一种电流产生电路及其实现方法技术

本发明专利技术公开了一种电流产生电路及其实现方法，所述电路包括：正温度系数PTAT电流产生电路，用于产生一正温度系数的电流I0；偏置电路，用于将镜像恒流源的各PMOS管的栅极电压稳定在设计值；第一镜像恒流源，用于为所述正温度系数PTAT电流产生电路提供所述电流I0并将该电流向第二镜像恒流源；第二镜像恒流源，用于将电流源形式的正温度系数的电流I0转换为电流宿形式的正温度系数的电流Iref；负温度系数CTAT电流产生与合成电路，用于产生负温度系数的电流并与正温度系数的电流Iref合并形成与温度相关性小的输出电流，通过本发明专利技术，可产生一种功耗低与温度相关性较小的电流参考源。

A current generation circuit and its realization method

The invention discloses a current generating circuit and its realization method, the circuit comprises a positive temperature coefficient PTAT current generating circuit for current I0 produces a positive temperature coefficient; bias circuit for gate voltage stability PMOS mirror constant current source tube at the design value; the first mirror constant current source, for with the current I0 and the current to the second mirror constant current source for the positive temperature coefficient PTAT current generating circuit; second mirror constant current source for the current Iref switching current I0 positive temperature coefficient of current source in the form of positive temperature coefficient of the current sink form; and synthesis circuit with negative temperature coefficient for the CTAT current, and current generated negative temperature coefficient and positive temperature coefficient of current Iref with the formation and output current temperature dependence is small, the invention can produce a kind of low power consumption and temperature A current reference source with less degree of correlation.

【技术实现步骤摘要】
一种电流产生电路及其实现方法
本专利技术涉及一种电流产生电路及其实现方法，特别是涉及一种与温度相关性较小甚至无关的电流产生电路及其实现方法。
技术介绍
在数模混合片上系统中,基准电流源为系统的各个模拟模块提供适当的偏置,成为系统不可缺少的一部分，被广泛应用于运算放大器、A/D、D/A等电路中。基于片上应用的需求,基准电流源应该不随温度、电压和各种工艺参数的变化而变化。但目前出现的几种主流的基准电流，普遍存在温度系数偏大或者电路设计复杂导致电路功耗偏高的问题，如文献1(ChenJ,ShiB.1VCMOSCurrentReferencewith50ppm/℃TemperatureCoefficient[J].Electron.Lett.,2003,39:209-210)中提出的电路测试的温度系数为50ppm/℃，文献2(FrancoFiori,PaoloStefanoCrovetti.ANewCompactTemperatureCompensatedCMOSCurrentReference[J].IEEETrans.onCircuitandSystemII:ExpressBriefs,2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流产生电路，包括：正温度系数PTAT电流产生电路，用于产生一正温度系数的电流I0；偏置电路，用于将镜像恒流源的各PMOS管的栅极电压稳定在设计值；第一镜像恒流源，用于为所述正温度系数PTAT电流产生电路提供所述电流I0并将该电流向第二镜像恒流源；第二镜像恒流源，用于将电流源形式的正温度系数的电流I0转换为电流宿形式的正温度系数的电流Iref；负温度系数CTAT电流产生与合成电路，用于产生负温度系数的电流并与正温度系数的电流Iref合并形成与温度相关性小的输出电流。

【技术特征摘要】
1.一种电流产生电路，包括：正温度系数PTAT电流产生电路，用于产生一正温度系数的电流I0；偏置电路，用于将镜像恒流源的各PMOS管的栅极电压稳定在设计值；第一镜像恒流源，用于为所述正温度系数PTAT电流产生电路提供所述电流I0并将该电流向第二镜像恒流源；第二镜像恒流源，用于将电流源形式的正温度系数的电流I0转换为电流宿形式的正温度系数的电流Iref；负温度系数CTAT电流产生与合成电路，用于产生负温度系数的电流并与正温度系数的电流Iref合并形成与温度相关性小的输出电流。2.如权利要求1所述的一种电流产生电路，其特征在于：所述正温度系数PTAT电流产生电路包括第一PNP三极管、第二PNP三极管和第一电阻，所述第一PNP三极管和第二PNP三极管的集电极和基极接地，所述第一PNP三极管的发射极连接至第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接所述偏置电路与所述第一镜像恒流源，所述第二PNP三极管的发射极连接至所述偏置电路与所述第一镜像恒流源。3.如权利要求2所述的一种电流产生电路，其特征在于：所述第一PNP三极管与所述第二PNP三极管的尺寸比为N：1。4.如权利要求2所述的一种电流产生电路，其特征在于：所述偏置电路包括第一运放，所述第一运放的反相输入端连接所述第一电阻与所述第一镜像恒流源，所述第一运放的同相输入端连接所述第二PNP管的发射极与所述第一镜像恒流源，所述第一运放的输出端连接所述第一镜像恒流源。5.如权利要求4所述的一种电流产生电路，其特征在于：所述第一镜像恒流源包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管，所述第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极相连，并连接至所述第一运放的输出端，所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极和第三PMOS管的源极接电源电压，所述第一PMOS管漏极连接所述第一电阻以及所述第一运放的反相输入端，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二PNP管的发射极、第二运放的同相输入端，所述第三PMOS管的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅年松，张钊锋，韩佩卿，
申请(专利权)人：中国科学院上海高等研究院，
类型：发明
国别省市：上海,31