一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿型太阳能电池，包括FTO、电子传输层、钙钛矿、空穴传输层、电极；其中，所述钙钛矿层是用简易近空间升华法制得。构成钙钛矿的材料选自乙酰丙酮金属盐和醋酸盐的至少一种。此方法既减少了成本，又能低温制备，薄膜覆盖度也大大提高，可以用来做大面积器件，为将来的产业化提供了可行性方法。

Perovskite type solar cell and preparation method thereof

The invention discloses a perovskite type solar cell and a preparation method thereof. The perovskite type solar cell consists of FTO, electron transport layer, perovskite, hole transmission layer and electrode, in which the calcium titanium ore layer is obtained by simple near space sublimation. The materials perovskite constitute are selected from at least one of acetylacetone metal salts and acetate. This method not only reduces the cost, but also can be prepared at low temperature, and the film coverage is greatly improved. It can be used as a large area device to provide a feasible method for future industrialization.

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于钙钛矿太阳能电池领域，涉及一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
最近有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池在光伏
被高度重视，由于高载流子迁移率，低激子结合能，吸收系数高，适宜带隙的优势，钙钛矿材料被认为是理想的光伏材料。受益于来自化学、材料和物理社区的贡献，钙钛矿太阳能电池的转换效率在短短七年内从最初报道的3.8％大大提高到了现在的22.1％。钙钛矿薄膜的质量对钙钛矿电池的性能有着至关重要的作用，已经有文献报道过多种提高钙钛矿薄膜质量的方法，例如：一步旋涂法，连续沉积法，共蒸发法，气相辅助液相法。对于一步旋涂法，当旋涂机高速旋转时溶剂挥发，形成钙钛矿晶粒，在这种情况下，溶剂快速挥发，PbI2与CH3NH3I的快速反应使其难以控制钙钛矿晶粒的生长，诱导针孔的形成，最终导致钙钛矿薄膜低的覆盖率。使用PbCl2或Pb(Ac)2作为铅源钙钛矿薄膜可能更加平滑，覆盖度更好，然而在薄膜形成过程中可能释放出对钙钛矿成膜不利的产物，影响薄膜的纯度。因此,Gra¨tzel等人采用连续沉积方法。这首先涉及到铅源PbI2的沉积，然后PbI2浸入C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钙钛矿型太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿层的制备步骤如下：1)将MAI、铅源材料、MACl分别放在石墨盒中压平；2)放置步骤1)压好的MAI在热板中央，将旋涂有致密层的FTO玻璃放置在掩膜板的中央，旋涂有致密层的一面和压好的MAI面对面放置，距离为1‑3cm，抽真空达到0.1MPa后将热板温度上升到120‑150℃，20‑30min后关闭温度开关，得到制备有MAI层的片子；3)待温度降下之后，将步骤1)压好的铅源材料放置在热板中央，继续将步骤2)的片子按上述方法放置在铅源材料上面，然后在常压状态下将热板温度上升到110℃‑130℃，30‑40min后关闭温度开关；4)待温度降下...

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿型太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿层的制备步骤如下：1)将MAI、铅源材料、MACl分别放在石墨盒中压平；2)放置步骤1)压好的MAI在热板中央，将旋涂有致密层的FTO玻璃放置在掩膜板的中央，旋涂有致密层的一面和压好的MAI面对面放置，距离为1-3cm，抽真空达到0.1MPa后将热板温度上升到120-150℃，20-30min后关闭温度开关，得到制备有MAI层的片子；3)待温度降下之后，将步骤1)压好的铅源材料放置在热板中央，继续将步骤2)的片子按上述方法放置在铅源材料上面，然后在常压状态下将热板温度上升到110℃-130℃，30-40min后关闭温度开关；4)待温度降下之后，将步骤1)压好的MAI放置在热板中央，继续将步骤3)的片子按上述方法放置，抽真空达到0.1MPa后将热板温度上升到130-150℃，30-40min后关闭温度开关；5)待温度降下之后，将片子继续按上述方法放置在步骤1)压好的MACl上面，抽真空达到0.1MPa后将热板温度上升到100-120℃，5-10min后关闭温度开关，然后将片子进行100-110℃退...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦耀华，张翠苓，李闻哲，范建东，马云平，李红亮，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：发明
国别省市：广东,44