多功能拓展保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多功能拓展保护电路，包括低压保护电路、低压检测电路和分压电路；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52。本实用新型专利技术具有如下有益效果：本实用新型专利技术能够拓展多种功能，包括调光角度的最小深度、输入低压保护、输出过压保护等功能；通过低压检测电路和低压保护电路可以对芯片进行保护，提高电子供电设备安全性，延长电子供电设备使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
多功能拓展保护电路
本技术涉及电子供电设备保护
，尤其是涉及一种能够拓展多种功能，可以提高电子供电设备安全性，能够延长电子供电设备使用寿命的多功能拓展保护电路。
技术介绍
随着国家对节能产品的大力推广，电源、驱动器等电子供电设备在市场需求越来越大，同时国家对安全事故零容忍的态度，对电子供电设备的安全性提出了更高的要求。随着LED照明市场的普及，各种芯片厂商都针对照明市场推出无数的控制芯片。但于很多非专业IC供应商，芯片价格往往做的很低，受到很多电源、驱动器制造商的欢迎。但于由非专业IC供应商，很多安全性的功能没有考虑在内，导致这些产品从某些应用上存在较大的安全隐患。其中输入低压不保护就具有一定的安全风险。如果这时没有保护功能，使输出功率下降，则对于电源线路中前级主回路中的保险丝、差模、共模电感以及整流二极管的损耗增加4倍以上，造成这些器件长期处于高损耗发热状态，严重时会造成共模线圈高温发红，将骨架热熔，并将PCB烧碳化，造成外壳热熔。如果这些元件是非阻燃材料，可能会造成火灾等严重安全事故。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术中电子供电设备安全性能低，电压过低导致元器件损坏，造成使用寿命短的不足，提出了一种能够拓展多种功能，可以提高电子供电设备安全性，能够延长电子供电设备使用寿命的多功能拓展保护电路。为了实现上述目的，本技术采用了以下技术方案：一种多功能拓展保护电路，包括低压保护电路、低压检测电路和分压电路；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52；电阻RS54的一端分别与稳压二极管ZS51的负极、电容CS52、电容CS53、电阻RS56和电阻RS55A的一端电连接，电容CS52的另一端和稳压二极管ZS51的正极均接地，电阻RS55A的另一端与三极管QS52的发射极电连接，三极管QS52的集电极与电阻RS57的一端电连接，三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端均与低压检测电路电连接。本技术通过低压检测电路检测输入电压，如果输入电压低于设定的电压时，三极管QS51导通，让电容CS53充电，形成电容两端压差，从而触发三极管QS52导通，产生一定的电压施加到控制芯片保护引脚或降低功率控制引脚上，从而实现低压保护。作为优选，低压检测电路包括整流二极管DS51、电容CS51、电阻RS52A、电阻RS52B、三极管QS51和电阻RS53；整流二极管DS51的正极与分压电路电连接，整流二极管DS51的负极分别与电容CS51、电阻RS52A和电阻RS52B的一端电连接，电阻RS52B的另一端与三极管QS51的基极电连接，三极管QS51的发射极与电阻RS53的一端电连接，电阻RS53的另一端分别与三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端电连接，电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均与分压电路电连接。作为优选，分压电路包括电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D；电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D依次电连接，整流二极管DS51的正极分别与电阻RS51C和电阻RS51D的一端电连接，电阻RS51D的另一端、电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均接地。作为优选，低压保护电路还包括电阻RS55B和电容CS54，电阻RS55B的一端分别与电容CS54的一端、电阻RS55A的另一端和三极管QS52的发射极电连接，电阻RS55B的另一端和电容CS54的另一端均接地。作为优选，还包括控制芯片，控制芯片与电阻RS57的另一端电连接。作为优选，还包括PCB板，所有电阻、所有电容、所有二极管、所有控制芯片和所有三极管均位于PCB电路板上。因此，本技术具有如下有益效果：（1）本技术能够拓展多种功能，包括调光角度的最小深度、输入低压保护、输出过压保护等功能；（2）通过低压检测电路和低压保护电路可以对芯片进行保护，提高电子供电设备安全性，延长电子供电设备使用寿命。附图说明图1是本技术的一种电路图；图2是本技术的实施例的一种电路图的左部；图3是本技术的实施例的一种电路图的右部。图中：低压保护电路1、低压检测电路2、分压电路3。