一种多晶光致发光钨酸锌薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶光致发光钨酸锌薄膜的制备方法，采用磁控溅射的方法制备，包括如下步骤：（a）制备氧化钨薄膜层；（b）在步骤（a）的基础上制备氧化锌薄膜层；（c）在步骤（b）的基础上制备氧化钨薄膜，重复步骤（a）中的操作；（d）对上述制备的WO3/ZnO/WO3多层薄膜在空气中进行退火处理，随后自然降温，即得最终样品。本发明专利技术采用金属钨和氧化锌陶瓷作为靶材，成本低、环保，且可大规模生产，制备的多晶钨酸锌薄膜与基底结合具有优良光致发光性能和较好透明度（＞70%）。

Preparation method of polycrystalline photoluminescent zinc tungstate thin film

The invention discloses a preparation method of polycrystalline photoluminescence zinc tungstate thin film, which is prepared by magnetron sputtering, including the following steps: (a) preparation of tungsten oxide film layer; (b) preparation of Zinc Oxide film layer on the basis of step (a); (c) preparation of tungsten oxide film on the basis of step (b), repeat steps (a) operation; (d) annealing the above prepared WO3/ZnO/WO3 multilayer films in the air, followed by natural cooling, the final sample is obtained. Tungsten and Zinc Oxide ceramics are used as targets for low cost, environmental protection, and can be produced on a large scale. The prepared polycrystalline zinc tungstate film has excellent photoluminescence properties and good transparency with the substrate (> 70%).

【技术实现步骤摘要】
一种多晶光致发光钨酸锌薄膜的制备方法
本专利技术涉及镀膜
，具体涉及一种多晶光致发光钨酸锌薄膜的制备方法。技术背景发光材料已广泛应用于国民经济各领域和人们的日常生活中，是照明、显示器、节能灯、辐射探测器等光电器件中不可缺少的材料。其中基于钨酸根离子（WO42-）的钨酸锌（ZnWO4）晶体是一种优良的闪烁晶体，在紫外光激发下，ZnWO4晶体可以发出强的蓝绿光，并且具有化学性能稳定、抗辐射和强光损伤能力强等优点，在激发晶体、电离辐射探测器等方面有很好的应用前景。同时随着对元器件小型化、集成化、节能化及性能要求的不断提高，利用低维（薄膜）材料制造各种元器件已是未来发展趋势。1998年德国M.Bonanni等人（M.Bonanni,etal,Chem.Mater.1998,10,304-310）利用醋酸锌和六甲酸钨的异质胶联体制备了ZnWO4薄膜，这种薄膜可以发出较强的蓝光，但其制备工艺复杂，涉及不同温度下金属有机化合物的前期脱水处理以及后续溶胶-凝胶的工艺，且制备的薄膜与衬底结合性并不理想。2003年日本HidekiHayashi等人（HidekiHayashi,etal,App本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶光致发光钨酸锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（a）制备氧化钨薄膜层：（a1）先后用丙酮、酒精和去离子水超声清洗石英基片，用N2吹干，再将清洗后的石英基片干燥30min；（a2）将金属钨靶置于磁控溅射室，所述金属钨靶的纯度为99.99%；（a3）将步骤（a1）中洁净的石英基片放入带金属钨靶的磁控溅射室，抽真空至<5×10

【技术特征摘要】
1.一种多晶光致发光钨酸锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（a）制备氧化钨薄膜层：（a1）先后用丙酮、酒精和去离子水超声清洗石英基片，用N2吹干，再将清洗后的石英基片干燥30min；（a2）将金属钨靶置于磁控溅射室，所述金属钨靶的纯度为99.99%；（a3）将步骤（a1）中洁净的石英基片放入带金属钨靶的磁控溅射室，抽真空至&lt;5×10-4Pa；（a4）向上述磁控溅射室中通入氩气和氧气，调节氩气和氧气的体积流量比为20:15，磁控溅射室压强为4Pa；（a5）打开磁控溅射电源，将溅射功率调至为80W，开始预溅射3~10min，石英基片不加热；（a6）通过溅射沉积时间来控制氧化钨膜层厚度，溅射沉积时间10~15min后，关闭溅射电源，使沉积的氧化钨薄膜在真空中冷却30~60min；（b）在步骤（a）的基础上制备氧化锌薄膜层：（b1）向溅射室通入N2至大气压，打开溅射室，将金属钨靶换成氧化锌陶瓷靶，所述氧化锌陶瓷靶纯度为99.9%；（b2）重复上述步骤（a3）的操作；（b3）向上述磁控溅射室中通入氩气和氧气，调节氩气和氧气的体积...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，袁春林，颜陈晨，汤起云，胡冬冬，张宜林，
申请(专利权)人：重庆理工大学，
类型：发明
国别省市：重庆,50