体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法技术

本发明专利技术提供一种包括体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。所述体声波谐振器包括：基板，基板保护层设置在所述基板的顶表面上；膜层，与所述基板限定腔；以及谐振部，设置在所述膜层上。所述膜层包括第一层和第二层，所述第二层具有与所述第一层的材料相同的材料，并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。

Bulk acoustic resonator and method for manufacturing bulk acoustic resonator

The invention provides a method for manufacturing a bulk acoustic resonator and a body acoustic resonator. The sonic resonator includes: a substrate, a substrate protection layer on the top surface of the substrate, the diaphragm, the substrate limiting cavity, and the resonant part, arranged on the film layer. The film layer comprises a first layer and a second layer, and the second layer has the same material as the material of the first layer, and the density of the second layer is greater than the density of the first layer.

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法本申请要求于2016年10月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0142331号韩国专利申请以及于2017年3月23日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0036662号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。
技术介绍
在体声波谐振器(BAWR)中，压电薄膜的晶体特性对体声波谐振性能的各个方面具有显著的影响。因此，目前正在研究能够改善压电薄膜的晶体特性的各种方法。为了改善压电薄膜的晶体特性，通常的方法是优化用于压电层的氮化铝(AlN)的沉积操作。这样的方法因沉积操作的特点而在改善晶体特性方面具有限制。作为示例，典型的沉积方法可包括通过优化压电层的沉积操作或者改善位于下层的电极和种子层的类型或沉积操作来确保结晶度。可使用一种用于提高电极薄膜的结晶度的方法，该方法使用用于改善压电层的晶体特性的氮化铝(AlN)的下层，但仅通过优化沉积操作，在提高电极薄膜的结晶度方面存在限制。因此，开发一种能够使压电薄膜(能够改善体声波谐振性能)的晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种体声波谐振器，包括：基板，基板保护层设置在所述基板的顶表面上；膜层，与所述基板限定腔；以及谐振部，设置在所述膜层上，其中，所述膜层包括第一层和第二层，所述第二层包括与所述第一层的材料相同的材料，并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。

【技术特征摘要】
2016.10.28 KR 10-2016-0142331;2017.03.23 KR 10-2011.一种体声波谐振器，包括：基板，基板保护层设置在所述基板的顶表面上；膜层，与所述基板限定腔；以及谐振部，设置在所述膜层上，其中，所述膜层包括第一层和第二层，所述第二层包括与所述第一层的材料相同的材料，并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二层包括当射频偏压施加到处于等离子状态的所述基板并提供有氩粒子时形成的材料。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述膜层包括具有氮化硅或氧化硅的材料。4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振部包括：下电极，形成在所述膜层上；压电层，覆盖所述下电极的一部分；以及上电极，设置在所述压电层上。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：钝化层，设置在所述上电极和所述下电极的部分上；以及金属焊盘，形成在所述上电极和所述下电极的未形成钝化层的部分上。6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，所述上电极包括设置在有效区域的边缘处的框架部。7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述膜层设置为与所述腔平行，并延伸为...

【专利技术属性】
技术研发人员：庆济弘，孙晋淑，李华善，李尚泫，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR