电子装置、盖结构及封装结构制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子装置，其包含：信号转换器，其包含感测区域；及覆盖结构，其覆盖所述信号转换器。所述覆盖结构包含护罩部分且界定至少一个孔隙。所述护罩部分覆盖所述感测区域。所述孔隙包含第一弯曲表面及较所述第一弯曲表面远离所述感测区域的第二弯曲表面，且所述第一弯曲表面的第一曲率的第一中心与所述第二弯曲表面的第二曲率的第二中心位在不同位置处。

【技术实现步骤摘要】
电子装置、盖结构及封装结构
本专利技术涉及电子装置、盖结构及封装结构的领域，且更具体来说涉及具有供空气流动穿过的孔隙的电子装置、盖结构及封装结构。
技术介绍
气体传感器可具有用于感测待测试气体的浓度的感测区域。然而，水分或微粒物质可能影响气体传感器的灵敏度。
技术实现思路
在一或多个实施例中，一种电子装置包含：信号转换器，其包含感测区域；及覆盖结构，其覆盖所述信号转换器。所述覆盖结构包含护罩部分且界定至少一个孔隙。所述护罩部分覆盖所述感测区域。所述孔隙包含第一弯曲表面及较所述第一弯曲表面远离所述感测区域的第二弯曲表面，且所述第一弯曲表面的第一曲率的第一中心与所述第二弯曲表面的第二曲率的第二中心位在不同位置处。在一或多个实施例中，一种盖结构包含主体，其包含护罩部分且界定围绕所述护罩部分的至少一个孔隙。各孔隙具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且所述第一表面的第一曲率的第一中心与所述第二表面的第二曲率的第二中心位在不同位置处。在一或多个实施例中，一种封装结构包含：载体；裸片，其包含邻近于所述裸片的表面而安置的感测区域；及覆盖结构，其附接到所述载体。所述覆盖结构形成容纳所述裸片的容纳空间。所述覆盖结构包含护罩部分且界定至少一个孔隙。所述护罩部分覆盖所述感测区域。所述孔隙包含第一弯曲表面及较所述第一弯曲表面远离所述感测区域的第二弯曲表面，且所述第一弯曲表面的第一曲率大于所述第二弯曲表面的第二曲率。附图说明图1说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的顶部立体图。图2说明沿着图1的线A-A截取的截面视图。图3说明根据本专利技术的一或多个实施例的图2中所描绘的载体及信号转换器的顶部立体图。图4说明根据本专利技术的一或多个实施例的图1及2中所描绘的覆盖结构的底部立体图。图5说明根据本专利技术的一或多个实施例的图1中所描绘的电子装置的俯视图。图6说明根据本专利技术的一或多个实施例的图1中所描绘的电子装置的底部立体图。图7说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的横截面图。图8说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的横截面图。图9说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图10说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图11说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图12说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图13说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图14说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图15说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图16说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图17说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图18说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的俯视图。图19、20、21、22、23及24说明一种用于制造根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置的方法。具体实施方式为了保护气体传感器装置的衬底上的传感器的感测区域，顶盖或盖可用以覆盖传感器及接触衬底以形成容纳空间。顶盖或盖可界定传感器上方的孔隙，使得待测试的气体经由孔隙进入容纳空间且接着接触感测区域，且接着传感器的感测区域可感测待测试气体的浓度。然而，单个孔隙可由于(例如)低气流而引起低灵敏度。此外，当单个孔隙在传感器区域的中心上方时，周围环境中的微粒物质可接触且染污感测区域。为了解决这些问题，顶盖或盖经设计以界定不同种类的图案或不同类型的孔隙。然而，在不同设计中，进入容纳空间的气体经由各种孔隙遵循的路径长度可不同，此可引起感测区域的低反应效率。此外，复杂图案或复杂的类型孔隙可使制造更困难。为了解决上述问题，本专利技术提供一种具有含有护罩部分及至少一个孔隙的顶盖或盖的改良型电子装置。在一或多个实施例中，护罩部分可覆盖(Cover)或上覆(Overlie)于感测区域，且孔隙可具有接近感测区域的第一弯曲表面、及较第一弯曲表面远离感测区域的第二弯曲表面。第一弯曲表面的第一曲率(Curvature)的第一中心与第二弯曲表面的第二曲率的第二中心在不同位置处。护罩部分可覆盖感测区域以便保持传感器区域不被污染。此外，孔隙可具有凸面边界及凹面边界(例如，大体上呈现肾状)，其可对应于大孔隙空间，且此配置可相比其它配置使制造更简单或更加成本低。此外，可使进入容纳空间的气体的路径长度大体上相等，借此可导致感测区域的高反应效率。图1说明根据本专利技术的一或多个实施例的电子装置1的顶部立体图。