一种阵列基板及液晶显示面板制造技术

本申请涉及一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括玻璃基板，以及设置于所述玻璃基板之上的薄膜晶体管阵列，所述阵列基板还包括一配向电极层，包括至少两个平行共面设置的配向电极；一像素电极层，包括至少两个平行共面设置的像素电极；一公共电极层。本申请通过将HVA制程中的电极作为配向电极代替传统的IPS结构中的摩擦配向，减小了IPS制程中的摩擦痕，实现了较低操作电压达到较高的穿透率的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及液晶显示面板
本申请涉及液晶显示
，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
技术介绍
垂直配向(VerticalAlignment，以下简称VA)型液晶显示器，也叫垂直电场型液晶显示器，相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，且无需使用摩擦(Rubbing)配向，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。而高垂直排列(HighVerticalAlignment，以下简称HVA)模式是VA模式中一个重要的分支。HVA型液晶显示面板工作时是由阵列基板侧的像素电极和彩膜基板侧的公共电极形成的垂直电场来控制液晶层的液晶分子的旋转。在水平电场型的液晶显示器中，施加在并排地放置在下基板上的像素电极与公共电极之间的水平电场驱动所谓的面内切换(In-PlaneSwitching，以下简称IPS)模式显示器的液晶。该水平电场型显示器由于平坦的基板上的液晶指向矢(director)的转动而具有宽视角的优点，但是它不利地表现在较差的透过率和较慢的响应时间。此外，在IPS结构中，液晶配向使用的是传统摩擦配向制程，会对液晶分子造成摩擦痕(rubbingmura)。大尺寸化的液晶分子较难本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括玻璃基板，以及设置于所述玻璃基板之上的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述阵列基板进一步包括：一配向电极层，设置于所述玻璃基板之上，所述配向电极层包括至少两个配向电极，所述配向电极相互平行共面设置，之间具有第一狭缝，用于相邻两配向电极之间在施加电压时产生第一水平电场；一像素电极层，设于所述玻璃基板与所述配向电极层之间，所述像素电极层包含至少两个像素电极，所述配向电极相互平行共面设置，之间具有第二狭缝，用于相邻两像素电极之间在施加电压时产生第二水平电场；一公共电极层，设置于所述像素电极层与所述玻璃基板之间，用于提供同层各电极之间的电压差。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括玻璃基板，以及设置于所述玻璃基板之上的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述阵列基板进一步包括：一配向电极层，设置于所述玻璃基板之上，所述配向电极层包括至少两个配向电极，所述配向电极相互平行共面设置，之间具有第一狭缝，用于相邻两配向电极之间在施加电压时产生第一水平电场；一像素电极层，设于所述玻璃基板与所述配向电极层之间，所述像素电极层包含至少两个像素电极，所述配向电极相互平行共面设置，之间具有第二狭缝，用于相邻两像素电极之间在施加电压时产生第二水平电场；一公共电极层，设置于所述像素电极层与所述玻璃基板之间，用于提供同层各电极之间的电压差。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层的像素电极与所述配向电极层的配向电极呈交叉设置。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，以像素电极为基准，所述配向电极与像素电极在阵列基板表面投影的同侧夹角为45°至135°。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述配向电极层与所述像素电极层之间还设有第一绝缘层；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊吉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44