基片集成波导可调滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种基片集成波导可调滤波器，包括谐振腔和第一可调器件；谐振腔包括第一金属层，介质层与第二金属层，介质层夹于第一金属层和第二金属层之间，谐振腔内设置金属通孔，金属通孔贯通第一金属层、介质层和第二金属层的边缘，围成矩形腔体；第一金属层沿着矩形腔体内侧边缘开有缝隙；第一可调器件分布在矩形腔体内的不同位置，用于控制谐振腔的谐振频率。上述基片集成波导可调滤波器在第一金属层开有缝隙，使得谐振腔金属层上下耦合，极大地减小谐振腔的谐振频率，当设计中心频率相同的基片集成波导可调滤波器，本发明专利技术的基片集成波导可调滤波器横向面积更小，提高可集成度。

Substrate integrated waveguide tunable filter

The invention relates to a substrate integrated waveguide tunable filter, including a resonant cavity and a first adjustable device; the resonant cavity comprises a first metal layer, the dielectric layer and the second metal layer, the dielectric layer is sandwiched between the first and second metal layers, the resonant cavity is provided through hole metal, metal hole through the first metal layer, the dielectric layer and the second metal layer edge, enclosed rectangular cavity; the first metal layer along the inner edge of the rectangular cavity with aperture; different positions of the first device with adjustable distribution in a rectangular cavity, is used to control the resonance frequency of the resonant cavity. The substrate integrated waveguide tunable filter in the first metal layer has a gap, the resonant cavity of the metal layer under coupling, greatly reduce the resonant frequency of the cavity, when the substrate integrated waveguide the same design center frequency tunable filter of the invention, the substrate integrated waveguide tunable filter can improve the lateral area is smaller integration.

【技术实现步骤摘要】
基片集成波导可调滤波器
本专利技术涉及无线通信领域，特别是涉及一种基片集成波导可调滤波器。
技术介绍
随着现代无线通信系统的快速发展和军事信息技术的日益进步，频谱资源变得愈发稀缺，电子对抗变得越来越激烈。为了提高频谱资源的利用率和军事信息的安全性，多通带、扩跳频和动态频率分配等频谱技术被大量应用，这些大大促进了可调微波器件的发展。可调器件不仅能减少系统中不同频带所需器件的数目，实现系统的小型化，也能满足现代通信多频段、多性能、抗干扰的需求。因此，可调微波滤波器在移动通信、雷达、电子战系统等高
有着广泛的应用空间。当前，基片集成波导(Substrate-Integrated-Waveguide，SIW)可调滤波器多为全模基片集成波导，其横向面积仍然较大，集成度低。
技术实现思路
基于此，有必要针对全模基片集成波导面积大的问题，提供一种基片集成波导可调滤波器。一种基片集成波导可调滤波器，包括谐振腔和第一可调器件；谐振腔包括第一金属层、介质层与第二金属层，介质层夹于第一金属层和第二金属层之间，谐振腔内设置金属通孔，金属通孔贯通第一金属层、介质层和第二金属层的边缘，围成矩形腔体；第一金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基片集成波导可调滤波器，其特征在于，包括谐振腔和第一可调器件；所述谐振腔包括第一金属层、介质层与第二金属层，所述介质层夹于所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述谐振腔内设置金属通孔，所述金属通孔贯通所述第一金属层、介质层和第二金属层的边缘，围成矩形腔体；所述第一金属层沿着矩形腔体内侧边缘开有缝隙；所述第一可调器件分布在所述矩形腔体内的不同位置，用于控制所述谐振腔的谐振频率。

【技术特征摘要】
1.一种基片集成波导可调滤波器，其特征在于，包括谐振腔和第一可调器件；所述谐振腔包括第一金属层、介质层与第二金属层，所述介质层夹于所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述谐振腔内设置金属通孔，所述金属通孔贯通所述第一金属层、介质层和第二金属层的边缘，围成矩形腔体；所述第一金属层沿着矩形腔体内侧边缘开有缝隙；所述第一可调器件分布在所述矩形腔体内的不同位置，用于控制所述谐振腔的谐振频率。2.根据权利要求1所述的基片集成波导可调滤波器，其特征在于，所述缝隙形状包括C型、L型、I型中任一种。3.根据权利要求2所述的基片集成波导可调滤波器，其特征在于，所述缝隙宽度为0.2mm至1mm。4.根据权利要求1所述的基片集成波导可调滤波器，其特征在于，所述谐振腔的数量为两个以上；所述谐振腔通过错位级联的排布方式，形成共面耦合；任意两个级联的谐振腔的重叠边形成感性窗，所述感性窗用于控制谐振腔腔间耦合量。5.根据权利要求4所述的基片集成波导可调滤波器，其特征在于，还包括第二可调器件，所述第二可调器件设置在感性窗位置，所述第二可调器件用于调整感性窗的尺寸，控制谐振腔腔间的耦合量。6.根据权利要求1至5任一所述的基片集成波导可调滤波器，其特征在于，还包括介质衬底、金属柱以及金属过孔；所述介质衬底与所述谐振腔的第一金属层连接；所述金属过孔设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏道一，朱永忠，
申请(专利权)人：广东曼克维通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44