一种低电容超声影像电缆制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低电容超声影像电缆，包括：低电容微同轴电缆、填充线、PTFE带、编织屏蔽层、护套层，所述低电容微同轴电缆包括：金属导线、绝缘层、缠绕屏蔽层、同轴护套层，所述绝缘层套接在所述金属导线之外，所述缠绕屏蔽带绕包在所述绝缘层外，所述同轴护套层套接在缠绕屏蔽带上。本实用新型专利技术的优点为：电缆的电容稳定控制在50PF/M，电缆信号的质量更高，而且电缆尺寸和质量减小，设备成本比较低。

A low capacitance ultrasonic image cable

The utility model relates to a low capacitance ultrasound cable, including: low capacitance micro coaxial cable, filling line, PTFE belt, braided shielding layer and a sheath layer, wherein the low capacitance micro coaxial cable comprises a metal conductor, an insulating layer, a shielding layer, a coaxial winding sheath layer, the insulating layer is sheathed on the outside the metal wire winding, the shielding tape wrapped on the insulating layer, the coaxial sheath is sheathed on the shielding tape winding. The advantages of the utility model are as follows: the capacitance of the cable is controlled at 50PF/M, the quality of the cable signal is higher, and the size and quality of the cable are reduced, and the equipment cost is relatively low.

【技术实现步骤摘要】
一种低电容超声影像电缆
本技术涉及一种信号电缆，特别是涉及一种低电容超声影像电缆。
技术介绍
超声影像电缆，通常用于对超声探头和控制电路之间的反射信号进行传输，由于超声探头反射回的回声电压非常低，信号经过电缆的损失变大，影响信号质量。但是如果电缆的电容越低，通过电缆传输的信号质量随之越好。目前低电容电缆技术一般用挤出发泡聚四氟乙烯PFA的方法，挤出发泡聚四氟乙烯PFA有两种方式，一种是化学发泡方法，材料发泡度很低，介电常数达不到要求值；一种是用物理发泡方式，设备精度要求很高，设备商选择面很小，设备投入成本很高，而且电容只能稳定在60PF/M左右，完成外径会超出客户要求。
技术实现思路
鉴于上述现有技术存在的问题，本技术的目的在于提供一种低电容超声影像电缆，不仅能将电容降低稳定在50PF/M，提高电缆信号的质量，而且也能满足电缆在尺寸和重量上更加轻便小巧的要求，使用更加灵活。为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现：一种低电容超声影像电缆，包括：低电容微同轴电缆、填充线、PTFE带、编织屏蔽层、护套层，所述低电容微同轴电缆和所述填充线集合成圆整形状线束，所述PTFE带绕包在圆整形状线束之外，所述编织屏蔽层套接在所述PTFE带之外，所述护套层套接在所述编织屏蔽层之外，所述低电容微同轴电缆包括：金属导线、绝缘层、缠绕屏蔽层、同轴护套层，所述绝缘层套接在所述金属导线之外，所述缠绕屏蔽带绕包在所述绝缘层外，所述同轴护套层套接在所述缠绕屏蔽带上。所述金属导线是绞合镀银合金铜线。所述绝缘层采用耐高温低介电系数的膨体聚四氟乙烯ePTFE。所述缠绕屏蔽带的屏蔽金属丝为镀锡合金铜或镀银合金铜丝。所述同轴护套层采用医疗级聚氯乙烯PVC或热塑性聚氨酯TPU。所述PTFE为聚四氟乙烯带，表面光滑，质地均匀，具有优异的耐热性、耐腐蚀性，并且有自粘性、很好的贴合性和密封性。与现有技术相比，本技术的优点为：电缆的电容稳定控制在50PF/M，电缆信号的质量更高，而且电缆尺寸和质量减小，设备成本比较低。附图说明图1为本技术的结构示意图图2为本技术图1的A-A截面图图3为图2中低电容微同轴电缆1的结构放大图具体实施方式为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。一种低电容超声影像电缆，包括：低电容微同轴电缆1、填充线2、PTFE带3、编织屏蔽层4、护套层5。如图1、2所示，本技术包括：多个低电容微同轴电缆1，一个填充线2，一个PTFE带3，一个编织屏蔽层4，一个护套层5，所述多个低电容微同轴电缆1和所述填充线2集合成圆整形状线束，所述PTFE带3绕包在集合成圆整形状线束之外，所述编织屏蔽层4套接在所述PTFE带3之外，所述编织屏蔽层4的编织金属丝是镀锡铜线或者镀锡铜箔丝，所述护套层5套接在所述编织屏蔽层4之外，所述填充线2可以根据拉断力和尺寸要求选择：KEVLAR、芳香聚酰胺纤维等。所述多个低电容微同轴电缆1为16组到256组单个低电容微同轴电缆的多种组合。所述低电容微同轴电缆包括：金属导线101、绝缘层102、缠绕屏蔽层103、同轴护套层104。如图3所示，所述单个低电容微同轴电缆1包括：一个金属导线101、一个绝缘层102、一个缠绕屏蔽层103、一个同轴护套层104，所述绝缘层102套接在所述金属导线101之外，所述缠绕屏蔽带103绕包在所述绝缘层102外，所述同轴护套层104套接在缠绕屏蔽带103上，该护套层104采用双层自粘PET带,可以方便选择不同颜色。所述金属导线101规格可以是46AWG到36AWG各种规格，该金属导线101是绞合镀银合金铜线。在其他实施例中，还可以是镀银铜或镀锡合金铜线，该金属导线101采用小节距层心绞工艺，铜线圆整尺寸均匀稳定。所述绝缘层102采用耐高温低介电系数的ePTFE绝缘，ePTFE带绕包绝缘具有1.3—1.6的低介电系数；采用优良的工艺,保证绝缘有稳定的结构尺寸,相比PFA可以将电容由110PF/M减小到50PF/M,相比发泡聚四氟乙烯PFA可以将电容由60PF/M减小到50PF/M。所述缠绕屏蔽带103的屏蔽金属丝是镀锡合金铜或镀银合金铜丝。所述同轴护套层104采用聚氯乙烯PVC或热塑性聚氨酯TPU，能够符合ISO10993-5/-10生物相容性等相关要求。本技术总成缆采用专用的退扭工艺，确保成缆圆整，尺寸均匀。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，因此，只要运用本技术说明书和附图内容所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电容超声影像电缆，包括：低电容微同轴电缆、填充线、PTFE带、编织屏蔽层、护套层，其特征在于，所述低电容微同轴电缆和所述填充线集合成圆整形状线束，所述PTFE带绕包在圆整形状线束之外，所述编织屏蔽层套接在所述PTFE带之外，所述护套层套接在所述编织屏蔽层之外。

【技术特征摘要】
1.一种低电容超声影像电缆，包括：低电容微同轴电缆、填充线、PTFE带、编织屏蔽层、护套层，其特征在于，所述低电容微同轴电缆和所述填充线集合成圆整形状线束，所述PTFE带绕包在圆整形状线束之外，所述编织屏蔽层套接在所述PTFE带之外，所述护套层套接在所述编织屏蔽层之外。2.根据权利要求1所述的低电容超声影像电缆，其特征在于，所述低电容微同轴电缆包括：金属导线、绝缘层、缠绕屏蔽层、同轴护套层，所述绝缘层套接在所述金属导线之外，所述缠绕屏蔽带绕包...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，许高华，
申请(专利权)人：三元科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44