一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法技术

一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法。所述电池由下至上依次包括：第一电极(1)、第一钝化层(2)、硅衬底(3)、硅掺杂层(4)、第二钝化层(5)、第一透明导电层(6)、第三钝化层(7)、二硫化钼层(8)、二硫化钼掺杂层(9)、第四钝化层(10)、第二透明导电层(11)和第二电极(12)，第二电极(12)的宽度小于第二透明导电层(11)。本发明专利技术与目前报道的晶体硅基双结太阳能电池相比，该电池的制造成本更低。

A molybdenum disulfide / silicon double junction solar cell and its preparation method

A kind of molybdenum disulfide / silicon double junction solar cell and its preparation method. The battery followed by the bottom includes a first electrode (1), the first passivation layer (2), (3) silicon substrate, silicon doped layer (4), second (5), the first passivation layer of transparent conductive layer (6), third (7), the passivation layer of MoS2 layer (8), molybdenum disulfide the doped layer (9), fourth (10), the passivation layer second transparent conductive layer (11) and second (12), the second electrode electrode (12) is less than the width of the second transparent conductive layer (11). Compared with the crystalline silicon - based double junction solar cells, the cost of the invention is lower.

【技术实现步骤摘要】
一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于太阳能光伏电池
涉及一种太阳能电池结构及其制备方法，特别是关于一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
近几年全世界环境污染、温室效应等问题日趋严重，而且传统能源储量越来越少，价格越来越高，所以人类对清洁能源的需求越来越大，太阳能光伏发电作为一种清洁能源越来越受到人们的重视。目前，市场上销售的太阳能光伏电池大部分是单晶硅和多晶硅单结太阳能电池，其效率已经接近理论极限。所以人们尝试在晶体硅上，利用其它能带宽度比晶体硅大的半导体材料制备顶电池，与晶体硅电池相结合，形成晶体硅基双结太阳能电池，从而提高晶体硅太阳能电池的转换效率。人们目前主要采用三五族半导体材料制备顶电池，该类材料的成本较高。所以本专利采用二硫化钼材料制作顶电池，该材料吸收系数比三五族材料高，从而可以用减少材料使用量，从而降低晶体硅基双结电池的制造成本。
技术实现思路
本专利技术目的是解决晶体硅基双结太阳能电池成本较高的问题，提供一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法，该电池制造成本低于目前已有的晶体硅基双结太阳能电池。。本专利技术的技术方案：一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，该电池由下至上依次包括：第一电极(1)、第一钝化层(2)、硅衬底(3)、硅掺杂层(4)、第二钝化层(5)、第一透明导电层(6)、第三钝化层(7)、二硫化钼层(8)、二硫化钼掺杂层(9)、第四钝化层(10)、第二透明导电层(11)和第二电极(12)，第二电极(12)的宽度小于第二透明导电层(11)。

【技术特征摘要】
1.一种二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，该电池由下至上依次包括：第一电极(1)、第一钝化层(2)、硅衬底(3)、硅掺杂层(4)、第二钝化层(5)、第一透明导电层(6)、第三钝化层(7)、二硫化钼层(8)、二硫化钼掺杂层(9)、第四钝化层(10)、第二透明导电层(11)和第二电极(12)，第二电极(12)的宽度小于第二透明导电层(11)。2.根据权利要求1所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层(2)为三氧化二铝、氧化硅、氧化钛、氟化锂、氟化镁或氮化硅中的一种或几种的组合；第二钝化层(5)为三氧化二铝、氧化硅、氧化铜、氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化镍或氮化硅中的一种或几种的组合；第三钝化层(7)和第四钝化层(10)为三氧化二铝、氧化硅、氧化铜、氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化镍、氧化钛、氟化锂、氟化镁或氮化硅中的一种或几种的组合。3.根据权利要求1所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底(3)为N型掺杂，其掺杂元素为磷或砷中的一种或二种，硅掺杂层(4)为P型掺杂，其掺杂元素为硼、铝或镓中的一种或几种的组合，二硫化钼层(8)为本征层，其自身带有N型导电特性，二硫化钼掺杂层(9)为P型掺杂，其掺杂元素为氟、氧、砷或磷元素中的一种或几种的组合。4.根据权利要求1所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层(6)和第二透明导电层(11)为石墨烯、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、掺铟氧化锌或氧化铟锡中的一种或几种的组合。5.一种权利要求1所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池的制备方法，其特征是：该方法包含以下步骤：步骤1：在硅衬底(3)的上表面附近区域进行掺杂，使硅衬底(3)的上表面附近被搀杂的区域成为硅掺杂层(4)，步骤2：在硅掺杂层(4)的上表面，生长第二钝化层(5)，步骤3：在第二钝化层(5)的上表面，生长第一透明导电层(6)，步骤4：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢宇鹏，黄胜明，张楷亮，赵金石，杨正春，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：天津,12