倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜制造技术
【技术实现步骤摘要】
倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜本申请是申请日为2011年6月30日、申请号为201110184582.X、专利技术名称为“倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜”的申请的分案申请。
本专利技术涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面并且提高半导体元件的强度。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将半导体元件如半导体芯片安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可以存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至10)。专利文献1：JP-A-2008-166451专利文献2：JP-A-2008-006386专利文献3：JP-A-2007-261035专利文献4：JP-A-2007-250970专利文献5：JP-...
【技术保护点】
一种倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm‑3μm范围内，并且，所述膜含有相对于100重量份有机树脂组分为5‑95重量份的无机填料。
【技术特征摘要】
2010.07.20 JP 2010-1630941.一种倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm-3μm范围内，并且，所述膜含有相对于100重量份有机树脂组分为5-95重量份的无机填料。2.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在2μm-200μm范围内的厚度。3.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述半导体元件具有在20μm-300μm范围内的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，志贺豪士，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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