一种匹莫齐特分子印迹电化学传感器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种匹莫齐特分子印迹电化学传感器的制备方法，以匹莫齐特为模板分子、异去氧苦地胆素为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米粘土为掺杂剂，以远志糖苷C作为交联剂，据此制备了高灵敏度的纳米粘土掺杂的匹莫齐特分子印迹电化学传感器，该分析方法简单实用，克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。

【技术实现步骤摘要】
一种匹莫齐特分子印迹电化学传感器的制备方法
本专利技术涉及分子印迹电化学传感器，尤其是一种匹莫齐特分子印迹电化学传感器的制备方法。
技术介绍
匹莫齐特(Pimozide)，又名匹莫奇特。匹莫齐特一种抗精神病药，作用较弱但作用时间长，每天仅须口服1次。对躁狂、幻觉、妄想、淡漠和退缩等有较好的效果，对慢性退缩性患者尤为适合。本品还有某种程度的钙拮抗作用。适用于治疗急、慢性精神分裂症、妄想狂样状态、单症状疑病等精神病药。但长期或过量使用此类药物会造成口干、无力、失眠及肝、肾功能损害。测定匹莫齐特的方法有色谱-质谱联用法、高效液相色谱梯度洗脱法等。然而这些方法由于需要昂贵的仪器设备，存在成本高、耗时长、灵敏度不高等缺点。因此，研究一种高灵度的、简便的匹莫齐特测定方法具有非常重要的意义。分子印迹技术是以待测目标分子为模板分子，将具有结构上互补的功能性单体通过共价或非共价键与模板分子结合形成单体模板分子复合物，再加入交联剂使之与单体进行聚合反应形成模板分子聚合物，反应完成后通过物理或化学方法去除模板分子，得到分子印迹聚合物，在聚合物中形成与原印迹分子空间结构互补并且具有多重识别位点的空穴。目前的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种匹莫齐特分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于以0.02 mmol/mL～0.10 mmol/mL的匹莫齐特为模板分子、0.20 mmol/mL～0.80 mmol/mL的异去氧苦地胆素为功能单体、0.018 mmol/mL的偶氮二异丁腈为引发剂、以0.6 mmol/mL的远志糖苷C为交联剂、0.0010 g/mL～0.0080 g/mL的纳米粘土为掺杂剂，在玻碳电极表面上形成一种杂化纳米粘土匹莫齐特分子印迹聚合物薄膜，然后采用洗脱剂乙酸和正庚醇混合溶剂洗脱模板分子即得；具体按以下操作进行：<1>向10.0 mL溶剂乙醇中，依次加入0.20 mmol～1.0 mmol模板分...

【技术特征摘要】
1.一种匹莫齐特分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于以0.02mmol/mL～0.10mmol/mL的匹莫齐特为模板分子、0.20mmol/mL～0.80mmol/mL的异去氧苦地胆素为功能单体、0.018mmol/mL的偶氮二异丁腈为引发剂、以0.6mmol/mL的远志糖苷C为交联剂、0.0010g/mL～0.0080g/mL的纳米粘土为掺杂剂，在玻碳电极表面上形成一种杂化纳米粘土匹莫齐特分子印迹聚合物薄膜，然后采用洗脱剂乙酸和正庚醇混合溶剂洗脱模板分子即得；具体按以下操作进行：&lt;1&gt;向10.0mL溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩，余会成，雷福厚，谭学才，韦贻春，陈其锋，
申请(专利权)人：广西民族大学，
类型：发明
国别省市：广西,45