用于产生等离子体的天线结构体和使用所述天线结构体的等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及等离子体产生用天线和使用所述天线的等离子体处理装置，本实用新型专利技术实施例中的用于产生等离子体的天线结构体是被施加高频电力并在处理室内生成等离子体的用于产生等离子体的天线结构体，包含以形成至少一个角部的方式弯曲地形成的天线导线，上述天线导线以上述形成角部的部分相对于其他部分位于外侧的方式形成。

Antenna structure for generating plasma and plasma processing device using the antenna structure

The utility model relates to a plasma generated antenna and a plasma processing device used for the use of the antenna. An antenna structure used for producing a plasma in the utility model is an antenna structure used to generate plasma in the processing chamber and generates plasma in the processing chamber, which is formed to form a plasma body. An antenna wire formed flexural in a way less than a corner, which is formed in a way that the part of the forming angle above is located outside the other parts.

【技术实现步骤摘要】
用于产生等离子体的天线结构体和使用所述天线结构体的等离子体处理装置
本技术涉及等离子体产生用天线和使用所述天线的等离子体处理装置，特别是生成等离子体并对显示面板等的基板实施处理的等离子体产生用天线和使用所述天线的等离子体处理装置。
技术介绍
在使用等离子体对基板实施CVD、蚀刻等处理的装置中，比较多地使用对包含天线的装置施加高频电力，从而在天线周围形成感应电场，并产生等离子体的方式。另一方面，随着被处理基板的大型化，处理装置也逐渐大型化，为了对大型化的基板实施均匀的处理，使用具有多个天线的基板处理装置渐渐变得普遍。当具有多个天线的情况下，由于天线的阻抗不均衡或装置内的环境问题，可能会导致施加到各天线的高频电力互不相同，以至等离子体在各区域不均匀地生成，即使施加到各天线的高频电力几乎相同，也会由于处理装置内的环境问题等，而导致等离子体在各区域不均匀地生成或导致对基板的处理不均匀。
技术实现思路
技术问题本技术的目的在于，提供一种能够生成均匀的等离子体的等离子体产生用天线及使用所述天线的等离子体处理装置。本技术的目的不限于上述提及的目的，本领域普通技术人员可通过下面的记载明确地理解没有提及的其他目的。技术方案为解决上述问题，本技术实施例中的用于产生等离子体的天线结构体是被施加高频电力并在处理室内生成等离子体的用于产生等离子体的天线结构体，包含以形成至少一个角部的方式弯曲地形成的天线导线，上述天线导线以上述形成角部的部分相对于其他部分位于外侧的方式形成。上述天线导线的上述角部为了不与被收容在处理室内的被处理基板重叠，可以位于被处理基板的角部的外侧。在上述天线导线中除了上述角部的其他部分可以与上述被处理基板重叠。上述天线导线包含形成第一角部的第一天线导线及形成第二角部的第二天线导线，上述第一角部和第二角部位于上述用于产生等离子体的天线结构体的最外廓，上述第一天线导线的一部分可以位于上述第二天线导线的内侧。上述第一天线导线包含上述第一角部、与上述第一角部形成台阶的第一外侧边部及与上述第一外侧边部形成台阶的第一内侧边部，上述第二天线导线包含上述第二角部、与上述第二角部形成台阶的第二外侧边部及与上述第二外侧边部形成台阶的第二内侧边部，上述第一内侧边部可以位于上述第二外侧边部的内侧。上述第一外侧边部中的一部分可以与上述第二外侧边部中的一部分位于同一直线上。为解决上述问题，本技术实施例中的等离子体处理装置包含收容被处理基板的处理室、与被收容在上述的处理室内的被处理基板相对地配置的天线结构体及在上述天线结构体和上述处理室之间配置的窗，上述天线结构体包含以形成至少一个角部的方式弯曲地形成的天线导线，上述天线导线以上述形成角部的部分相对于其他部分位于外侧的方式形成。上述天线导线的上述角部为了不与上述被处理基板重叠，可以位于被处理基板的角部的外侧。在上述天线导线中除了上述角部的其他部分可以与上述被处理基板重叠。上述天线导线包含形成第一角部的第一天线导线及形成第二角部的第二天线导线，上述第一角部和上述第二角部位于上述天线结构体的最外廓，上述第一天线导线的一部分可以位于上述第二天线导线的内侧。上述第一天线导线包含上述第一角部、与上述第一角部形成台阶的第一外侧边部及与上述第一外侧边部形成台阶的第一内侧边部，上述第二天线导线包含上述第二角部、与上述第二角部形成台阶的第二外侧边部及与上述第二外侧边部形成台阶的第二内侧边部，上述第一内侧边部可以位于上述第二外侧边部的内侧。上述第一外侧边部中的至少一部分可以与上述第二外侧边部中的至少一部分位于同一直线上。上述第一天线导线包含连接上述第一外侧边部和上述第一内侧边部的第一边部连接部，上述第二天线导线包含连接上述第二外侧边部和上述第二内侧边部的第二边部连接部。还包含支撑上述窗的框架结构体，上述天线结构体可以以上述第一边部连接部及上述第二边部连接部位于上述框架结构体的上部的方式配置。上述框架结构体包含以十字状交叉的横框和纵框，上述第一边部连接部及上述第二边部连接部可以位于上述横框及上述纵框中的至少一个的上部。本技术的其他具体事项包含在详细描述和随附图示当中。有益效果根据本技术的实施例至少具有下述的效果。可以使被处理基板的中央部和角部的等离子体密度偏差最小化并提高等离子体的均匀性。本技术的效果不限于上述提及的内容，本说明将包含其他更多样的效果。附图说明图1是表示本技术的一个实施例的等离子体处理装置的概要图。图2是表示图1的框架结构体及窗的平面图。图3是表示本技术的一个实施例的天线结构体的概要平面图。图4是表示图3的天线结构体和被处理基板的相互配置关系的概要平面图。图5是表示图3的天线结构体和框架结构体的相互配置关系的概要平面图。图6是表示本技术的一个实施例的等离子体处理装置的电力供应及监测部构造的概要架构图。具体实施方式参照附图和以下详细记述的实施例，会更明确地了解本技术的优点及特点并达成这些的方法。但是本技术并不局限于以下公开的实施例，而是可以对其作出其他多样的变形，以下多个的实施例旨在完整地公开本技术，为本领域技术人员提供完整的技术范畴，本技术的范畴仅被权利要求所限定。说明书全文中同一参照符号指定同一组成要素。另外，本说明书所记述的实施例会参照作为本技术的理想的示例图的截面图及/或概要图进行说明。因此，示例图的形态可以根据制造技术及/或允许误差有所变形。另外，为了便于说明各组成要素，本技术所图示的附图多少有扩大或缩小的情况。在说明书全文中同一参照符号指定同一组成要素。以下，将参照用以说明本技术的一个实施例的等离子体处理装置及天线结构体的附图，对本技术进行说明。图1是表示本技术的一个实施例的等离子体处理装置的概要图，图2是表示图1的框架结构体及窗的平面图。本技术的一个实施例的等离子体处理装置(1)是通过腔室(10)内部供给工序用气体并产生等离子体，对位于腔室(10)内部的被处理基板(S)进行处理工序的装置。如图1所示，本技术的一个实施例的等离子体处理装置(1)包含腔室(10)、底座(30)、窗(W)、框架结构体(50)及天线结构体(100)。天线结构体(100)是指用于产生等离子体的天线结构体。腔室(10)的内部形成为形成有可以设置底座(30)、窗(W)、框架结构体(50)及天线结构体(100)的空间的密封结构。腔室(10)可以是由内壁被阳极氧化处理过的铝构成。如图1所示，底座(30)位于腔室(10)内部的下部。底座(30)构成为支承被搬入腔室(10)内部的被处理基板(S)，通过供电线(61)与偏置用的高频电源(62)电连接，将等离子体中的离子引入基板(S)。偏置用的高频电源(62)可以对底座(30)施加6MHz的高频电力。偏置用的高频电源(62)与底座(30)之间可以配置匹配器(63)。匹配器(63)通过供电线(61)可以在偏置用高频电源(62)与底座(30)之间进行阻抗匹配。底座(30)内，为了控制处理中的被处理基板(S)的温度，可以设置有加热器及/或制冷剂流路等的温度控制机构。底座(30)可以由底座支承部件(20)支承，底座支承部件(20)在维持腔室(10)的气密状态下贯通腔室(10)的下部面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于产生等离子体的天线结构体，所述用于产生等离子体的天线结构体被施加高频电力并在处理室内生成等离子体，其特征在于，包含以形成至少一个角部的方式弯曲地形成的天线导线，所述天线导线以形成所述角部的部分相对于其他部分位于外侧的方式形成。

