化学机械抛光(CMP)组合物用于抛光含钴基材的用途制造技术

本发明专利技术涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物(Q)用于化学机械抛光包含(i)钴和/或(ii)钴合金以及(iii)TiN和/或TaN的基材(S)的用途，其中CMP组合物(Q)包含(E)无机粒子，(F)至少一种包含氨基以及酸基(Y)的有机化合物，其中该化合物包含n个氨基以及至少n+1个酸性质子，其中n为≥1的整数。(G)至少一种氧化剂，其量基于相应CMP组合物总重量为0.2至2.5重量％，(H)水性介质，其中CMP组合物(Q)具有大于6且小于9的pH。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学机械抛光(CMP)组合物用于抛光含钴基材的用途本专利技术基本上关于化学机械抛光(CMP)组合物用于抛光包含钴和/或钴合金以及TiN和/或TaN的半导体工业基材的用途，该组合物包含无机粒子、至少一种包含氨基以及酸基(Y)的有机化合物(其中该化合物包含n个氨基以及至少n+1个酸性质子，其中n为≥1的整数)、至少一种氧化剂以及水性介质。本专利技术也关于一种制备半导体装置的方法，其包括在该化学机械抛光(CMP)组合物存在下化学机械抛光基材或层。CMP组合物既显示钴以及TiN和/或TaN的改进材料移除速率(MRR)又显示关于Co的低蚀刻速率。在半导体工业中，化学机械抛光(缩写为CMP)为应用于制造先进的光子、微机电及微电子材料及装置(如，半导体晶圆)中的熟知技术。在制造用于半导体工业中的材料及装置期间，采用CMP以使金属和/或氧化物表面平坦化。CMP利用化学及机械作用的相互作用来达成待抛光表面的平坦度。化学作用由化学组合物(也称作CMP组合物或CMP浆料)来提供。机械作用通常通过抛光垫来进行，典型地将该抛光垫按压至待抛光表面上且将其安装于移动压板上。压板的移动通常为直线的、旋转的或轨道式的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光(CMP)组合物(Q)用于化学机械抛光包含(i)钴和/或(ii)钴合金以及(iii)TiN和/或TaN的基材(S)的用途，其中所述CMP组合物(Q)包含(A)无机粒子，(B)至少一种包含氨基以及酸基(Y)的有机化合物，其中所述化合物包含n个氨基以及至少n+1个酸性质子，其中n为≥1的整数，(C)至少一种氧化剂，其量基于相应CMP组合物总重量为0.2至2.5重量％，(D)水性介质，其中所述CMP组合物(Q)具有大于6且小于9的pH。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.12 US 62/203,9401.一种化学机械抛光(CMP)组合物(Q)用于化学机械抛光包含(i)钴和/或(ii)钴合金以及(iii)TiN和/或TaN的基材(S)的用途，其中所述CMP组合物(Q)包含(A)无机粒子，(B)至少一种包含氨基以及酸基(Y)的有机化合物，其中所述化合物包含n个氨基以及至少n+1个酸性质子，其中n为≥1的整数，(C)至少一种氧化剂，其量基于相应CMP组合物总重量为0.2至2.5重量％，(D)水性介质，其中所述CMP组合物(Q)具有大于6且小于9的pH。2.根据权利要求1的CMP组合物(Q)的用途，其中所述无机粒子(A)为胶态无机粒子。3.根据权利要求1或2的CMP组合物(Q)的用途，其中所述胶态无机粒子为胶态二氧化硅粒子。4.根据权利要求1-3中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其中所述至少一种有机化合物(B)为具有低于600g/mol分子量的非聚合化合物。5.根据权利要求1-4中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其中所述有机化合物(B)中的酸基(Y)选自羧酸、磺酸以及膦酸。6.根据权利要求1-5中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其中所述有机化合物(B)选自氨基酸、经取代的乙二胺、经取代的二亚乙基三胺、仲胺以及叔胺。7.根据权利要求1-6中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其中所述至少一种有机化合物(B)的总量基于相应CMP组合物总重量为0.1重量％至2重量％范围。8.根据权利要求1-7中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其包含至少一种腐蚀抑制剂(E)，其总量基于相应CMP组合物总重量为0.001至0.1重量％。9.根据权利要求1-8中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其中所述至少一种腐蚀抑制剂(E)具有低于8的pka值。10.根据权利要求1-10中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其包含至少一种表面活性剂(F)，其总量...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·赖夏特，M·西伯特，兰永清，M·劳特尔，S·A·奥斯曼易卜拉欣，R·M·戈扎里安，T·Y·魏，H·O·格文茨，J·普罗尔斯，L·勒尼森，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE