一种强磁场下高能紫外激光导入装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种强磁场下高能紫外激光导入装置，包括：全反射棱镜(4)设于反射箱(3)内，并且反射箱(3)上对应全反射棱镜入射光通光面的位置设有入射口，对应全反射棱镜反射光通光面的位置设有反射口；非球面会聚透镜(1)设于可伸缩镜筒(2)的前端，而可伸缩镜筒(2)的后端固定在反射箱(3)的入射口上；反射箱(3)和可伸缩镜筒(2)的后端伸入到超导磁体的镗孔内，从而入射的高能紫外激光依次经过非球面会聚透镜(1)和全反射棱镜(4)聚焦到目标靶材(5)上。本发明专利技术能够更加稳定可靠地将高能紫外激光导入并聚焦到强磁场中的靶材上，而且采用了一体化结构设计，使安装拆卸和激光光路调节更加方便，经济耐用。

【技术实现步骤摘要】
一种强磁场下高能紫外激光导入装置
本专利技术涉及材料制备装备领域，尤其涉及一种强磁场下高能紫外激光导入装置。
技术介绍
近几年来，材料制备领域中利用高能紫外激光(通常需要的激光能量密度在每平方厘米数个焦耳以上)进行材料加工与合成的研究越来越多，例如：脉冲激光沉积(PLD)技术通常采用的就是短波长(紫外)准分子脉冲激光器，利用这种短波长(紫外)准分子脉冲激光器发射的高能紫外激光照射靶材激发等离子体羽，就可以进行薄膜沉积；因此高能紫外激光在材料制备领域有着巨大应用前景。PLD技术可以沉积制备高质量的复杂成分和高熔点薄膜材料，这已经成为当前材料科学研究中不可缺少的薄膜制备技术。此外，利用高能紫外激光可以在较低温度甚至室温条件下辅助晶化材料，这也具有十分重要的应用前景。磁场作为一种理想的非接触的外场驱动力，可以影响到材料生长过程中的晶粒形核、长大、晶界迁移和再结晶等过程，从而会对材料的微结构和性能起到调控作用，因此在脉冲激光沉积薄膜过程中引入强磁场以实现对薄膜的微结构和功能进行调控越来越受到人们的关注；例如：在强磁场下进行脉冲激光沉积制备薄膜，可以获得柱状纳米结构的锰氧化物薄膜材料，这种薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种强磁场下高能紫外激光导入装置，用于伸入到超导磁体的镗孔内，并将高能紫外激光聚焦到目标靶材(5)上，其特征在于，包括：非球面会聚透镜(1)、可伸缩镜筒(2)、反射箱(3)和全反射棱镜(4)；全反射棱镜(4)的底面为反射面，全反射棱镜(4)的两个斜侧面分别为入射光通光面和反射光通光面；全反射棱镜(4)设于反射箱(3)内，并且反射箱(3)上对应入射光通光面的位置设有入射口，对应反射光通光面的位置设有反射口；非球面会聚透镜(1)设于可伸缩镜筒(2)的内部前端，而可伸缩镜筒(2)的后端固定在反射箱(3)的入射口上；反射箱(3)和可伸缩镜筒(2)的后端伸入到超导磁体的镗孔内，并且反射箱(3)的反射口对...

【技术特征摘要】
1.一种强磁场下高能紫外激光导入装置，用于伸入到超导磁体的镗孔内，并将高能紫外激光聚焦到目标靶材(5)上，其特征在于，包括：非球面会聚透镜(1)、可伸缩镜筒(2)、反射箱(3)和全反射棱镜(4)；全反射棱镜(4)的底面为反射面，全反射棱镜(4)的两个斜侧面分别为入射光通光面和反射光通光面；全反射棱镜(4)设于反射箱(3)内，并且反射箱(3)上对应入射光通光面的位置设有入射口，对应反射光通光面的位置设有反射口；非球面会聚透镜(1)设于可伸缩镜筒(2)的内部前端，而可伸缩镜筒(2)的后端固定在反射箱(3)的入射口上；反射箱(3)和可伸缩镜筒(2)的后端伸入到超导磁体的镗孔内，并且反射箱(3)的反射口对准所述镗孔内的目标靶材(5)，从而入射的高能紫外激光依次经过非球面会聚透镜(1)和全反射棱镜(4)聚焦到目标靶材(5)上。2.根据权利要求1所述的强磁场下高能紫外激光导入装置，其特征在于，非球面会聚透镜(1)与全反射棱镜(4)之间的距离小于非球面会聚透镜(1)的焦距。3.根据权利要求1或2所述的强磁场下高能紫外激光导入装置，其特征在于，所述非球面会聚透镜(1)的conic参数为-0.5～-0.8。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴建明，朱顺进，周晓军，钟刘军，魏巍，朱雪斌，盛志高，孙玉平，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽,34