/200,236的优先权，该临时申请以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
在聚合物膜的激光烧蚀期间，总是形成碎片，且碎片的量及类型取决于膜的组成及烧蚀的加工条件。此碎片大部分沉积在平台上，但一些可到达结构的底部及壁。彻底去除对能够进行进一步的组件构建步骤，诸如焊接及金属沉积而言为必不可少的。在不影响膜的情况下对此类碎片进行化学清洁为本专利技术的焦点之一。此外，本专利技术的组合物的设计允许该组合物在高温下充当有效剥离剂。
技术实现思路
本专利技术描述一种清洁组合物，其用于室温(例如25℃)下激光烧蚀后清洁制程，也可用作高温(例如65-85℃)下再加工制程和/或后续加工之后的针对聚合物层的剥离组合物。在一些实施方式中，组合物包含以下(a)-(f)(或基本上由(a)-(f)组成或由(a)-(f)组成)：(a)0.5-25重量百分比的碱性化合物；(b)1-25重量百分比的醇胺化合物；(c)0.1-20重量百分比的羟铵化合物；(d)5-95重量百分比的有机溶剂；(e)0.1-5重量百分比的腐蚀抑制剂化合物；及(f)2-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，包含：(a)0.5‑25重量百分比的碱性化合物；(b)1‑25重量百分比的醇胺化合物；(c)0.1‑20重量百分比的羟铵化合物；(d)5‑95重量百分比的有机溶剂；(e)0.1‑5重量百分比的腐蚀抑制剂化合物；及(f)2‑25重量百分比的水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.03 US 62/200,2361.一种组合物，包含：(a)0.5-25重量百分比的碱性化合物；(b)1-25重量百分比的醇胺化合物；(c)0.1-20重量百分比的羟铵化合物；(d)5-95重量百分比的有机溶剂；(e)0.1-5重量百分比的腐蚀抑制剂化合物；及(f)2-25重量百分比的水。2.如权利要求1所述的组合物，其中，所述碱性化合物选自由以下所组成的组：四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟基三甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵(TEAH)、四丙基氢氧化铵(TPAH)、四丁基氢氧化胺(TBAH)及其混合物。3.如权利要求1所述的组合物，其中，所述醇胺化合物选自由以下所组成的组：单乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、二甘醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-甲基-N-乙基乙醇胺及其混合物。4.如权利要求1所述的组合物，其中，所述羟铵化合物选自由以下所组成的组：硫酸羟铵、盐酸羟铵、硝酸羟铵及磷酸羟铵。5.如权利要求4所述的组合物，其中，所述羟铵化合物为硫酸羟铵。6.如权利要求1所述的组合物，其中，所述溶剂选自由以下所组成的组：N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N-乙基吡咯烷酮(NEP)、γ-丁内酯、甲基乙基酮(MEK)、二甲亚砜(DMSO)、二甲砜、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、甲酰胺、四甲基脲、四氢糠醇(THFA)及其混合物。7.如权利要求6所述的组合物，其中，所述溶剂为二甲亚砜(DMSO)或四氢糠醇(THFA)。8.如权利要求1所述的组合物，其中，所述腐蚀抑制剂为三唑、苯并三唑、经取代的三唑或经取代的苯并三唑。9.如权利要求8所述的组合物，其中，所述腐蚀抑制剂为5-甲基-1H-苯并三唑。10.如权利要求9所述的组合物，其中，所述腐蚀抑制剂的量为总组合物的至多约0.5重量％。11.如权利要求9所述的组合物，其中，所述腐蚀抑制剂的量为总组合物的至多约0.3重量％。12.如权利要求1所述的组合物，其中，所述腐蚀抑制剂为结构(I)的化合物其中R1选自由以下所组成的组：氢、经取代或未经取代的C1-C12直链或支链烷基、经取代或未经取代的C5-C10环烷基或杂环烷基及经取代或未经取代的C6-C12芳基或杂芳基；且R2至R5各自独立地选自由以下所组成的组：氢、卤素、经取代或未经取代的C1-C12直链或支链烷基、经取代或未经取代的C5-C10环烷基或杂环烷基及经取代或未经取代的C6-C12芳基或杂芳基；或任两个相邻R2至R5连同与其连接的环碳原子一起形成六元环。13.如权利要求12所述的组合物，其中，所述腐蚀抑制剂为。14.一种用于制造半导体装置的方法，包括在约65℃至约85℃的温度下，用如权利要求1至13中任一项所述的组合物处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·萨卡穆里，O·N·迪莫夫，A·A·纳依尼，S·马利克，B·B·德，W·A·赖纳特，
申请(专利权)人：富士胶片电子材料美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US