一种高功率半导体激光器芯片焊装方法技术

一种高功率半导体激光器芯片焊装方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效避免激光器芯片焊装空洞的产生，使高功率半导体激光器的工作性能受到限制。本发明专利技术基于焊料毛细作用的半导体激光器芯片焊装方法，填充缝隙的焊料纯度高，焊料与焊接面的浸润性好，避免了由于焊料氧化、污染造成的焊料层空洞的产生，从而可明显改善激光器芯片的散热特性，提高激光器的工作性能。

A high power semiconductor laser chip welding method

A high power semiconductor laser chip welding method belongs to the field of laser technology. The known technology in this field is difficult to effectively avoid the production of laser chip welding holes, so that the performance of high power semiconductor lasers is limited. The invention of semiconductor laser chip solder welding method based on capillary action, filling gaps with high purity solder, solder and welding surface with good infiltration, avoid the empty solder solder oxidation, the pollution caused by the production, which can improve the heat dissipation characteristics of the laser chip, improve the performance of laser.

【技术实现步骤摘要】
一种高功率半导体激光器芯片焊装方法
本专利技术涉及一种高功率半导体激光器芯片焊装方法，属于激光

技术介绍
高功率半导体激光器的电光效率虽然较高，仍有40-50％的电功率转化为热量，热功率密度高达约每平方厘米5000瓦的水平。通常高功率半导体激光器芯片通过金属焊料倒装在高导热的次热沉表面，热量通过热传导方式经过焊料层、次热沉散发出去。因此，激光器芯片与次热沉之间的焊料焊装质量成为影响高功率半导体激光器芯片可靠工作的重要因素。通常的半导体激光器芯片焊装是在制备有金属焊料层的次热沉表面放置激光器芯片，在惰性气氛或真空环境下加热熔化焊料层，使激光器芯片与热沉焊接在一起。然而，由于焊料层表面难以避免的污染和氧化现象，使得焊料熔化时很难与激光器芯片的焊接面完全浸润，造成焊接面上存在局部的空洞效应，使高功率半导体激光器的散热能力受到严重影响，从而造成激光器输出功率降低、可靠性下降。
技术实现思路
本专利技术是这样实现的，见附图所示，将焊接面镀金的半导体激光器芯片1放在镀金的次热沉3的表面上。在半导体激光器芯片1的上面施加一定压力使其位置固定，同时也使得半导体激光器芯片1与次热沉3之间的缝隙较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率半导体激光器芯片焊装方法，其特征在于，惰性气氛或真空环境下加热时，金属焊料熔化后通过在镀金的芯片焊装面和次热沉焊装面之间的毛细作用扩展进缝隙，并填充整个缝隙，从而避免焊装空洞的产生，改善了高功率半导体激光器芯片的工作特性。

【技术特征摘要】
1.一种高功率半导体激光器芯片焊装方法，其特征在于，惰性气氛或真空环境下加热时，金属焊料熔化后通过在镀金的芯片焊装面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：薄报学，高欣，乔忠良，张晶，李辉，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22