【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件
本专利技术涉及介电组成以及采用所述介电组成的介电元件,并且涉及电子部件和层压电子部件;更具体地,本专利技术涉及被用于具有相对高的额定电压的应用的介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件。
技术介绍
近年来,随着电子电路达到更高的密度,对介电元件的小型化和增加的可靠性的需求越来越大。电子部件(诸如层压陶瓷电容器)的小型化连同增加的容量和更高的可靠性都在迅速发展,而电子部件(诸如层压陶瓷电容器)的应用也在扩大。随着这些应用扩大,需要各种特性。例如,在用于针对机动车辆的AC-DC逆变器和DC-DC转换器中的电路的半导体中存在从硅向碳化硅的不断增长的转变。存在对用在碳化硅半导体周围的电容器中的甚至更高的可靠性的需要。具体来说,存在对当施加高DC偏压时的高介电常数的需要。此外,还存在对当在高温下施加高电压时的长高温负荷正常运行时间的需要以便增加正常运行时间。此外,同时存在对在介电材料的生产和在基板上安装期间的高机械强度的需要以便防止破裂和分裂等。为了响应这些要求,经常研究并且通常使用以钛酸钡(BaTiO3)作为主要组分的介电组成 ...
【技术保护点】
包括具有钙钛矿晶体结构的颗粒的介电组成,该钙钛矿晶体结构包括至少Bi、Na、Sr和Ti,其特征在于:所述介电组成包括从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg和Zn之中选择的至少一种;从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg和Zn之中选择的所述至少一种的含量在0.5摩尔份和11.1摩尔份之间,把介电组成的Ti含量看作100摩尔份;0.17 ≤ α ≤ 2.83,其中α是介电组成中Bi相对于Sr的摩尔比;该颗粒中的至少一些包括低Bi相,其具有为介电组成整体的平均Bi浓度的不大于0.8倍的Bi ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.17 JP 2015-1433811.包括具有钙钛矿晶体结构的颗粒的介电组成,该钙钛矿晶体结构包括至少Bi、Na、Sr和Ti,其特征在于:所述介电组成包括从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg和Zn之中选择的至少一种;从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg和Zn之中选择的所述至少一种的含量在0.5摩尔份和11.1摩尔份之间,把介电组成的Ti含量看作100摩尔份;0.17≤α≤2.83,其中α是介电组成中Bi相对于Sr的摩尔比;...
【专利技术属性】
技术研发人员:M广濑,G田内,T井川,T寺田,
申请(专利权)人:埃普科斯股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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