一种L波段的多通道TR组件制造技术

技术编号:17744688 阅读:65 留言:0更新日期:2018-04-18 18:20
本实用新型专利技术涉及一种L波段的多通道TR组件,解决的是稳定性差的技术问题,通过采用TR组件支路包括依次串联的移相器、衰减器、收发开关以及与收发开关连接的接收通路与发射通路,发射通路与接收通路通过环形器汇接后与天线单元连接;移相器与衰减器还连有控制电路,控制电路连有电源电路;发射通路包括串联的预驱动放大器、温补衰减器、驱动放大器、第二功分器,与第二功分器连接的高功率放大器,高功率放大器数量与第二功分器输出支路数量相等,高功率放大器的输出端连接有功率合成器,功率合成器与环形器的输入端连接;接收通路包括串联的2个低噪放以及限幅器的技术方案,较好的解决了该问题,可用于L波段射频应用中。

A multichannel TR component in L band

Multi channel TR component of the utility model relates to a L band, and solves the technical problem that the poor stability, through the use of TR components including branch series phase shifter, attenuator, transceiver and transceiver switch and switch the receiving path connected with the transmission channel, transmission channel and receiving pathway connected by tandem and circulator antenna unit; phase shifter and attenuator is connected with the control circuit, the control circuit is connected with a power supply circuit; a transmission channel comprises a series of pre amplifier, temperature compensated attenuator, second drive amplifier, power divider, high power amplifier is connected with second power divider, high power amplifier and the number second power divider output branch number equal, high power output end of the amplifier is connected with a power combiner, power combiner and circulator is connected with the input terminal; receiving path includes a series of 2 It can be used in L band radio frequency applications.

