三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法技术方案

本发明专利技术涉及三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法。本发明专利技术提供一种三氯硅烷的纯化技术，在由含有烃类的氯硅烷馏分纯化出高纯度三氯硅烷时，无需将大量的氯硅烷排出至体系外，并且也能够容易地进行反应控制。本发明专利技术中，为了使氯硅烷馏分中含有的烃类的分离变得容易，在纯化系统中设置通过热解进行低沸点化的工序。由此，在三氯硅烷的纯化循环中进行基于烃类的热解的低沸点化和分离，无需将大量的氯硅烷类排出至体系外。其结果，三氯硅烷的制造效率提高，也不会产生多晶硅的收率降低的问题。

The purification system of three chlorosilane and the manufacturing method of polysilicon

The invention relates to a purification system of three chlorosilane and a manufacturing method of polysilicon. The invention provides a purification technology of three chlorosilane. When the chlorosilane fraction containing hydrocarbons is purified, high purity three chlorosilane can be purified without discharging a large amount of chlorosilane to the system, and it can also be easily controlled by reaction. In the invention, in order to make the separation of hydrocarbon containing chlorosilane in the distillate easily, in purification system is provided through the pyrolysis process of low boiling point. Thus, in the purification cycle of low boiling hydrocarbon pyrolysis attunement and separation based on three chlorosilanes, without a large number of chlorosilanes discharged to the outside of the system. As a result, the production efficiency of three chlorosilane is improved and the yield of polysilicon can not be reduced.

【技术实现步骤摘要】
三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法
本专利技术涉及三氯硅烷的纯化技术。
技术介绍
三氯硅烷作为半导体级的高纯度多晶硅的制造用原料得到广泛使用。高纯度三氯硅烷例如通过将使冶金级的金属硅与四氯硅烷以及氢气或氯化氢反应得到的粗制三氯硅烷经过蒸馏等工序进行纯化而得到。利用西门子法等方法使这样的高纯度三氯硅烷析出而得到多晶硅，但该析出反应中，会产生四氯硅烷作为副产物。这种作为副产物的四氯硅烷经还原而形成三氯硅烷，可以将其纯化后再次用于多晶硅的析出反应。多晶硅的制造中，要求低成本化，但另一方面，伴随着半导体器件的高集成化等，还要求进一步的高品质化。具体而言，存在要求使多晶硅中的杂质(碳、掺杂物、重金属等)的浓度降低至极限的趋势。因此，三氯硅烷的高纯度化在多晶硅的制造技术中具有极其重要的意义。三氯硅烷中的碳杂质的大部分是由上述粗制三氯硅烷制造中使用的金属硅中含有的杂质碳、反应炉等的内壁材料中含有的碳副生成的烃类。因此，为了制造高纯度三氯硅烷，需要将这样的烃类除去。一般而言，三氯硅烷的纯化通过蒸馏来进行，但在作为杂质含有的烃类的沸点接近三氯硅烷的沸点的情况下，难以通过蒸馏充分地除去烃类。特别是碳原本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三氯硅烷的纯化系统，其是用于由含有烃类的氯硅烷馏分得到高纯度三氯硅烷的系统，其具备：将所述氯硅烷馏分中的烃类热解而进行低沸点化的热解反应器、和将从所述热解反应器输送来的所述氯硅烷馏分中含有的三氯硅烷与其他成分分离的蒸馏器。

【技术特征摘要】
2016.09.28 JP 2016-1889441.一种三氯硅烷的纯化系统，其是用于由含有烃类的氯硅烷馏分得到高纯度三氯硅烷的系统，其具备：将所述氯硅烷馏分中的烃类热解而进行低沸点化的热解反应器、和将从所述热解反应器输送来的所述氯硅烷馏分中含有的三氯硅烷与其他成分分离的蒸馏器。2.如权利要求1所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器至少能够进行异戊烷、甲基三氯硅烷、甲基二氯硅烷的低沸点化。3.如权利要求1或2所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器能够将所述低沸点化时的压力控制为0.01～2MPa的范围。4.如权利要求1或2所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器能够将所述低沸点化时的温度控制为300～1200℃的范围。5.如权利要求1或2所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器的内壁材质中的铁...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸亮太，石田昌彦，祢津茂义，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP