化学气相沉积设备、方法及用途技术

本发明专利技术提供一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：反应腔体；真空提供装置，所述真空提供装置提供所述反应腔体内的真空；源供给装置，所述源供给装置将反应气体供给到所述反应腔体中；管状加热器，所述管状加热器处于所述反应腔体内，具有开放的两端和用于容纳生长基底的管腔；催化剂传送装置，所述催化剂传送装置处于所述反应腔体中，用于将催化剂传送经过管腔。本发明专利技术还提供所述设备用于制备二维六方氮化硼‑二维石墨烯叠层结构的用途。本发明专利技术还提供一种化学气相沉积方法。

Chemical vapor deposition equipment, methods and uses

The invention provides a chemical vapor deposition apparatus, the chemical vapor deposition apparatus includes a reaction chamber; the vacuum supply apparatus, the vacuum provider provides the vacuum in the reaction cavity; the source supply device, the supply of the source device the reaction gas supplied to the reaction chamber; tubular heater the tubular heater in the reaction chamber, with open ends and to accommodate growth lumen substrate; catalyst transfer device, the transmission device is the catalyst in the reactor, the catalyst for transmission through the lumen. The invention also provides a device for the preparation uses six dimensional boron nitride two-dimensional graphene laminated structure. The invention also provides a chemical vapor deposition method.

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积设备、方法及用途
本专利技术涉及化学气相沉积
，尤其涉及一种化学气相沉积设备、方法及用途。
技术介绍
CVD技术是化学气相沉积ChemicalVaporDeposition的缩写。化学气相沉积是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。石墨烯和六方氮化硼是目前热门的二维材料。但是，其中任何单独一种都无法最大化实现它们的价值。理论上和实验上都指出六方氮化硼和石墨烯的叠层结构可以打开石墨烯的能带带隙，并且能够很大程度提高石墨烯的电子迁移率。目前，针对二维材料的生长，采用的CVD设备绝大部分都是热壁管式炉。热壁管式炉可以制备出对生长真空度要求不高的薄膜，但是实验的可重复性差。而且，在制备二维六方氮化硼-二维石墨烯叠层结构的实践中发现，在低真空设备里，生长完第一层六方氮化硼后，氮化硼会被氧化。另外，对于这种强烈依赖于催化剂的生长过程，基于目前的源还不能在脱离催化剂的情况下进行生长。然而，针对于制备III-V族异质结的MOCVD设备虽然符合要求但是造价又太过于昂贵。专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：反应腔体；真空提供装置，所述真空提供装置提供所述反应腔体内的真空；源供给装置，所述源供给装置将反应气体供给到所述反应腔体中；管状加热器，所述管状加热器处于所述反应腔体内，具有开放的两端和用于容纳生长基底的管腔；催化剂传送装置，所述催化剂传送装置处于所述反应腔体中，用于将催化剂传送经过管腔。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：反应腔体；真空提供装置，所述真空提供装置提供所述反应腔体内的真空；源供给装置，所述源供给装置将反应气体供给到所述反应腔体中；管状加热器，所述管状加热器处于所述反应腔体内，具有开放的两端和用于容纳生长基底的管腔；催化剂传送装置，所述催化剂传送装置处于所述反应腔体中，用于将催化剂传送经过管腔。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述管状加热器的横截面为矩形。3.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备还包括生长基底相对位置调节装置。4.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述反应腔体具有双层夹壁水冷外壳。5.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述源供给装置包括反应源存储器。6.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述源供给装置的源是液态源和/或气态源。7.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述催化剂传送装置是卷对卷传送带，用于使催化剂经由所述管状加热器的一端进入所述管腔，并经由所述管状加热器的另一端离开所述管腔。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭国平，杨晖，李海欧，曹刚，肖明，郭光灿，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34