【技术实现步骤摘要】
一种L波段的多通道TR组件
本技术涉及射频器件领域,具体涉及一种L波段的多通道TR组件。
技术介绍
近年来,随着有源相控阵的发展向薄型化、轻量化、高频化、多功能化潮流发展,对系统集成的要求越来越迫切,共形相控阵的需求要求TR组件也必须进行超薄型方向发展。传统的TR组件一般基于多层基板技术进行研制,多层基板技术主要为厚膜工艺,线宽为mm量级,若进行更高精度的要求,则必然带来成品率的大幅下降,成本急剧升高。同时加工精度的限制也一定程度影响了组件的体积,现有的多通道TR组件采用串联的预放大级、驱动放大级以及输出放大级,将输出放大级的输入功率输入前进行预防大,进而提高L波段高功率放大器的放大倍数。但是,该方案的稳定性较差,前后级的放大因为没有反馈而容易造成输出放大级的输入功率过大,破坏放大器。因此,提供一种稳定性高、放大倍数准确度高、可靠性高的L波段高功率放大器就很有必要。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是现有技术中存在的稳定性差的技术问题。提供一种新的L波段的多通道TR组件,该L波段的多通道TR组件具有稳定性好、放大倍数优良、能够实时显示通路情况的特点。为解决上述技术问题,采用的技术方案如下:一种L波段的多通道TR组件,所述多通道TR组件包括n等分功分器,与n等分功分器n条输出支路连接的n条TR组件支路,一条TR组件支路与一个天线单元对应连接;所述TR组件支路包括依次串联的移相器、衰减器、收发开关,以及与收发开关连接的接收通路与发射通路,发射通路与接收通路通过环形器汇接后与天线单元连接;所述移相器与衰减器还连接有控制电路,控制电路连接有电源电路;所述发射通路包括依次串联的预驱动放大器、温补衰减器、驱动放大器、第二功分器以及与第二功分器连接的高功率放大器,高功率放大器数量与第二功分器输出支路数量相等,高功率放大器的输出端连接有功率合成器,功率合成器与环形器的输入端连接;所述接收通路包括依次串联的2个低噪放以及限幅器,限幅器的输出端与环形器另一个输入端连接;其中,n为不小于2的正整数。本技术的工作原理:本技术在高功率放大器处采用并联的多个高功率放大器进行拆分放大,降低了放大器的增益需求度,减小成本。由于高功率会带来温度升高,因此,设置温度补偿单元进行温度补偿,进而消除因温度变化带来的温漂,提高L波段高功率放大器的放大精度,提高了稳定性。上述方案中,为优化,进一步地,所述收发开关包括串联的输入端与滤波电容,滤波电容的后端并联有电压单元、第一支路及第二支路;第二支路通过电容C2连接有第二端口,电容C2前端连接有与电压单元,第一支路通过电容C3连接有第一端口,电容C3前端连接有电压单元,电压单元与所述控制电路连接;所述第一支路包括串联的二极管正向组合与二极管反向组合,二极管正向组合与二极管反向组合之间连接有通路显示模块;所述二极管正向组合包括正向串联的PIN二极管D1、PIN二极管D2,二极管反向组合包括反向串联的PIN二极管D3、PIN二极管D4;所述第二支路包括串联的正向二极管组合与反向二极管组合,正向二极管组合与反向二极管组合之间连接通路显示模块;所述正向二极管组合包括正向串联的PIN二极管D5、PIN二极管D6,反向二极管组合包括反向串联的PIN二极管D7、PIN二极管D8;所述通路显示模块与控制电路连接,包括与第一支路连接的第一输出端,以及与第二支路连接的第二输出端,第一输出端连接有电阻R1,电阻R1处还并联有指示灯GL1;第二输出端连接有电阻R2,电阻R2处还并联有指示灯GL2。进一步地,所述PIN二极管为MA4P7470。进一步地,所述电压单元包括串联的电感L1与电容C4,电容C4接地,电感L1与电容C4的汇接点与控制电路连接。进一步地,所述高功率放大器后端设有耦合器,第二功分器与高功率放大器之间设有可调衰减器,耦合器的耦合端连接到可调衰减器的控制端以及功率检测单元所述耦合器的工作频段包括L波段。进一步地,所述耦合器的耦合度在1:100-1:2范围内可调。进一步地,所述收发开关与衰减器之间还设有阻抗匹配单元。采用相邻对称反向的多个二极管组合设置收发开关,能够提高开关的隔离度。通过在每条支路上设置指示灯进行通断提示,具体的,相应通路导通,则电流流过指示灯,指示灯点亮后提示使用者导通情况,降低了测试难度以及故障排查难度。本技术提供将后级输出耦合小信号完成功率检测,进而对可调衰减器进行控制,控制高功率放大器的射频输入信号大小,完成放大倍数的精确控制。本技术的有益效果:效果一,通过设置多个高功率放大器并联放大后进行功率合成,降低高功率放大器的增益需求;效果二,通过设置耦合器、功率检测单元以及对可调衰减器的控制,完成对多通道TR组件中发射通路放大倍数的确定,精确控制发射功率;效果三,通过设置指示灯对于通路的导通截止状态的实时反馈,嵌入人机交互,能够使得测试以及故障排查时的难度降低。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1,L波段的多通道TR组件示意图。图2,TR组件支路示意图。图3,收发开关示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。实施例1本实施例提供一种L波段的多通道TR组件,如图1,所述多通道TR组件包括n等分功分器,与2等分功分器2条输出支路连接的2条TR组件支路,一条TR组件支路与一个天线单元对应连接;如图2,所述TR组件支路包括依次串联的移相器、衰减器、收发开关,以及与收发开关连接的接收通路与发射通路,发射通路与接收通路通过环形器汇接后与天线单元连接;所述移相器与衰减器还连接有控制电路,控制电路连接有电源电路;如图2,所述发射通路包括依次串联的预驱动放大器、温补衰减器、驱动放大器、第二功分器以及与第二功分器连接的高功率放大器,高功率放大器数量与第二功分器输出支路数量相等,高功率放大器的输出端连接有功率合成器,功率合成器与环形器的输入端连接;所述接收通路包括依次串联的2个低噪放以及限幅器,限幅器的输出端与环形器另一个输入端连接。本实施例的工作流程:在高功率放大器处采用并联的多个高功率放大器进行拆分放大,降低了放大器的增益需求度,减小成本。本技术提供将后级输出耦合小信号完成功率检测,进而对可调衰减器进行控制,控制高功率放大器的射频输入信号大小,完成放大倍数的精确控制。由于高功率会带来温度升高,因此,设置温度补偿单元进行温度补偿,进而消除因温度变化带来的温漂,提高L波段高功率放大器的放大精度,提高了稳定性。具体地,如图3,所述收发开关包括串联的输入端与滤波电容,滤波电容的后端并联有电压单元、第一支路及第二支路;第二支路通过电容C2连接有第二端口,电容C2前端连接有与电压单元,第一支路通过电容C3连接有第一端口,电容C3前端连接有电压单元,电压单元与所述控制电路连接;所述第一支路包括串联的二极管正向组合与二极管反向组合,二极管正向组合与二极管反向组合之间连接有通路显示模块;所述二极管正向组合包括正向串联的PIN二极管D1、PIN二极管D2,二极管反向组合包括反向串联的PIN二极管D3、PIN二本文档来自技高网...
一种L波段的多通道TR组件