图2说明沿着图1的线A-A截取的电子装置1的截面视图。在图1及2的说明中，电子装置1可为封装结构，且可包含至少一个信号转换器(Transducer)12、载体2及覆盖结构(CoveringStructure)3。信号转换器12可为例如传感器裸片的半导体裸片，且可安置于载体2上且电连接到载体2。信号转换器12具有第一表面121、感测区域14及一层金属氧化物141。感测区域14在此实施例中邻近于信号转换器12的第一表面121而安置，且金属氧化物141在此实施例中安置于感测区域14上。在一或多个实施例中，电子装置1可包含多个信号转换器12，例如四个信号转换器12。在图1及图2中所说明的实施例中，可通过涂覆具有散布于感测区域14上的金属氧化物颗粒(例如，氧化锡(SnO2)颗粒)的粘着剂，且接着固化粘着剂以便形成金属氧化物141的层来形成金属氧化物141。此外，电子装置1可进一步包含加热器(图中未示)。以下描述信号转换器12的操作的实例。当待测试气体(例如，二氧化碳(CO2)气体)接触金属氧化物141时，化学反应可发生。金属氧化物141的负氧离子可离开金属氧化物141，且气体的正离子可附接到感测区域14的金属离子。同时，可增大感测区域14中的电子密度且可减小感测区域14的电阻。因此，将增大感测区域14的导电性。待测试气体的浓度可影响感测区域14的导电性。待测试气体的特定浓度可对应于感测区域14的导电性的特定量。因此，可从对应于感测区域14的导电性的值(例如，信号转换器12的输出电压)确定待测试气体的浓度。应注意，感测区域14的导电性的改变可反映待测试气体的浓度，且可调整信号转换器12的配置以检测待测试气体的组合物或种类。不同种类的金属氧化物141可以不同方式适合于感测不同种类的待测试气体。当移除待测试气体后，可通过加热器将感测区域14加热到约200℃至约300℃范围内的温度。因此，周围空气中的氧气可与感测区域14的金属离子组合以形成金属氧化物141。即，金属氧化物141再次呈现初始状态。载体2可承载信号转换器12。载体2可为引线框(Leadframe)且可包含裸片脚座(DiePaddle)21、引线(Lead)22、连接杆23及密封体24。密封体24的第一部分241可安置于裸片脚座21与引线22之间，使得裸片脚座21与引线22自彼此绝缘。密封体24的第二部分242可安置于引线22上以形成支撑壁。如图2中所示，裸片脚座21的第一表面211、密封体24的第一部分241的第一表面2411与引线22的第一表面221可大体上共平面。裸片脚座21的第一表面211及引线22的第一表面221可自密封体24的第一部分241的第一表面2411暴露。裸片脚座21的第二表面212、密封体24的第一部分241的第二表面2412与引线22本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，其包括：信号转换器，其包括感测区域；及覆盖结构，其覆盖所述信号转换器，其中所述覆盖结构包括护罩部分且界定至少一个孔隙，所述护罩部分覆盖所述感测区域，所述孔隙包含第一弯曲表面及较所述第一弯曲表面远离所述感测区域的第二弯曲表面，且所述第一弯曲表面的第一曲率的第一中心与所述第二弯曲表面的第二曲率的第二中心位在不同位置处。

【技术特征摘要】
2017.06.06 TW 106118731;2016.10.12 US 15/291,9711.一种电子装置，其包括：信号转换器，其包括感测区域；及覆盖结构，其覆盖所述信号转换器，其中所述覆盖结构包括护罩部分且界定至少一个孔隙，所述护罩部分覆盖所述感测区域，所述孔隙包含第一弯曲表面及较所述第一弯曲表面远离所述感测区域的第二弯曲表面，且所述第一弯曲表面的第一曲率的第一中心与所述第二弯曲表面的第二曲率的第二中心位在不同位置处。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一曲率的所述第一中心位于所述第一弯曲表面与所述第二曲率的所述第二中心之间。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一弯曲表面的所述第一曲率大于所述第二弯曲表面的所述第二曲率。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述覆盖结构自俯视观之为矩形。5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述覆盖结构的所述至少一个孔隙包含位于所述护罩部分的第一侧上的第一孔隙及位于所述护罩部分的第二侧上的第二孔隙，且所述第一孔隙与所述第二孔隙大体上彼此对称。6.根据权利要求5所述的电子装置，其中大于或等于约0.1mm的间隙将所述第一孔隙与所述第二孔隙分离。7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述覆盖结构进一步包括至少两个支撑壁及在所述两个支撑壁之间的弯曲腔室部分。8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述支撑壁中的至少一者的厚度大于或等于约0.1mm。9.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括衬底，且所述信号转换器安置于所述衬底上方，其中所述覆盖结构进一步覆盖所述衬底，且所述覆盖结构的最外周边表面与所述衬底的最外周边表面大体上共平面。10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述覆盖结构为板，且所述衬底包括支撑所述覆盖结构的至少一个支撑壁。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永宜，詹勋伟，黄敬涵，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71