This application describes a MEMS transducer, including a substrate, a primary membrane, and a primary membrane that is supported by a relation fixed to the substrate. A secondary membrane is set in a plane covering the primary membrane. The secondary membrane is mechanically connected to the primary membrane through a basic rigid connection structure. A rigid support plate can be placed between the primary membrane and the secondary membrane.
【技术实现步骤摘要】
MEMS设备和方法本公开内容涉及微机电系统(MEMS)设备和方法,具体地,涉及与换能器有关的MEMS设备和方法,所述换能器例如是电容式麦克风。多种MEMS设备正变得越来越受欢迎。MEMS换能器,尤其是MEMS电容式麦克风,越来越多地用在便携式电子设备(诸如,移动电话和便携式计算设备)中。使用MEMS制造方法形成的麦克风设备通常包括一个或多个膜,其中用于读出/驱动的电极被沉积在所述膜和/或基底上。在MEMS压力传感器和麦克风的情况下,通常通过测量一对电极之间的电容来实现读出,该电容将随着所述电极之间的距离响应于入射在膜表面上的声波的改变而变化。图1a和图1b分别示出已知的电容式MEMS麦克风设备100的示意图和立体视图。电容式麦克风设备100包括一个膜层101,该膜层101形成一个柔性膜,该柔性膜响应于由声波生成的压力差而自由移动。第一电极102机械地联接至所述柔性膜,且它们一起形成电容式麦克风设备的第一电容板。第二电极103机械地联接至基本刚性的结构层或背板(back-plate)104,它们一起形成电容式麦克风设备的第二电容板。在图1a示出的实施例中,第二电极103被嵌入在背板结构104中。该电容式麦克风被形成在基底105上,该基底105例如是硅晶片,该硅晶片可以具有在其上形成的上部氧化物层106和下部氧化物层107。该基底中和任何覆盖层中的腔108(在下文中称为基底腔)被设置在膜下方,且可以使用“背部蚀刻(back-etch)”穿过基底105来形成。基底腔108连接至定位在膜正下方的第一腔109。这些腔108和109可以共同提供声学容积,因此允许膜响应于 ...
【技术保护点】
一种MEMS换能器,包括:一个基底;一个初级膜,所述初级膜以相对于所述基底固定的关系被支撑;至少一个次级膜,所述次级膜被设置在一个覆盖所述初级膜的平面中,其中所述次级膜被机械地联接到所述初级膜。
【技术特征摘要】
2016.10.31 GB 1618354.3;2016.09.26 US 62/3995591.一种MEMS换能器,包括:一个基底;一个初级膜,所述初级膜以相对于所述基底固定的关系被支撑;至少一个次级膜,所述次级膜被设置在一个覆盖所述初级膜的平面中,其中所述次级膜被机械地联接到所述初级膜。2.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述次级膜通过一个基本刚性的联接结构联接到所述初级膜。3.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述次级膜通过在所述次级膜和所述初级膜之间延伸的一个或多个联接结构联接到所述初级膜。4.根据权利要求1所述的MEMS换能器,还包括一个置于所述初级膜和所述次级膜之间的支撑结构。5.根据权利要求4所述的MEMS换能器,其中所述支撑结构被穿孔以包括从所述支撑结构的上部表面延伸到所述支撑结构的下部表面的多个孔。6.根据权利要求4所述的MEMS换能器,其中所述支撑结构包括形成至少一个支撑板电极的一个或多个导电元件,每个支撑板电极与所述初级膜或所述次级膜的一个膜电极形成一个电容器。7.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中第一支撑板电极与所述初级膜的至少一个电极形成一个底部电容器,并且其中第二支撑板电极与所述次级膜的至少一个电极形成一个顶部电容器。8.根据权利要求7所述的MEMS换能器,其中所述第一支撑板电极和所述第二支撑板电极是电分离的,并且其中初级膜电极被电连接至次级膜电极。9.根据权利要求8所述的MEMS换能器,其中所述第一支撑板电极的电压被保持在+Vs,所述第二支撑板电极的电压被保持在-Vs,并且其中所述初级膜电极和所述次级膜电极的电压Vm被偏置在0V。10.根据权利要求6所述的MEMS换能器,其中第一支撑板电极和第二支撑板电极被电连接至彼此,并且其中所述初级膜的膜电极和所述次级膜的膜电极是电分离的。11.根据权利要求10所述的MEMS换能器,其中所述支撑板电极的电压被偏置在0V,并且...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·S·亨金,T·H·胡克斯特拉,
申请(专利权)人:思睿逻辑国际半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:英国,GB
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