【技术保护点】
一种L波段的多通道TR组件,其特征在于:所述多通道TR组件包括n等分功分器,与n等分功分器n条输出支路连接的n条TR组件支路,一条TR组件支路与一个天线单元对应连接;所述TR组件支路包括依次串联的移相器、衰减器、收发开关,以及与收发开关连接的接收通路与发射通路,发射通路与接收通路通过环形器汇接后与天线单元连接;所述移相器与衰减器还连接有控制电路,控制电路连接有电源电路;所述发射通路包括依次串联的预驱动放大器、温补衰减器、驱动放大器、第二功分器以及与第二功分器连接的高功率放大器,高功率放大器数量与第二功分器输出支路数量相等,高功率放大器的输出端连接有功率合成器,功率合成器与环形器的输入端连接;所述接收通路包括依次串联的2个低噪放以及限幅器,限幅器的输出端与环形器另一个输入端连接;其中,n为不小于2的正整数。

【技术特征摘要】
1.一种L波段的多通道TR组件,其特征在于:所述多通道TR组件包括n等分功分器,与n等分功分器n条输出支路连接的n条TR组件支路,一条TR组件支路与一个天线单元对应连接;所述TR组件支路包括依次串联的移相器、衰减器、收发开关,以及与收发开关连接的接收通路与发射通路,发射通路与接收通路通过环形器汇接后与天线单元连接;所述移相器与衰减器还连接有控制电路,控制电路连接有电源电路;所述发射通路包括依次串联的预驱动放大器、温补衰减器、驱动放大器、第二功分器以及与第二功分器连接的高功率放大器,高功率放大器数量与第二功分器输出支路数量相等,高功率放大器的输出端连接有功率合成器,功率合成器与环形器的输入端连接;所述接收通路包括依次串联的2个低噪放以及限幅器,限幅器的输出端与环形器另一个输入端连接;其中,n为不小于2的正整数。2.根据权利要求1所述的L波段的多通道TR组件,其特征在于:所述收发开关包括串联的输入端与滤波电容,滤波电容的后端并联有电压单元、第一支路及第二支路;第二支路通过电容C2连接有第二端口,电容C2前端连接有与电压单元,第一支路通过电容C3连接有第一端口,电容C3前端连接有电压单元,电压单元与所述控制电路连接;所述第一支路包括串联的二极管正向组合与二极管反向组合,二极管正向组合与二极管反向组合之间连接有通路显示模块;所述二极管正向组合包括正向串联的PIN二极管D1、PIN二极管D2,二...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘双军
申请(专利权)人:河北森骏电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:河北,13

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