基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质，在同一基板的液处理中变更蚀刻选择比。该基板液处理装置在设置于液处理部(39)的处理槽(34)内贮存磷酸水溶液，将基板浸于处理槽所贮存的磷酸水溶液中，由此对该基板进行处理。在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的第一期间，利用磷酸水溶液排出部(43)以第一排出流量从液处理部(39)排出磷酸水溶液，并且利用磷酸水溶液供给部(40)向液处理部供给磷酸水溶液。在另外的第二期间，利用磷酸水溶液排出部以与第一排出流量不同的第二排出流量从液处理部排出磷酸水溶液，并且利用磷酸水溶液供给部向液处理部供给磷酸水溶液。

A substrate liquid treatment device, a substrate liquid treatment method and a storage medium

The invention provides a substrate liquid treatment device, a substrate liquid processing method, and a storage medium to change the etching selection ratio in the liquid treatment of the same substrate. The substrate liquid treatment device stores phosphoric acid solution in the treatment slot (34) set in the liquid treatment part (39), and soak the substrate in the phosphate solution of the storage tank, thereby processing the substrate. In the first period of the first time when the substrate is immersed in the phosphoric acid aqueous solution in the treatment tank, the discharge part (43) of the phosphate solution is used to discharge the phosphoric acid aqueous solution from the liquid treatment part (39) by the first discharge flow, and the phosphate water solution supply part (40) is used to supply the phosphoric acid aqueous solution to the liquid treatment part. During the other second period, the discharge part of the phosphoric acid aqueous solution is used to discharge the phosphoric acid aqueous solution from the liquid treatment part by the second discharge rate which is different from the first discharge volume, and the phosphate water solution supply part is used to supply the phosphoric acid aqueous solution to the liquid treatment part.

【技术实现步骤摘要】
基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
本专利技术涉及一种使用处理液来对基板进行液处理的基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，包括将半导体晶圆等基板浸于处理槽中贮存的磷酸水溶液中来对形成于基板的表面的氮化硅膜进行湿蚀刻的氮化硅膜蚀刻工序。在蚀刻中，来自氮化硅膜的硅溶出到磷酸水溶液中。由于为了提高氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻选择比(氮化硅物的蚀刻速率与氧化硅物的蚀刻速率的比)以及为了降低来自溶出硅的微粒等理由，需要将磷酸水溶液中的溶出硅浓度维持在规定的范围内。在专利文献1中，在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的期间，持续地以预先决定的固定的排出流量排出处于处理槽内的磷酸水溶液并且以与上述排出流量相同的固定的流量(排出流量)向处理槽供给不包括硅的磷酸水溶液(或硅浓度低的磷酸水溶液)，由此在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的期间，处理槽内的磷酸水溶液中的硅浓度逐渐增加。在专利文献2中记载了如下一种基板处理装置：在连接到处理槽的循环线中具备用于注入硅、例如胶体硅的硅注入装置，基于由硅浓度监视器检测出的磷酸水溶液中的硅浓度来利用硅注入装置注入硅，由此将磷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板液处理装置，其特征在于，具备：液处理部，其包括处理槽，所述处理槽贮存磷酸水溶液，将基板浸于所述处理槽所贮存的磷酸水溶液中，由此对所述基板进行处理；磷酸水溶液供给部，其能够以控制后的流量向所述液处理部供给磷酸水溶液；磷酸水溶液排出部，其能够以控制后的流量排出存在于所述液处理部内的磷酸水溶液；以及控制部，其对所述磷酸水溶液供给部和所述磷酸水溶液排出部的动作进行控制，其中，在所述基板浸于所述处理槽内的磷酸水溶液中的第一期间，所述控制部使所述磷酸水溶液排出部以第一排出流量从所述液处理部排出磷酸水溶液，并且利用所述磷酸水溶液供给部向所述液处理部供给磷酸水溶液，在所述基板浸于所述处理槽内的磷酸水溶...

【技术特征摘要】
2016.10.04 JP 2016-1966631.一种基板液处理装置，其特征在于，具备：液处理部，其包括处理槽，所述处理槽贮存磷酸水溶液，将基板浸于所述处理槽所贮存的磷酸水溶液中，由此对所述基板进行处理；磷酸水溶液供给部，其能够以控制后的流量向所述液处理部供给磷酸水溶液；磷酸水溶液排出部，其能够以控制后的流量排出存在于所述液处理部内的磷酸水溶液；以及控制部，其对所述磷酸水溶液供给部和所述磷酸水溶液排出部的动作进行控制，其中，在所述基板浸于所述处理槽内的磷酸水溶液中的第一期间，所述控制部使所述磷酸水溶液排出部以第一排出流量从所述液处理部排出磷酸水溶液，并且利用所述磷酸水溶液供给部向所述液处理部供给磷酸水溶液，在所述基板浸于所述处理槽内的磷酸水溶液中的第二期间，所述控制部使所述磷酸水溶液排出部以与所述第一排出流量不同的第二排出流量从所述液处理部排出磷酸水溶液，并且利用所述磷酸水溶液供给部向所述液处理部供给磷酸水溶液。2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，所述第二期间为所述基板浸于所述处理槽内的磷酸水溶液中的期间中的最终期间，所述第一期间为紧挨在所述第二期间之前的期间，所述第二排出流量比所述第一排出流量少。3.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其特征在于，所述第二排出流量为零。4.根据权利要求2或3所述的基板液处理装置，其特征在于，在所述基板浸于所述处理槽内的磷酸水溶液中的所述第一期间与所述第二期间之间的第三期间，所述控制部使所述磷酸水溶液排出部以第三排出流量从所述液处理部排出磷酸水溶液，并且利用所述磷酸水溶液供给部向所述液处理部供给磷酸水溶液。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，所述液处理部具有所述处理槽以及使从所述处理槽流出的磷酸水...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤秀明，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP