一种软磁薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种软磁薄膜及其制备方法。本发明专利技术的软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，每组层结构包括软磁材料层及位于软磁材料层上方的介质层，每组层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，第一粘结层和第二粘结层用于增强层结构的粘附性；其中，第一粘结层位于软磁材料层和介质层之间，和/或，第二粘结层位于介质层之上。本发明专利技术的软磁薄膜的制备方法，包括循环制备层结构的步骤，以形成堆叠设置的多组层结构，制备层结构的步骤包括：S1：溅射软磁材料层；S2：溅射介质层；在S1和S2之间还包括S3：在软磁材料层上溅射第一粘结层；和/或，在S2之后还包括S4：在介质层上溅射第二粘结层。

A soft magnetic thin film and its preparation method

The invention provides a soft magnetic film and a preparation method thereof. The soft magnetic film of the invention includes a multi layer structure of stacked setting. Each layer structure includes a soft magnetic material layer and a medium layer above the soft magnetic material layer. The structure of each layer also includes the first bond layer and / or second bonding layer, the first bond layer and the second bond layer are used for the adhesion of the strengthening layer structure; among them, the first adhesive is the first adhesive. The junction layer is between the soft magnetic material layer and the dielectric layer, and / or the second adhesive layer is positioned on the dielectric layer. A preparation method of the soft magnetic film of the present invention includes the steps of a cyclic preparation layer structure to form a stacked multi layer structure. The steps to prepare the layer structure include: S1: sputtering soft magnetic material layer; S2: sputtering medium layer; and S3 between S1 and S2: the first bonding layer on the soft magnetic material layer; and / or in S2 Later, it also includes S4: sputtering the second bonding layer on the dielectric layer.

【技术实现步骤摘要】
一种软磁薄膜及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种软磁薄膜及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，信息处理速度和传输频率也越来越高。对于相应设备（如手机）而言，其包含的电子元器件越来越向着高频化、薄膜化、微型化、集成化等方向发展。虽然随着技术的发展，集成电路制造工艺已可以显著缩小处理器尺寸，但仍有一些核心元器件如集成电感、噪声抑制器等在高频化、微型化、集成化等方面面临诸多困难，为了解决此问题，具有高磁化强度、高磁导率、高共振频率及高电阻率的软磁薄膜材料引起人们越来越多的关注。镍铁合金和镍作为软磁材料，在弱、中磁场下具有良好的软磁特性，被广泛研究。软磁材料薄膜一般为多层结构，各层结构包括软磁材料层和介质层，即各软磁材料层之间用介质层隔离，介质层一般采用反应方式制得。目前，通常利用磁控溅射设备制备软磁薄膜，在磁控溅射设备上备有软磁材料靶材和介质靶材，分别用于沉积软磁材料层和介质层。在第一工艺腔室中，通入工艺气体，溅射过程中离化的工艺气体离子轰击软磁材料靶材，从而在晶片上沉积软磁材料层。在第二工艺腔室中，溅射介质层，当溅射形成的介质层为SiO2时，使用Si靶，通入的反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，其中，每组所述层结构包括软磁材料层及位于所述软磁材料层上方的介质层，其特征在于，每组所述层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，所述第一粘结层和所述第二粘结层用于增强所述层结构的粘附性；其中，所述第一粘结层位于所述软磁材料层和介质层之间，和/或，所述第二粘结层位于所述介质层之上。

【技术特征摘要】
1.一种软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，其中，每组所述层结构包括软磁材料层及位于所述软磁材料层上方的介质层，其特征在于，每组所述层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，所述第一粘结层和所述第二粘结层用于增强所述层结构的粘附性；其中，所述第一粘结层位于所述软磁材料层和介质层之间，和/或，所述第二粘结层位于所述介质层之上。2.如权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和所述第二粘结层的热膨胀系数小于所述软磁材料层的热膨胀系数，且大于所述介质层的热膨胀系数。3.如权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，所述软磁材料层为镍铁合金层或镍层。4.如权利要求3所述的软磁薄膜，其特征在于，所述镍铁合金层用以质量百分比计的80％镍和20％铁组成的镍铁合金溅射制成。5.如权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为固体单质，所述介质层为所述固体单质的氧化物或氮化物。6.如权利要求5所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为Si层，所述介质层为SiO2层。7.如权利要求5所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为Si层，所述介质层为Si3N4层。8.如权利要求5所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为Ti层，所述介质层为TiO2层。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：张同文，杨玉杰，夏威，丁培军，王厚工，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11