一种经颅电磁同步刺激系统技术方案

本发明专利技术涉及一种经颅电磁同步刺激系统。该系统，包括硬件控制单元、经颅磁刺激单元和经颅直流电刺激单元。硬件控制单元通过总线控制模式分别控制经颅磁刺激单元和经颅直流电刺激单元。本发明专利技术的经颅电磁同步刺激系统，通过硬件控制单元分别控制经颅磁刺激单元和经颅直流电刺激单元，实现了tDCS和rTMS的同步实施，直流电刺激持续性针对某些区域以提高或降低兴奋性，同时叠加rTMS的脉冲磁场调节兴奋性，进一步放大调节效应，达到强化或弱化脑网络功能性连接的目的，从而改善神经功能。

A transcranial electromagnetic synchronous stimulation system

The invention relates to a transcranial electromagnetic synchronous stimulation system. The system includes hardware control unit, transcranial magnetic stimulation unit and transcranial direct current stimulation unit. The hardware control unit controls the transcranial magnetic stimulation unit and transcranial direct current stimulation unit respectively through the bus control mode. The transcranial electromagnetic synchronous stimulation system, which controls the transcranial magnetic stimulation unit and the transcranial direct current electrical stimulation unit through the hardware control unit, realizes the synchronous implementation of the tDCS and the rTMS. The DC electrical stimulation continues to improve or reduce the excitability for some areas, while adding the pulse magnetic field of the rTMS to adjust the excitement. One step is to amplify the regulation effect so as to enhance or weaken the functional connectivity of the brain network, thereby improving the neurological function.

【技术实现步骤摘要】
一种经颅电磁同步刺激系统
本专利技术涉及医学
，尤其涉及一种经颅电磁同步刺激系统。
技术介绍
TMS(TranscranialMagneticStimulation，经颅磁刺激)是一种利用脉冲磁场作用于中枢神经系统(主要是大脑)，改变皮层神经细胞的膜电位，使之产生感应电流，影响脑内代谢和神经电活动，从而引起一系列生理生化反应的磁刺激技术。TMS装置包括电容器和感应器(产生时变磁场的线圈)两个主要部分。其主要原理是法拉第电磁感应理论，电容器储存大量的电荷，在极短时间内放电，脉冲式的电流通过感应器的感应线圈时会产生磁场，磁场能无衰减地穿过头皮、颅骨和脑脊液等组织，在神经组织中产生反向的感应电流(如图1所示)。感应电流使大脑皮层神经细胞产生去极化或超级化，从而改变神经细胞的兴奋性，当达到动作电位阈值时可产生动作电位，并进一步引起电生理和功能的变化，其最终既可引起短暂性脑功能的兴奋或抑制，也可以产生长时程皮层可塑性的改变。重复经颅磁刺激(rTMS，repetitiveTranscranialMagneticStimulation)，是指成串的磁刺激，按照一定的频率和强度，作用于大脑皮层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经颅电磁同步刺激系统，其特征在于，所述系统，包括：硬件控制单元、经颅磁刺激单元和经颅直流电刺激单元；所述硬件控制单元通过总线控制模式分别控制所述经颅磁刺激单元和所述经颅直流电刺激单元。

【技术特征摘要】
1.一种经颅电磁同步刺激系统，其特征在于，所述系统，包括：硬件控制单元、经颅磁刺激单元和经颅直流电刺激单元；所述硬件控制单元通过总线控制模式分别控制所述经颅磁刺激单元和所述经颅直流电刺激单元。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述经颅磁刺激单元，包括：阵列经颅磁刺激线圈、n通道高频高压经颅磁刺激电源及充放电控制子单元。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述阵列经颅磁刺激线圈由n个小线圈组成，且n个小线圈覆盖人体脑皮层，其中，每个小线圈的电流方向和强度均可单独变化；所述充放电控制子单元用于控制所述n通道高频高压经颅磁刺激电源对所述阵列经颅磁刺激线圈进行充放电，以进行最小距离为5cm，刺激深度为2-3cm的两点聚焦刺激；所述n通道高频高压经颅磁刺激电源为逆变高频变压器。4.根据权利要求2或3所述的系统，其特征在于，所述n为2或者，所述n为8。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述经颅直流电刺激单元，包括：m通道经颅直流电刺激器和上位微机；所述m通道经颅直流电刺激器包括1个主机和m/2个分机；所述主机通过总线与各分机连接；每个分机均包括分机微处理器和2组独立的通道；所述主机包括主机微处理器，所述主机微处理器通过与所述上位微机进...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉平，
申请(专利权)人：首都医科大学宣武医院，
类型：发明
国别省市：北京,11