【技术特征摘要】
2016.10.05 KR 10-2016-01285361.一种用于产生等离子体的天线结构体，所述用于产生等离子体的天线结构体被施加高频电力并在处理室内生成等离子体，其特征在于，包含以形成至少一个角部的方式弯曲地形成的天线导线，所述天线导线以形成所述角部的部分相对于其他部分位于外侧的方式形成。2.根据权利要求1所述的用于产生等离子体的天线结构体，其特征在于，所述天线导线的所述角部为了不与被收容在所述处理室内的被处理基板重叠，位于所述被处理基板的角部的外侧。3.根据权利要求2所述的用于产生等离子体的天线结构体，其特征在于，在所述天线导线中除了所述角部的所述其他部分与所述被处理基板重叠。4.根据权利要求1所述的用于产生等离子体的天线结构体，其特征在于，所述天线导线包含形成第一角部的第一天线导线及形成第二角部的第二天线导线，所述第一角部和所述第二角部位于所述用于产生等离子体的天线结构体的最外廓，所述第一天线导线的一部分可以位于所述第二天线导线的内侧。5.根据权利要求4所述的用于产生等离子体的天线结构体，其特征在于，所述第一天线导线包含所述第一角部、与所述第一角部形成台阶的第一外侧边部及与所述第一外侧边部形成台阶的第一内侧边部，所述第二天线导线包含所述第二角部、与所述第二角部形成台阶的第二外侧边部及与所述第二外侧边部形成台阶的第二内侧边部，所述第一内侧边部位于所述第二外侧边部的内侧。6.根据权利要求5所述的用于产生等离子体的天线结构体，其特征在于，所述第一外侧边部中的一部分与所述第二外侧边部中的一部分位于同一直线上。7.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含收容被处理基板的处理室；与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置的天线结构体；及在所述天线结构体和所述处理室之间配置的窗，所述天线结构体包含以形成至少一个角部的方式弯曲地...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宇钟，崔正秀，
申请(专利权)人：INVENIA有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR