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SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备方法技术

技术编号:1789345 阅读:135 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备方法,在电阻炉中、用石墨覆盖SiCp/AZ61镁基复合材料的条件下进行重熔,其特征是重熔加热温度为595℃~600℃、保温时间为30min~60min,本发明专利技术所述的制备方法得到的SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织,球状晶粒组织比较好,能获得了细小而均匀的半固态球状重熔组织,完全满足其触变成形的要求,而且工艺简单、安全可靠,操作方便,使传统触变成形的三步骤变为二步骤(坯料的重熔、触变成形),且无三废污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,特别是用于 SiCp/AZ61镁基复合材料半固态触变成形的重熔组织的制备方法。技术背景SiC颗粒增强镁基复合材料具有重量轻,比强度、比刚度高、低热膨胀系数、优良的耐磨性和抗疲劳性以及成本低等优异的综合性能,被普遍认为是一种较理想的结构材料。但是SiC颗粒引入,使得镁基复合材料在提高强度、硬度、弹性模量的同时,却大大地降低了其塑性,不利于对其二次塑性加工。然而随着半固态触变成形技术和 理论不断成熟与发展,为镁基复合材料的半固态触变成形开拓了新的发展方向。半固态触变成形工艺中有如下三个关键工序(1)非枝晶坯料的制备;(2)坯料 的重熔;(3)触变成形。其中坯料的重熔工艺是整个触变成形的关键,而重熔组织的 好坏对其触变成形有重要的影响。中国专利申请200710068156.3中公开了一种用半固态的方法制备SiCp/AZ61镁基 复合材料,该复合材料微观结构好,不但气孔较少,而且SiC颗粒分布非常均匀。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种中国专利申请200710068156.3中所述的SiCp/AZ61镁基 复合材料重熔组织的制备方法。本专利技术所述的SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备,是以该SiCp/AZ61镁基 复合材料作为制备材料,釆用半固态等温热处理法进行重熔组织的制备,其重熔加热 温度取595。C 600。C、保温时间取30 rain 60min。本专利技术所述的重熔加热,是在电阻炉中进行的。由于镁合金在高温时易燃烧,本专利技术所述的制备方法的加热过程,是在石墨覆盖 的条件下进行的,也可以在气体(氩气)保护下进行。本专利技术在中国专利申请200710068156. 3中公开的SiCp/AZ61镁基复合材料的基础 上,采用半固态等温热处理法,工艺简单,操作方便,使传统触变成形的三步骤变为 二步骤(坯料的重熔、触变成形)。该制备方法所得到的SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织,其球状晶粒组织比较好, 能获得了细小而均匀的半固态球状重熔组织,完全满足其触变成形的要求,而且工艺简单、安全可靠,无三废污染。 附图说明图1为重熔温度595°C,保温时间30min条件下的重熔组织结构图。 图2为重熔温度595°C,保温时间60min条件下的重熔组织结构图。 图3为重熔温度600°C,保温时间30min条件下的重熔组织结构图。 图4为重熔温度600°C,保温时间60min条件下的重熔组织结构图。具体实施方式本专利技术将通过以下实施例作进一步的说明。 实施例1。取重熔温度为595°C,保温时间为30min,重熔是在井式电阻炉中,在石墨覆盖的 条件下进行的,其得到的重熔组织结构如图l所示。 实施例2。取重熔温度为595°C,保温时间为60min,重熔是在箱式电阻炉中,在石墨覆盖的 条件下进行的,其得到的重熔组织结构如图2所示。 实施例3。取重熔温度为60(TC,保温时间为30min,重熔是在箱式电阻炉中,在石墨覆盖的 条件下进行的,其得到的重熔组织结构如图3所示。 实施例4。取重熔温度为600°C 保温时间为60min,重熔是在井式电阻炉中,在石墨覆盖的 条件下进行的,其得到的重熔组织结构如图4所示。权利要求1、一种,在电阻炉中、用石墨覆盖SiCp/AZ61镁基复合材料的条件下进行重熔,其特征是重熔加热温度为595℃~600℃、保温时间为30min~60min。全文摘要一种,在电阻炉中、用石墨覆盖SiCp/AZ61镁基复合材料的条件下进行重熔,其特征是重熔加热温度为595℃~600℃、保温时间为30min~60min,本专利技术所述的制备方法得到的SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织,球状晶粒组织比较好,能获得了细小而均匀的半固态球状重熔组织,完全满足其触变成形的要求,而且工艺简单、安全可靠,操作方便,使传统触变成形的三步骤变为二步骤(坯料的重熔、触变成形),且无三废污染。文档编号C22C23/00GK101130836SQ200710071589公开日2008年2月27日 申请日期2007年9月30日 优先权日2007年9月30日专利技术者张发云, 洪 闫 申请人:南昌大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备方法,在电阻炉中、用石墨覆盖SiCp/AZ61镁基复合材料的条件下进行重熔,其特征是重熔加热温度为595℃~600℃、保温时间为30min~60min。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:闫洪张发云
申请(专利权)人:南昌大学
类型:发明
国别省市:36[]

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