一种高纯镓的制备方法技术

高纯镓的制备方法：用去离子水清洗有机容器后，烘干；将２Ｋｇ～２５Ｋｇ的镓原料加热熔融，将熔融的液态镓加入容器内；环境温度控制在２０℃－２５℃，将容器置于１５℃～２５℃的循环水浴中，镓液的液面低于水浴液面，且将循环水的流速控制在１．０Ｌ／ｍｉｎ～３．０Ｌ／ｍｉｎ；将５ｇ～１０ｇ、纯度≥７Ｎ的镓涂于圆柱形杆的一端，制成籽晶；将圆柱形杆的另一端与天平称重端连接；将圆柱形杆上涂有籽晶的部分置于镓液后，用镓凝固时发生的体积膨胀，获得凝固Ｇａ的凝固质量和凝固质量分数；当凝固质量分数达到６０％～９０％时，取出固体镓，将液体倒出进行固液分离；获得的固体Ｇａ，并以此作为镓原料；重复步骤１～６两至七次。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用粗镓(《4N)制取超高纯镓(Ga)的高纯Ga的制备方法 方法，尤其涉及一种高纯镓(Ga)的制备方法。属于电子信息材料领域。
技术介绍
Ga是一种贵重的稀散金属，应用范围广泛。它可用于低熔点合金、超导材 料、原子反应堆中的热载体；镓的氧化物是一种多功能材料，除用做计算机内存、 磁泡存储元件的芯片外，还广泛用于隐藏式通讯、红外线辐射二极管振荡器、铁 磁材料、光电材料、荧光材料等领域；镓盐可用做催化剂、用于制备治疗癌症及 骨质疏松等病症的药物，但目前Ga最重要的用途是用于制造GaN、 GaAs、三甲 基镓等半导体材料及原材料。通常，熔炼、电解法制造粗镓不能去除Pb、 Sn、 Cu等杂质元素，大大影响 Ga半导体材料的物理性能，需将其降低到非常低的水平。用于制造半导体材料 的金属镓，要求其纯度非常高，通常要求达到7N,甚至8N以上。部分结晶法制取高纯Ga最简便、最经济，也是应用最广泛的提纯方法，但 由于凝固过程中主要是以凝固体积分数作为控制凝固进程的关键参数，其它的提 纯方法往往是通过对凝固体积的测量来获得凝固体积分数，其误差相对比较大 (通常在1% 3%)，特别是对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高纯镓的制备方法，包括以下步骤：　步骤１：直径为１０ｃｍ～２０ｃｍ圆柱形有机容器，用电子级去离子水清洗后，烘干；　步骤２：称取固态镓原料的质量，将２Ｋｇ～２５Ｋｇ的镓原料加热熔融，温度为３０℃～４０℃，将熔融的液态镓加入圆柱形有机容器内；　步骤３：环境温度控制在２０℃－２５℃，将圆柱形有机容器置于１５℃～２５℃的循环水浴中，镓液的液面高度低于水浴液面高度，且将循环水的流速控制在１．０Ｌ／ｍｉｎ～３．０Ｌ／ｍｉｎ；　步骤４：将５ｇ～１０ｇ、纯度≥７Ｎ的镓均匀涂敷于圆柱形杆的一端，制成籽晶；将圆柱形杆的另一端与天平的称重端连接；　步骤５：将圆柱形杆上涂有籽晶的部分置于镓液中心后，利用镓凝固时发...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方锋，蒋建清，王东静，范家骅，刘文兵，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]