The package structure of the utility model relates to a MEMS microphone, including external package substrate, surrounded by a shell, and a microphone chip, the ASIC chip is arranged on the substrate; the substrate is provided with a sound hole corresponding to the microphone chip set; the microphone chip comprises a diaphragm, back pole capacitor structure and substrate disposed on a substrate; on the surface of the diaphragm is provided with a layer of opaque or reflective layer. The packaging structure of the utility model forms a reflecting layer or an opaque layer on the surface of the diaphragm, thereby hindering the external light passing through the thin vibrating diaphragm into the outer package, and improving the light and noise problem of the product.
【技术实现步骤摘要】
一种MEMS麦克风的封装结构
本技术涉及一种封装结构,更具体地,本技术涉及一种MEMS麦克风的封装结构。
技术介绍
MEMS(微型机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风,其中的振膜、背极板是MEMS麦克风中的重要部件,振膜、背极板构成了电容器并集成在硅晶片上,通过振膜的振动,改变振膜与背极板之间的距离,从而将声音信号转换为电信号。在应用的时候,通常是将MEMS麦克风芯片、ASIC芯片设置在由基板、壳体围成的封装结构内,并在封装结构上设置供声音进入的声孔。但是由于MEMS麦克风芯片的振膜非常薄,从产品声孔进来的光可以轻易穿透膜片,经过反射后到达ASIC芯片的区域,从而引起光噪。
技术实现思路
本技术的一个目的是提供了一种MEMS麦克风的封装结构。根据本技术的一个方面,提供一种MEMS麦克风的封装结构,包括由基板、壳体围成的外部封装,以及设置在基板上的麦克风芯片、ASIC芯片;在所述基板上设置有与麦克风芯片对应设置的声孔;所述麦克风芯片包括衬底以及设置在衬底上的由振膜、背极构成的电容器结构;在所述振膜的表面还设置有不透光层。可选地,所述不透光层设置在振膜邻近声孔一侧的表面上。可选地,所述不透光层设置在振膜远离声孔一侧的表面上。可选地,所述衬底上形成的是振膜在上、背极在下的电容器结构。可选地,所述衬底上形成的是振膜在下、背极在上的电容器结构。可选地,所述不透光层通过蒸镀的方式或者沉积的方式形成在振膜的表面。可选地,所述不透光层采用金属材质。根据本技术的另一方面,还提供了一种MEMS麦克风的封装结构,包括由基板、壳体围成的外部封装,以及设置在基板上的麦克风芯片、A ...
【技术保护点】
一种MEMS麦克风的封装结构,其特征在于:包括由基板(1)、壳体(2)围成的外部封装,以及设置在基板(1)上的麦克风芯片(4)、ASIC芯片(5);在所述基板(1)上设置有与麦克风芯片(4)对应设置的声孔(6);所述麦克风芯片(4)包括衬底以及设置在衬底上的由振膜(4b)、背极(4a)构成的电容器结构;在所述振膜(4b)的表面还设置有不透光层(8)。
【技术特征摘要】
1.一种MEMS麦克风的封装结构,其特征在于:包括由基板(1)、壳体(2)围成的外部封装,以及设置在基板(1)上的麦克风芯片(4)、ASIC芯片(5);在所述基板(1)上设置有与麦克风芯片(4)对应设置的声孔(6);所述麦克风芯片(4)包括衬底以及设置在衬底上的由振膜(4b)、背极(4a)构成的电容器结构;在所述振膜(4b)的表面还设置有不透光层(8)。2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述不透光层(8)设置在振膜(4b)邻近声孔(6)一侧的表面上。3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述不透光层(8)设置在振膜(4b)远离声孔(6)一侧的表面上。4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述衬底上形成的是振膜(4b)在上、背极(4a)在下的电容器结构。5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述衬底上形成的是振膜(4b)在下、背...
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