一种三氧化钨薄膜气敏传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及气敏传感器技术领域，具体涉及一种三氧化钨薄膜气敏传感器，它包括传感器本体，该传感器本体包括三氧化二铝基片，该三氧化二铝基片上设置有金叉指电极；将三氧化钨粉体浆料旋涂于带有金叉指电极上形成三氧化钨薄膜；它采用在三氧化二铝基片上设置有金叉指电极，然后涂设有三氧化钨粉体浆料；它具有结构简单，成本低，使用方便，对NO2气体具有良好的气敏性等优点。

A tungsten oxide thin film gas sensor

The utility model relates to the technical field of gas sensor, in particular relates to a tungsten oxide thin film gas sensor, which comprises a sensor body, the sensor body comprises three two aluminum oxide substrate, three of the two aluminum oxide substrate is arranged on the gold interdigitated electrodes; the WO3 powder slurry spin coating with gold interdigitated formation of tungsten oxide films it is used in the three electrode; two aluminum oxide substrate is arranged on the gold interdigitated electrode, and then coated with tungsten powder slurry; it has the advantages of simple structure, low cost, convenient use, has such advantages as good gas sensitivity to NO2 gas.

【技术实现步骤摘要】
一种三氧化钨薄膜气敏传感器
本技术涉及气敏传感器
，具体涉及一种三氧化钨薄膜气敏传感器。
技术介绍
气敏传感器是一种检测特定气体的传感器。它主要包括半导体气敏传感器、接触燃烧式气敏传感器和电化学气敏传感器等，其中用的最多的是半导体气敏传感器。气敏传感器的应用主要有：一氧化碳气体的检测、瓦斯气体的检测、煤气的检测、氟利昂(R11、R12)的检测、呼气中乙醇的检测、人体口腔口臭的检测等等。传统的气敏传感器针对NO2气体的气敏性较差，因此开发针对上述气体的气敏性传感器，是本设计要解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种三氧化钨薄膜气敏传感器，它采用在三氧化二铝基片上设置有金叉指电极，然后涂设有三氧化钨粉体浆料；它具有结构简单，成本低，使用方便，对NO2气体具有良好的气敏性等优点。本技术所述的一种三氧化钨薄膜气敏传感器，它包括传感器本体，该传感器本体包括三氧化二铝基片，该三氧化二铝基片上设置有金叉指电极；将三氧化钨粉体浆料旋涂于带有金叉指电极上形成三氧化钨薄膜。采用上述结构后，本技术有益效果为：本技术所述的一种三氧化钨薄膜气敏传感器，它采用在三氧化二铝基片上设置有金叉指电极，然后涂设有三氧化钨粉体浆料；它具有结构简单，成本低，使用方便，对NO2气体具有良好的气敏性等优点。【附图说明】此处所说明的附图是用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，但并不构成对本技术的不当限定，在附图中：图1是本技术结构示意图；图2是本技术的三氧化钨纳米棒形貌图谱。附图标记说明：1、传感器本体；2、三氧化二铝基片；3、金叉指电极；4、三氧化钨薄膜。【具体实施方式】下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本技术，其中的示意性实施例以及说明仅用来解释本技术，但并不作为对本技术的限定。如图1所示，本具体实施方式所述的一种三氧化钨薄膜气敏传感器，它包括传感器本体1，该传感器本体1包括三氧化二铝基片2，该三氧化二铝基片2上设置有金叉指电极3；将三氧化钨粉体浆料旋涂于带有金叉指电极上形成三氧化钨薄膜4。本技术的工作原理如下：本设计的特征在于，其三氧化钨粉体浆料与传统传感器中的所使用上述材料不同，因此使得本设计制备的三氧化钨薄膜气敏传感器与传统的气敏传感器不相同，特别是针对NO2具有良好的气敏性。本设计中的三氧化钨粉体浆料的制备步骤如下：1)适量钨酸钠溶于去离子水。2)将混合后的液体放置在磁力搅拌器上搅拌30min，钨酸钠粉末彻底溶解在去离子水中(在此步骤添加聚乙二醇制得添加聚乙二醇改性的氧化钨粉末)。3)在液体中逐滴加入稀释后的盐酸，加入盐酸产生絮状沉淀并用磁力搅拌机搅拌至沉淀消失再加第二滴以此反复，直至加入盐酸不产生沉淀为止。然后利用盐酸调整溶液PH值至1左右停止添加。继续搅拌半个小时左右。4)将得到的胶体倒入反应釜中，密封好之后，将反应釜放入电热鼓风干燥箱中于一定温度(120～180℃)反应一定时间(6～24h)进行反应。5)待反应时间到后取出反应釜，得到淡黄色粉末沉淀，放入台式离心机中用无水乙醇和去离子水分别离心清洗。6)粉末转移到电热恒温鼓风干燥箱中烘干，即得三氧化钨粉体浆料。如图2所示，本品在180℃水热反应12h得到的WO3纳米棒形貌图谱。样品大小大约在1.4-2μm。本技术所述的一种三氧化钨薄膜气敏传感器，它采用在三氧化二铝基片上设置有金叉指电极，然后涂设有三氧化钨粉体浆料；它具有结构简单，成本低，使用方便，对NO2气体具有良好的气敏性等优点。以上所述仅是本技术的较佳实施方式，故凡依本技术专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本技术专利申请范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三氧化钨薄膜气敏传感器，其特征在于：它包括传感器本体，该传感器本体包括三氧化二铝基片，该三氧化二铝基片上设置有金叉指电极；将三氧化钨粉体浆料旋涂于带有金叉指电极上形成三氧化钨薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种三氧化钨薄膜气敏传感器，其特征在于：它包括传感器本体，该传感器本体包括三氧化二铝基片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙凤云，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：新型
国别省市：黑龙江,23