具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本技术做进一步描述：如图1所示的一种多功能拓展保护电路，包括低压保护电路1、低压检测电路2和分压电路3；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52；电阻RS54的一端分别与稳压二极管ZS51的负极、电容CS52、电容CS53、电阻RS56和电阻RS55A的一端电连接，电容CS52的另一端和稳压二极管ZS51的正极均接地，电阻RS55A的另一端与三极管QS52的发射极电连接，三极管QS52的集电极与电阻RS57的一端电连接，三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端均与低压检测电路电连接；低压保护电路还包括电阻RS55B和电容CS54，电阻RS55B的一端分别与电容CS54的一端、电阻RS55A的另一端和三极管QS52的发射极电连接，电阻RS55B的另一端和电容CS54的另一端均接地。其中，低压检测电路包括整流二极管DS51、电容CS51、电阻RS52A、电阻RS52B、三极管QS51和电阻RS53；整流二极管DS51的正极与分压电路电连接，整流二极管DS51的负极分别与电容CS51、电阻RS52A和电阻RS52B的一端电连接，电阻RS52B的另一端与三极管QS51的基极电连接，三极管QS51的发射极与电阻RS53的一端电连接，电阻RS53的另一端分别与三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端电连接，电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均与分压电路电连接。其中，分压电路包括电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D；电阻RS51A、电阻RS51B、电阻RS51C和电阻RS51D依次电连接，整流二极管DS51的正极与电阻RS51C和电阻RS51D的一端电连接，电阻RS51D的另一端、电阻RS52A的另一端、电容CS51的另一端和三极管QS51的集电极均接地。本技术的工作过程如下：如图1、图2和图3所示的实施例，图2和图3中的电路通过FB端口与图1中的电路电连接。当接入电源后，交流电压AC经保险电阻F11、压敏电阻VD21、差模电感L11和电容C11再经全桥整流DS11、DS12、DS13和DS14形成正向半周脉动波，再经差模电感L21、供电电阻RS61A、RS61B和RS61C给VCC供电。当VCC电压达到控制芯片启动电压时，控制芯片通过RS31驱动三极管Q31导通截止交替工作，为初级电感L41A储能，并通过次级电感L41C将电能释放输出。高频交流电压经二极管D43整流后给电解电容C43充电，由于电解电容容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多功能拓展保护电路，其特征在于，包括低压保护电路（1）、低压检测电路（2）和分压电路（3）；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52；电阻RS54的一端分别与稳压二极管ZS51的负极、电容CS52、电容CS53、电阻RS56和电阻RS55A的一端电连接，电容CS52的另一端和稳压二极管ZS51的正极均接地，电阻RS55A的另一端与三极管QS52的发射极电连接，三极管QS52的集电极与电阻RS57的一端电连接，三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端均与低压检测电路电连接。

【技术特征摘要】
1.一种多功能拓展保护电路，其特征在于，包括低压保护电路（1）、低压检测电路（2）和分压电路（3）；所述低压保护电路、低压检测电路和分压电路依次电连接；所述低压保护电路包括电阻RS54、稳压二极管ZS51、电容CS52、电容CS53、电阻RS56、电阻RS55A、电阻RS57和三极管QS52；电阻RS54的一端分别与稳压二极管ZS51的负极、电容CS52、电容CS53、电阻RS56和电阻RS55A的一端电连接，电容CS52的另一端和稳压二极管ZS51的正极均接地，电阻RS55A的另一端与三极管QS52的发射极电连接，三极管QS52的集电极与电阻RS57的一端电连接，三极管QS52的基极、电容CS53和电阻RS56的另一端均与低压检测电路电连接。2.根据权利要求1所述的多功能拓展保护电路，其特征在于，所述低压检测电路包括整流二极管DS51、电容CS51、电阻RS52A、电阻RS52B、三极管QS51和电阻RS53；整流二极管DS51的正极与分压电路电连接，整流二极管DS51的负极分别与电容CS51、电阻RS52A和电阻RS52B的一端电连接，电阻RS52B的另一端与三极管QS51的基极电连接，三极管QS51的发射极与电阻RS53的一端电连接，电阻RS53的另...

【专利技术属性】
技术研发人员：林延军，
申请(专利权)人：浙江凯耀照明股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33