一种日本扁柏初代培养方法技术

技术编号:17687276 阅读:58 留言:0更新日期:2018-04-14 02:18
本发明专利技术公开了一种日本扁柏初代培养方法,该培养方法利用不同种类并含有不同浓度生长激素的初代培养基对日本扁柏外植体进行组织培养,通过观察不同种类初代培养基搭配不同浓度生长激素对外植体分枝数和生长量的影响,最终得到日本扁柏外植体的最优培养基种类以及最佳生长激素浓度。本发明专利技术组织培养方法有效解决了日本扁柏组织培养中生长速度慢、不易形成愈伤组织的问题,从而实现了采用无性繁殖手段大规模繁殖日本扁柏,有助于日本扁柏在园林绿化中大面积广泛应用。

A method for culture of primary Japanese cypress

The invention discloses a method for culturing the primary Japanese cypress, using different types of primary culture methods and containing different concentrations of growth hormone in culture medium on Japanese cypress explants for tissue culture. To observe the effect of different initial medium collocation of different concentrations of growth hormone on explant branch number and growth, finally get the base type and the best optimal growth hormone concentration in Japanese cypress explants. The invention of tissue culture method can effectively solve the cultivation of Japanese cypress tissues of slow growth, not easy to callus formation, so as to realize the asexual reproduction means of mass reproduction helps Japanese cypress, Chamaecyparis obtusa is widely used in landscaping in large area.

【技术实现步骤摘要】
一种日本扁柏初代培养方法
本专利技术涉及一种日本扁柏初代培养方法,属于树木无性繁殖

技术介绍
日本扁柏(Chamaecyparisobtusa)为柏科扁柏属植物,主要种植区分布在日本,台湾分布的扁柏为变种,由人工引种栽培。日本扁柏是一种叶端金黄、四季观赏的植物,用有性繁殖进行播种,会使品种的特征退化,而扦插繁殖虽然能够进行,但繁殖系数仍很低。一旦日本扁柏的组培技术获得重大突破,则可进行大规模育苗,一方面可以作为商业生产手段,另一方面也能成为保护珍稀物种的重要生物技术。目前国内针对日本扁柏的组织培养技术还没有进行相应研究,因此一种针对日本扁柏组织培养技术的研究很有意义,有助于日本扁柏能在园林绿化中尽快大面积广泛应用。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术所要解决的技术问题是提供一种日本扁柏初代培养方法,该方法通过利用不同种类并含有不同浓度生长激素的初代培养基对日本扁柏外植体进行组织培养,最终得到日本扁柏外植体的最优培养基类型以及最佳激素浓度。
技术实现思路
:为解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术方案为:一种日本扁柏初代培养方法,包括如下步骤:步骤1,选取一株健康生长的植株作为本文档来自技高网...
一种日本扁柏初代培养方法

【技术保护点】
一种日本扁柏初代培养方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,选取一株健康生长的植株作为母本,从母本植株上剪下当年生的茎尖;步骤2,将步骤1得到的茎段分别进行洗涤、消毒处理,再用浓度为1~1.5g/L的升汞浸泡3~5min,浸泡后冲洗干净;步骤3,剪去与升汞接触过的创面,将外植体分别接种到不同种类的初代培养基中;步骤4,初代培养中,培养室的培养温度为23~27℃,光照强度为1600~1700Lx,光照波长为350~750nm,光照时数为16~18h/d;步骤5,观察不同种类初代培养基搭配不同浓度生长激素对外植体分枝数和生长量的影响,从而得到最优培养基类型以及最佳激素浓度。

【技术特征摘要】
1.一种日本扁柏初代培养方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,选取一株健康生长的植株作为母本,从母本植株上剪下当年生的茎尖;步骤2,将步骤1得到的茎段分别进行洗涤、消毒处理,再用浓度为1~1.5g/L的升汞浸泡3~5min,浸泡后冲洗干净;步骤3,剪去与升汞接触过的创面,将外植体分别接种到不同种类的初代培养基中;步骤4,初代培养中,培养室的培养温度为23~27℃,光照强度为1600~1700Lx,光照波长为350~750nm,光照时数为16~18h/d;步骤5,观察不同种类初代培养基搭配不同浓度生长激素对外植体分枝数和生长量的影响,从而得到最优培养基类型以及最佳激素浓度。2.根据权利要求1所述的日本扁柏初代培养方法,其特征在于:步骤1中,所述茎尖为成熟日本扁柏一年生茎尖。3.根据权利要求1所述的日本扁柏初代培养方法,其特征在于:步骤2的具体操作方式为:先用一定...

【专利技术属性】
技术研发人员:周余华巫建新刘春风王红梅裴新国席映雪
申请(专利权)人:江苏农林职业技术学院
类型:发明
国别省市:江苏,32

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