一种基于D/M/D电极的OLED器件的出光率的计算方法技术

本发明专利技术提供一种基于D/M/D电极的OLED器件出光率的计算方法，其具体过程为：将OLED器件的发光层定义为第一层、空穴传输层定义为第二层，并依此类推，第M‑3层为内电介质层，M‑2层为金属层，第M‑1层为外电介质层，最后一层即第M层为空气层；计算OLED器件的每个相邻层界面的透过率Tm，m＝1,2,…,M，M为总的层数；将所述透过率Tm带入出射光的光通量式中，计算出射光的光通量ΦM；由入射光的光通量和出射光的光通量之比得出OLED器件出光率ηc。此方法能够可以直接计算出基于D/M/D电极的OLED器件出光率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于D/M/D电极的OLED器件的出光率的计算方法
本专利技术属于有机发光二极管
，具体涉及一种有机发光二极管器件出光率的计算方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)视角广、体积小、功率低、反应速度快，甚至透明度和颜色调试能力方面有着独特的特性，具备了终极显示器应具备的所有特质，是下一代低成本、高效率、高质量的适用与普通照明和显示器材的发光器件的最佳选择。然而，由于OLED的层状结构，发光层中产生的光的传播受到限制，使得器件外量子效率只有20％～30％。因此，研究提出很多提高OLED出光率的方法。一种是修饰衬底的方法：粗糙化玻璃衬底、覆盖散射层和涂布微球粒等，可以不同程度的提高器件的出光率。这些方法以散射原理为基础，将发光层发出的光以最大的概率发射到空气中，存在概率性和不确定性，使得器件一致性差。另一种是替换ITO技术的方法：以“电介质/金属/电介质”(Dielectric/Metal/Dielectric，D/M/D)复合薄膜替代传统OLED的ITO电极。研究指出，基于D/M/D电极的OLED出光率有明显的提高，以WO3/Ag/WO3、IZO/Ag/IZO为电极的OL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于D/M/D电极的OLED器件出光率的计算方法，其特征在于，其具体过程为：将OLED器件的发光层定义为第一层、空穴传输层定义为第二层，并依此类推，第M‑3层为内电介质层，M‑2层为金属层，第M‑1层为外电介质层，最后一层即第M层为空气层；计算OLED器件的每个相邻层界面的透过率Tm，m＝1，2，...，M，M为总的层数；将所述透过率Tm带入出射光的光通量式中，计算出射光的光通量ΦM；由入射光的光通量和出射光的光通量之比得出OLED器件出光率ηc。

【技术特征摘要】
1.一种基于D/M/D电极的OLED器件出光率的计算方法，其特征在于，其具体过程为：将OLED器件的发光层定义为第一层、空穴传输层定义为第二层，并依此类推，第M-3层为内电介质层，M-2层为金属层，第M-1层为外电介质层，最后一层即第M层为空气层；计算OLED器件的每个相邻层界面的透过率Tm，m＝1，2，...，M，M为总的层数；将所述透过率Tm带入出射光的光通量式中，计算出射光的光通量ΦM；由入射光的光通量和出射光的光通量之比得出OLED器件出光率ηc。2.根据权利要求1所述一种基于D/M/D电极的OLED器件出光率的计算方法，其特征在于，所述光通量式如下：其中，I1为OLED器件发光层中的发光点S的光强，NM表示第M层薄膜的复折射率，N1表示第1层薄膜的复折射率，θM为光在第M层薄膜中的入射角度，ΩM为光在第M层薄膜中的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐义，塔格塔，
申请(专利权)人：唐义，
类型：发明
国别省市：北京,11