涂敷、显影方法和涂敷、显影装置制造方法及图纸

本发明专利技术在对形成在基板的正面的含有金属的抗蚀剂膜进行显影时、在基板涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜且对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，抑制金属附着到基板的周端面和背面侧周缘部。本发明专利技术的涂敷、显影方法包括：在基板(W)的正面涂敷含有金属的抗蚀剂(74)而形成抗蚀剂膜(71)，对该抗蚀剂膜(71)进行曝光的步骤；对上述基板的正面供给显影液(77)而对上述抗蚀剂膜(71)进行显影的显影步骤；和在上述显影步骤前，在没有形成上述抗蚀剂膜的基板(W)的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部形成防止与上述显影液(77)接触的保护膜(72)的步骤。

Coating, developing method and coating, developing device

【技术实现步骤摘要】
涂敷、显影方法和涂敷、显影装置
本专利技术涉及在基板涂敷含有金属的抗蚀剂形成抗蚀剂膜、对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影的涂敷、显影方法和涂敷、显影装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工艺中，进行包括通过对作为基板的半导体晶片(以下记为晶片)的表面涂敷抗蚀剂而进行的抗蚀剂膜的形成、抗蚀剂膜的曝光、以及通过曝光后的抗蚀剂膜的显影而进行的抗蚀剂图案的形成的光刻步骤。近年来进行了下述研究：例如使用极端紫外线(EUV)进行曝光时的抗蚀剂图案的分辨率变高、而且在光刻步骤后的蚀刻步骤中具有高耐蚀刻性，因此使用含有金属的无机类的抗蚀剂形成抗蚀剂膜。另外，进行了下述研究：为了在曝光时产生较多的二次电子来实现曝光的高灵敏度化，在有机类的抗蚀剂中也含有金属。但是，半导体装置的制造工艺中的向晶片的非预定的部位的金属附着对半导体装置的电特性影响较大，因此，为了不引起这样的金属附着而进行严格管理。然而，在如上所述对含有金属的抗蚀剂膜进行显影时，包含溶解的抗蚀剂的显影液从晶片的正面绕到晶片的周端面和背面的周缘部，由此存在这些部位被金属污染的问题。而且，认为如上所述晶片的被污染的部位与蚀刻装置等的晶片的处理装置、晶片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种涂敷、显影方法，其特征在于，包括：在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行曝光的步骤；对所述基板的正面供给显影液而对所述抗蚀剂膜进行显影的显影步骤；和在所述显影步骤前，在没有形成所述抗蚀剂膜的基板的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部，形成防止与所述显影液接触的第一保护膜的步骤。

【技术特征摘要】
2016.09.23 JP 2016-1857051.一种涂敷、显影方法，其特征在于，包括：在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行曝光的步骤；对所述基板的正面供给显影液而对所述抗蚀剂膜进行显影的显影步骤；和在所述显影步骤前，在没有形成所述抗蚀剂膜的基板的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部，形成防止与所述显影液接触的第一保护膜的步骤。2.如权利要求1所述的涂敷、显影方法，其特征在于：包括在将所述抗蚀剂涂敷于所述基板之前，在该基板的周端面和背面侧周缘部形成用于防止被供给抗蚀剂的第二保护膜的步骤。3.如权利要求2所述的涂敷、显影方法，其特征在于：包括在对所述抗蚀剂膜进行曝光前，除去所述第二保护膜的步骤。4.如权利要求3所述的涂敷、显影方法，其特征在于：除去所述第二保护膜的步骤包括限定性地除去形成在所述基板的背面侧周缘部的该第二保护膜的步骤，在将所述显影液供给到所述基板的背面侧周缘部前，在该背面侧周缘部形成第三保护膜，所述第一保护膜包括残留在所述基板的周端面的所述第二保护膜和所述第三保护膜。5.如权利要求4所述的涂敷、显影方法，其特征在于：所述第三保护膜是由供给到旋转的所述基板的背面侧周缘部的处理液形成的液膜。6.如权利要求1～5中任一项所述的涂敷、显影方法，其特征在于：包括除去所述第一保护膜的步骤。7.如权利要求3～6中任一项所述的涂敷、显影方法，其特征在于：除去所述第一保护膜或者所述第二保护膜的步骤包括：加热保护膜的溶剂的步骤；和将加热后的所述保护膜的溶剂供给到所述基板的步骤。8.如权利要求3～7中任一项所述的涂敷、显影方法，其特征在于：除去所述第一保护膜或者所述第二保护膜的步骤包括：使通过擦拭保护膜而将其除去的除去部与旋转的所述基板的第一保护膜或者第二保护膜抵接的步骤。9.如权利要求1～8中任一项所述的涂敷、显影方法，其特征在于：所述第一保护膜在所述抗蚀剂膜曝光后形成，包括在所述曝光后且在所述第一保护膜形成前加热所述基板的步骤。10.如权利要求9...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上真一路，水之浦宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP