自定向计量和图案分类制造技术

本发明专利技术提供用于确定将对样本执行的过程的参数的方法及系统。一种系统包含经配置用于确定在样本上检测到的缺陷的区域的一或多个计算机子系统。所述计算机子系统还经配置用于将所述缺陷的所述区域与所述样本的设计的信息相互关联且基于所述相互关联的结果确定所述缺陷的所述区域与所述设计的所述信息之间的空间关系。另外，所述计算机子系统经配置用于基于所述空间关系自动产生待在针对所述样本执行的过程期间使用测量子系统测量的所关注区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自定向计量和图案分类
本专利技术大体上涉及用于准确特性化包含(但不限于)局部临界尺寸(CD)改变、线或空间宽度改变及曲率的图案形态学的自动化图案计量位点放置及优化。某些实施例涉及用于确定将对样本执行的计量过程的一或多个参数的方法及系统。
技术介绍
下列描述及实例不凭借其包含于此章节中而被视为现有技术。在半导体制造过程期间的各个步骤使用检验过程以检测晶片上的缺陷以驱动制造过程中的更高良率及因此更高利润。检验始终是制造半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于成功制造可接受半导体装置变得更加重要，这些因为更小缺陷可导致装置故障。缺陷复检通常涉及再检测由检验过程检测为缺陷的缺陷且使用高放大率光学系统或扫描式电子显微镜(SEM)以按更高分辨率产生关于缺陷的额外信息。因此，在晶片上的离散位置(其中已由检验检测缺陷)处执行缺陷复检。由缺陷复检产生的缺陷的更高分辨率数据更适用于确定缺陷的属性(例如轮廓、粗糙度、更准确大小信息等)。由于针对由检验在晶片上检测的缺陷执行缺陷复检，所以可基于由检验过程确定的缺陷属性确定用于经检测缺陷的位置处的缺陷复检的参数。然而，用于经检测缺陷的位置处的缺陷复检的输出获取参数(例如，光学、电子束等参数)通常不基于关于缺陷位置中或附近的设计的部分的信息加以确定，这些因为此信息通常与在缺陷复检期间针对所检测缺陷执行的输出获取功能无关。在半导体制造过程期间的各种步骤中也使用计量过程来监测且控制工艺。计量过程与检验过程不同之处在于，不同于其中在晶片上检测缺陷的检验过程，计量过程用于测量无法使用当前所使用的检验工具确定的晶片的一或多个特性。举例来说，计量过程用于测量晶片的一或多个特性(例如在工艺期间形成于所述晶片上的特征的尺寸(例如，线宽、厚度等))，使得可从所述一或多个特性确定工艺的性能。另外，如果晶片的一或多个特性是不可接受的(例如，在所述特性的预定范围之外)，那么可使用所述晶片的一或多个特性的测量以更改工艺的一或多个参数，使得由所述工艺制造的额外晶片具有可接受特性。计量过程与缺陷复检过程不同之处也在于，不同于其中在缺陷复检中再访问由检验检测的缺陷的缺陷复检过程，计量过程可在未检测到缺陷的位置处执行。换句话来说，不同于缺陷复检，在晶片上执行计量过程的位置可独立于对晶片执行的检验过程的结果。特定来说，可独立于检验结果选择执行计量过程的位置。另外，由于可独立于检验结果选择在晶片上执行计量的位置，所以不同于在晶片的检验结果产生且可用于使用之前无法确定晶片上待执行缺陷复检的位置的缺陷复检，可在已对晶片执行检验过程之前确定执行计量过程的位置。用于实施计量过程的当前方法具有数个缺点。举例来说，使用SEM的图案计量(包含(例如)临界尺寸(CD)及重叠测量)的常规配方设置需要待测量位置的先验知识。另外，常规配方设置过程通常包含设计的使用。此外，如果发现用户希望测量一次或持续测量的新所关注图案(POI)，那么需要更新计量工具配方。因此，开发不具有上述缺点的一或多者的用于确定将对样本执行的计量过程的一或多个参数的系统及方法将为有利的。
技术实现思路
各种实施例的下列描述不应以任何方式解释为限制所附权利要求书的标的物。一个实施例涉及一种经配置以确定将对样本执行的过程的一或多个参数的系统。所述系统包含测量子系统，所述测量子系统包含至少一能量源及检测器。所述能量源经配置以产生经引导到样本的能量。所述检测器经配置以检测来自所述样本的能量且响应于所述经检测的能量产生输出。所述系统也包含一或多个计算机子系统，其经配置用于：确定所述样本上检测到的缺陷的区域；使所述缺陷的所述区域与所述样本的设计的信息关联；基于所述关联的结果确定所述缺陷的所述区域与所述设计的所述信息之间的空间关系；及基于所述空间关系自动产生待在针对所述样本执行的过程期间使用所述测量子系统测量的所关注区(ROI)。可如本文中描述那样进一步配置所述系统。另一实施例涉及一种用于确定将对样本执行的过程的一或多个参数的计算机实施方法。所述方法包含上文描述的确定区域、关联、确定空间关系及自动产生ROI的步骤。所述方法的所述步骤由一或多个计算机系统执行。