一种用于多电平拓扑的晶闸管整流器制造技术
A thyristor rectifier for multilevel topology
The utility model discloses a thyristor rectifier for multilevel topology, which belongs to the technical field of high-power semiconductor switches. The thyristor rectifier includes two thyristor rectifier bridges T1, T2, the input side of the thyristor rectifier bridge T1, the input side of the T2 and the two side of the three-phase isolation AC transformer, and the electrical angle difference between the two two sides, the T1 and T2 output terminals of the thyristor rectifier bridge and the DC capacitance C1, the C2 in parallel, and the series between T1 and T2, through the adjustment. The voltage of the trigger angle of the thyristor rises from zero to the rated voltage, and reduces the precharge link compared with the diode uncontrolled rectifier bridge. At the same time, the input voltage is selected according to the load, and the input voltage is minimum at full load, thus the high power factor is realized.
【技术实现步骤摘要】
一种用于多电平拓扑的晶闸管整流器
本技术涉及一种用于多电平拓扑的晶闸管整流器，属于半导体开关
，它适用于3～27MVA大功率变流器中，可广泛应用于中压传动领域。
技术介绍
随着电力电子功率器件和控制技术的迅速发展，电力电子变流装置在各行各业取得了日益广泛的应用。全控性器件GTO、IGBT、IGCT等得到了广泛的应用，但是器件的功率等级制约了电力电子装置容量的进一步发展，多变流器并联分摊容量的方案带来的是装置的复杂度和成本的提高。晶闸管是现阶段具有最大耐压等级的商业化可控半导体器件。其技术成熟，性能稳定，具有非常高的容量价格比。晶闸管整流器作为大功率变流装置的组成部分，结构简单，单位成本低，在实际应用中具有很大的优势。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于多电平拓扑的晶闸管整流器，包括两个晶闸管整流桥T1、T2，所述的晶闸管整流桥T1、T2的输入侧分别与三相隔离交流变压器两个二次侧连接，三相隔离交流变压器两个二次侧之间有电角度差别，所述晶闸管整流桥T1、T2输出端分别和直流电容C1、C2并联，晶闸管整流桥T1和T2之间串联，通过调整晶闸管的触发角使得直流电容两端的...
【技术保护点】
一种用于多电平拓扑的晶闸管整流器，其特征在于：包括两个晶闸管整流桥T1、T2，两个晶闸管整流桥T1、T2的输入侧与三相隔离交流变压器的二次侧连接，三相隔离交流变压器的两个二次侧之间有电角度差别，晶闸管整流桥T1、T2输出端分别和直流电容C1、C2并联，晶闸管整流桥T1和T2之间串联。
【技术特征摘要】
1.一种用于多电平拓扑的晶闸管整流器，其特征在于：包括两个晶闸管整流桥T1、T2，两个晶闸管整流桥T1、T2的输入侧与三相隔离交流变压器的二次侧连接，三相隔离交流变压器的两个二次侧之间有电角度差别，晶闸管整流桥T1、T2输出端分别和直...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨琼涛，王成胜，段巍，唐磊，兰志明，李凡，赵悦，蒋珺，张阳，
申请(专利权)人：北京金自天正智能控制股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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