基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器。本发明专利技术基于QMSIW结构，通过在其中加载脊波导，使滤波器产生了类似于矩形腔的谐振特性，在脊波导下嵌入开路带状线，激发了滤波器的高次模即TE201模，产生了双频段响应，加载在带状线的两条短截线用来改善了第二频段的性能。本发明专利技术首次在QMSIW结构中实现了双频段滤波器，为研究基于SIW结构的双频段滤波器提供了新思路。

【技术实现步骤摘要】
基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器
本专利技术属于无线通信
，涉及基于脊形四分之一模基片集成波导(RQMSIW)结构，具有双模双频段的超紧凑射频带通滤波器。
技术介绍
随着无线通信技术的飞速发展，多频段滤波器成为多业务无线通信系统的重要组成部分。而具有低插入损耗，紧凑尺寸，良好的通带选择性的双频段或多频段BPF是迫切需要的。在过去十年中，新兴的基板集成波导(SIW)技术，由于低成本，低轮廓，相对高Q，高功率处理能力和高密度集成的优点，成为无线收发器系统的有前景的候选者。SIW技术的少数缺点之一与SIW组件的占有空间有关，特别是对于在低频工作的SIW组件，这通常大于微带线对应组件的占用空间，事实上，SIW结构的宽度取决于工作频率。为了提高SIW的紧凑性，已经提出了几种改进的SIW拓扑，例如半模SIW(HMSIW)，四分之一模SIW(QMSIW)，折叠SIW(FSIW)和脊波导SIW(RSIW)。HMSIW、QMSIW和FSIW使得SIW宽度分别减小50％、75％和50％。而脊波导被用来加载到相应的SIW结构中，以进一步减小SIW宽度，加载在QMSIW结构上可以使SIW的宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于包括两个RQMSIW谐振腔，输入输出馈线，嵌入的开路带状线以及两条四分之一波长短截线；具体从上至下依次包括上介质板、粘接层、下介质板；所述的上介质板包括上介质板本体和第一层金属面，上介质板本体的边长大于第一层金属面的边长；在上介质板本体上表面的中央部分面积铺设第一层金属面，未铺设第一层金属面的面积部分用来加载输入输出馈线；所述的上介质板开有中心对称的第一金属通孔组，该中心为整个滤波器电场最强点；其中第一金属通孔组包括两组互相垂直且相同个数的金属通孔阵列；所述的上介质板设有两组中心对称的第二金属通孔组，该中心为整个滤波器电场最强点；其中第二金属...

【技术特征摘要】
1.基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于包括两个RQMSIW谐振腔，输入输出馈线，嵌入的开路带状线以及两条四分之一波长短截线；具体从上至下依次包括上介质板、粘接层、下介质板；所述的上介质板包括上介质板本体和第一层金属面，上介质板本体的边长大于第一层金属面的边长；在上介质板本体上表面的中央部分面积铺设第一层金属面，未铺设第一层金属面的面积部分用来加载输入输出馈线；所述的上介质板开有中心对称的第一金属通孔组，该中心为整个滤波器电场最强点；其中第一金属通孔组包括两组互相垂直且相同个数的金属通孔阵列；所述的上介质板设有两组中心对称的第二金属通孔组，该中心为整个滤波器电场最强点；其中第二金属通孔组包括若干周期性分布的第二金属通孔，两组第二金属通孔组的中心所在的直线位于整个器件电场最强处；上介质板本体的下表面仅在两组第二金属通孔组所对应的位置敷设第二层金属层；所述的下介质板包括下介质板本体和第三层金属层；下介质板本体上表面部分铺设第三层金属层，第三层金属层包括一条开路带状线A和加载在两边的四分之一波长短截线B1、B2；其中开路带状线A的两端分别位于两个脊波导的正下方；所述的下介质板本体下表面全部铺设第四层金属面；第一金属通孔贯穿上介质板本体、粘接层、下介质板本体；第二金属通孔贯穿上介质板本体；一组轴对称的金属通孔阵列、第一层金属面、第四层金属面构成一个QMSIW谐振腔，故整个滤波器设有两个QMSIW谐振腔，上述对称轴位于整个滤波器电场最强处；两组第二金属通孔组、第二层金属层构成两个脊波导结构；由上述两个脊波导分别加载在各自的QMSIW谐振腔上，从而形成两个RQMSIW谐...

【专利技术属性】
技术研发人员：游彬，杨增，罗国清，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33