可如本文中进一步描述那样进一步执行上文描述的所述方法的所述步骤中的每一者。另外，上文描述的所述方法的所述实施例可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外，可由本文中描述的所述系统的任一者执行上文描述的所述方法。另一实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在计算机系统上实行以执行用于确定将对样本执行的过程的一或多个参数的计算机实施方法的程序指令。所述计算机实施方法包含上文描述的所述方法的所述步骤。所述计算机可读媒体可如本文中描述那样进一步配置。可如本文中进一步描述那样执行所述计算机实施方法的所述步骤。另外，所述计算机实施方法(可针对其执行所述程序指令)可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步骤。附图说明所属领域的技术人员在获益于优选实施例的以下详细描述的情况下且在参考所附图式之后将变得明白本专利技术的另外优点，其中：图1及2是说明如本文中描述那样配置的系统的实施例的侧视图的示意图；图3是说明本文使用的各种术语(包含测量位点、视场及所关注区)之间的关系的一个实施例的平面视图的示意图；图4是说明晶片的设计的部分在其出现于设计空间中时的一个实例的平面视图的示意图；图5是说明图4中展示的设计的部分在其可印刷于晶片上时的一个实例的平面视图的示意图；图6是说明在图5中展示的设计的部分内具有潜在所关注区的所述设计的部分的一个实施例的平面视图的示意图；图7到8是说明用于将设计空间中的晶片的设计的一部分与晶片空间中的晶片的设计的部分对准的当前使用方法的结果的不同实例的平面视图的示意图；图9是说明用于将设计空间中的晶片的设计的一部分与晶片空间中的晶片的设计的部分对准的实施例的结果的一个实例的平面视图的示意图；图10到12是说明设计及晶片空间中的晶片的设计的一部分的平面视图及其如何可由本文中描述的实施例对准的示意图；图13是说明晶片空间中的晶片的设计的一部分的平面视图及可如何由本文中描述的实施例确定可跨其执行测量的尺寸的示意图；图14是说明存储用于引起计算机系统执行本文中描述的计算机实施方法的程序指令的非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图；图15到17是说明样本的设计的信息、样本上检测到的缺陷的区域及使用设计的信息及缺陷的区域由本文中描述的实施例执行的各种步骤的结果的各种实施例的平面视图的示意图；及图18是说明针对样本的设计中的仅一个热点确定的一个以上额外所关注区的一个实施例的平面视图的示意图。虽然本专利技术易受各种修改及替代形式影响，但其特定实施例在图式中通过实例展示且将在本文中详细描述。图式可不按比例绘制。然而，应理解，图式及其实施方式并不旨在将本专利技术限于所揭示的特定形式，而相反地，希望涵盖落于如由所附权利要求书所界定的本专利技术的精神及范围内的所有修改、等效物及替代方案。具体实施方式如本文中使用的术语“设计”及“设计数据”通常是指IC的物理设计(布局)及通过复杂模拟或简单几何及布尔运算从物理设计导出的数据。物理设计可存储于数据结构中，例如图形数据串流(GDS)文件、任何其它标准机器可读文件、所属领域中已知的任何本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经配置以确定将对样本执行的过程的一或多个参数的系统，其包括：测量子系统，其包括至少一能量源及检测器，其中所述能量源经配置以产生引导到样本的能量，且其中所述检测器经配置以检测来自所述样本的能量且响应于所述检测到的能量而产生输出；及一或多个计算机子系统，其经配置用于：确定在所述样本上检测到的缺陷的区域；将所述缺陷的所述区域与所述样本的设计的信息相互关联；基于所述相互关联的结果确定所述缺陷的所述区域与所述设计的所述信息之间的空间关系；及基于所述空间关系自动产生待在针对所述样本执行的过程期间使用所述测量子系统测量的所关注区。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.28 US 62/211,375;2016.08.25 US 15/247,7741.一种经配置以确定将对样本执行的过程的一或多个参数的系统，其包括：测量子系统，其包括至少一能量源及检测器，其中所述能量源经配置以产生引导到样本的能量，且其中所述检测器经配置以检测来自所述样本的能量且响应于所述检测到的能量而产生输出；及一或多个计算机子系统，其经配置用于：确定在所述样本上检测到的缺陷的区域；将所述缺陷的所述区域与所述样本的设计的信息相互关联；基于所述相互关联的结果确定所述缺陷的所述区域与所述设计的所述信息之间的空间关系；及基于所述空间关系自动产生待在针对所述样本执行的过程期间使用所述测量子系统测量的所关注区。