一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路，其包括有耦合电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，耦合电容的前端作为电平转换电路的输入端，耦合电容的后端连接于第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极，第一PMOS管的源极用于接入高电平信号，第一PMOS管的漏极连接于第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极接地，第二PMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接于耦合电容的后端，第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均连接于第一NMOS管的漏极，第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相互连接后作为电平转换电路的输出端。本实用新型专利技术能提高转换速度、提高信号的传输速度、简化电路的版图布设以及降低设计难度。

A capacitive coupling level conversion circuit for fingerprint identification drive chip

The utility model discloses a capacitance coupling level conversion circuit for a fingerprint identification driver, which includes a coupling capacitor, a first PMOS tube, a second PMOS tube, a first NMOS tube and a second NMOS tube. The front end of the coupling capacitance is used as the input end of the level conversion circuit, and the back end of the coupling capacitance is connected to the gate of the first PMOS tube. The gate of the pole and the first NMOS tube, the source of the first PMOS tube is used to access the high level signal, the leakage pole of the first PMOS tube is connected to the drain of the first NMOS tube, the source of the first NMOS tube is grounded, the source pole of the second PMOS tube and the source of the second NMOS tube are all connected to the back end of the coupling capacitance, the leakage pole of the second PMOS tube and the leakage of the second NMOS tube. Poles are connected to the drain of the first NMOS tube, and the gate of the second PMOS tube and the grid of the second NMOS tube are connected to each other as the output end of the level conversion circuit. The utility model can improve the conversion speed, improve the transmission speed of the signal, simplify the layout of the circuit, and reduce the difficulty of the design.

【技术实现步骤摘要】
一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路
本技术涉及利用低压器件或者中压器件实现高压转换的电路，尤其涉及一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路。
技术介绍
目前，被动式电容指纹识别技术是由驱动芯片和感应器这两个芯片组成，请参照图1，图1中体现了驱动芯片和感应器之间的电压域关系，通过驱动芯片把感应器芯片的地端提高，进而感应和采集指图案，芯片的接地端电压越高，指纹感应的所造成的电容变化量就越大。指纹识别芯片模组正常工作时，驱动芯片芯片需要把感应器芯片的地从0V抬高到7.5V～12V，同时驱动芯片芯片和感应器芯片的各种控制信号和数据信号都需要保持正常并相互传送。因此，需要搭配两种电平转换电路，一种是从感应器到驱动芯片的转换电路，请参照图2，用于将信号整体电平从高转换到低；另一种是从驱动芯片到感应器的转换电路，请参照图3，用于将信号整体电平从低转换到高。其中，由于驱动芯片和感应器都是采用5V中压器件来设计，在电平转换时，5V器件两端的电压差将远超过其所设计的上限值，所以，现有技术是在两种电平之间加入PMOS_12V/NMOS_12V或者PMOS_16V/NMOS_16V高压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路，其特征在于，包括有耦合电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述耦合电容的前端作为所述电平转换电路的输入端，所述耦合电容的后端连接于第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极用于接入高电平信号，所述第一PMOS管的漏极连接于第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二PMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接于耦合电容的后端，所述第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均连接于第一NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相互连接后作为所述电平转...

【技术特征摘要】
1.一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路，其特征在于，包括有耦合电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述耦合电容的前端作为所述电平转换电路的输入端，所述耦合电容的后端连接于第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极用于接入高电平信号，所述第一PMOS管的漏极连接于第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二PMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接于耦合电容的后端，所述第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均连接于第一NMOS管的漏极，所述第二PM...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思伟，余佳，
申请(专利权)人：深圳贝特莱电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44