【技术实现步骤摘要】
应变计制造的方法和系统
技术介绍
通常要求硅应变计不超过25微米厚。要求这些应变计这样薄实现它们功能所需的弯折。这样,在应变计制造期间,处理、削薄、切割以及操纵基底已被证明困难、昂贵且费时。因此,期望能够制造应变计,而无需削薄和切割基底,且同时还允许完工应变计的易于操纵。
技术实现思路
这里提出应变计制造的方法。该方法包括:提供第一基底,该第一基底具有空腔侧;提供第二基底,该第二基底具有半导体侧;相对于第一基底定位第二基底,以使得半导体侧和空腔侧是可接触的;处理第二基底以使得第一和第二基底基本上经由半导体侧和空腔侧结合;以及蚀刻第二基底,以限定悬置在第一基底的空腔侧之上的应变计。该方法可进一步包括从第一基底移除应变计。该应变计可通过实施具有拾取末端的真空装置来移除。处理限制可包括利用粘结材料来涂覆第二基底的一部分且随后将第二基底粘结于第一基底,以使得第一和第二基底基本上结合。可将释放图案蚀刻到第二基底上以限定应变计。释放图案可通过DRIE工艺蚀刻,并且该释放图案可成形为具有三个完整侧面和第四穿孔侧面的矩形。可蚀刻第二基底,以限定多个应变计,这些应变计配置成减小第二基底实体。 ...
【技术保护点】
一种应变计制造的方法,所述方法包括:(a)提供第一基底,所述第一基底具有空腔侧;(b)提供第二基底,所述第二基底具有半导体侧;(c)相对于所述第一基底定位所述第二基底,以使得所述半导体侧和所述空腔侧是可接触的;(d)处理所述第二基底以使得所述第一和第二基底基本上经由所述半导体侧和所述空腔侧结合;以及(e)蚀刻所述第二基底,以限定悬置在所述第一基底的所述空腔侧之上的应变计。
【技术特征摘要】
2016.09.14 US 15/2648461.一种应变计制造的方法,所述方法包括:(a)提供第一基底,所述第一基底具有空腔侧;(b)提供第二基底,所述第二基底具有半导体侧;(c)相对于所述第一基底定位所述第二基底,以使得所述半导体侧和所述空腔侧是可接触的;(d)处理所述第二基底以使得所述第一和第二基底基本上经由所述半导体侧和所述空腔侧结合;以及(e)蚀刻所述第二基底,以限定悬置在所述第一基底的所述空腔侧之上的应变计。2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:(f)从所述第一基底移除所述应变计。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述应变计通过实施包括拾取末端的真空装置来移除。4.根据权利要求1所述的方法,其中,(d)的处理限制包括:(f)利用粘结材料来涂覆所述第二基底的一部分;以及(g)将所述第二基底粘结于所述第一基底,以使得所述第一和第二基底基本上结合。5.根据权利要求1所述的方法,其中,将释放图案蚀刻到所述第二基底上以限定所述应变计。...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·A·伯格伦,
申请(专利权)人:通用汽车环球科技运作有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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