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述缺陷的所述区域通过在所述缺陷的图像中围绕所述缺陷绘制的定界框界定。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述缺陷的所述区域由在所述缺陷的基于电子束的图像中围绕所述缺陷绘制的自由形式区域界定。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括所述设计的一个以上层的信息。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息不包含不会印刷于所述样本上的所述设计的特征的信息。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括所述设计中的图案化特征的信息，且其中所述相互关联包括将所述缺陷的所述区域与所述设计中的所述图案化特征重叠。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括由所述一或多个计算机子系统基于所述设计而非所述缺陷确定的所述设计中的额外所关注区的信息。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括由所述一或多个计算机子系统凭借基于所述设计而非所述缺陷执行的图案匹配来确定的所述设计中的额外所关注区的信息。9.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括由所述一或多个计算机子系统凭借基于所述设计而非所述缺陷执行的几何匹配来确定的所述设计中的额外所关注区的信息。10.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括由所述一或多个计算机子系统基于所述设计而非所述缺陷的单元信息来确定的所述设计中的额外所关注区的信息。11.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括由所述一或多个计算机子系统基于所述设计而非所述缺陷的图形表示的图像处理来确定的所述设计中的额外所关注区的信息。12.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括基于所述设计而非所述缺陷的热点信息确定的所述设计中的额外所关注区的信息。13.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括基于所述设计而非所述缺陷中的热点的信息来确定的所述设计中的额外所关注区的信息，且其中仅针对所述热点中的一者确定一个以上所述额外所关注区。14.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括基于所述设计而非所述缺陷确定的所述设计中的额外所关注区的信息，其中所述确定所述空间关系包括确定哪些所述额外所关注区与所述缺陷的所述区域在空间上重叠，且其中所述自动产生包括选择与所述缺陷的所述区域在空间上重叠的所述额外所关注区中的一者作为待针对所述缺陷测量的所述所关注区。15.根据权利要求1所述的系统，其中所述自动产生包括基于所述缺陷的所述区域与所述设计的所述信息之间的所述空间关系更改所述缺陷的所述区域及将所述缺陷的所述经更改区域指定为所述所关注区。16.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括所述设计中的图案化特征的信息，且其中所述自动产生包括基于所述缺陷的所述区域及邻近于所述缺陷的所述区域的所述图案化特征确定所述所关注区的区域。17.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述信息包括所述设计中的图案化特征的信息，且其中所述自动产生包括基于所述缺陷的所述区域或所述缺陷附近的所述图案化特征中的一或多者这两者中的最小者而确定所述所关注区的区域。18.根据权利要求1所述的系统，其中所述缺陷的所述区域由在所述缺陷的基于电子束的图像中围绕所述缺陷绘制的自由形式区域界定，其中所述设计的所述信息包括基于所述设计而非所述缺陷确定的所述设计中的额外所关注区的信息，其中所述确定所述空间关系包括确...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·帕克，A·古普塔，J·劳贝尔，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US