半导体器件封装制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件封装，其包括一导电基底和从该导电基底的一第一表面限定的一空腔。该空腔具有一底表面和一深度。一半导体裸片，其设置在该空腔的该底表面上。该半导体裸片具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该半导体裸片的该第二表面接合到该空腔的该底表面。该半导体裸片的该第一表面和该导电基底的该第一表面之间的一距离为该空腔的该深度的约20％。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件封装
本专利技术请求于2016年8月29日申请之美国专利申请案15/250,713的权益(benefit)和优先权(priority)(Chiu等)标题为“半导体器件封装”，其内容通过引用整体并入本文中。本公开涉及一种半导体器件封装及其制造方法。更特定来说，本专利技术涉及包括改进的导电基底的半导体器件封装结构及其制造方法。
技术介绍
半导体器件封装结构包括接合到引线框架(leadframe)的半导体裸片。可以使用绝缘材料(例如预浸复合纤维(p.p.))来覆盖和保护半导体裸片和引线框架。然而，在将绝缘材料层叠到半导体裸片和引线框架的过程中，半导体裸片可能会破裂。因此，用于形成半导体器件封装的改进技术将是有益的。
技术实现思路
在一或多个实施例中，一种半导体器件封装包括一导电基底和从该导电基底的一第一表面限定的一空腔。该空腔具有一底表面和一深度。一半导体裸片，其设置在该空腔的该底表面上。该半导体裸片具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该半导体裸片的该第二表面接合到该空腔的该底表面。该半导体裸片的该第一表面和该导电基底的该第一表面之间的一距离为该空腔的该深度的约20％。在一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件封装，其包括：一导电基底，从该导电基底的一第一表面限定的一空腔，该空腔具有一底表面和一深度；和设置在该空腔的该底表面上的一半导体裸片(die)，该半导体裸片具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面，该半导体裸片的该第二表面接合到该空腔的该底表面；其中该半导体裸片的该第一表面和该导电基底的该第一表面之间的一距离为该空腔的该深度的约20％。

【技术特征摘要】
2016.08.29 US 15/250,7131.一种半导体器件封装，其包括：一导电基底，从该导电基底的一第一表面限定的一空腔，该空腔具有一底表面和一深度；和设置在该空腔的该底表面上的一半导体裸片(die)，该半导体裸片具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面，该半导体裸片的该第二表面接合到该空腔的该底表面；其中该半导体裸片的该第一表面和该导电基底的该第一表面之间的一距离为该空腔的该深度的约20％。2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其进一步包括：一保护层，其设置在该导电基底和该半导体裸片上；和填充有一导电材料并延伸穿过该保护层的一通孔。3.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中该导电基底的至少一个角(corner)被平滑化(smoothed)。4.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中限定该空腔的一侧壁的该导电基底的一部分进一步限定一开口。5.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中该导电基底包括一或多个突起(protrusions)。6.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中该导电基底包括一阶梯结构(steppedstructure)。7.根据权利要求6所述的半导体器件封装，其中该阶梯结构填充有一第一绝缘材料，进一步包括设置在该第一绝缘材料上方的焊料掩模层。8.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其进一步包括设置在该半导体裸片上方的一第二导电基底；和与该第二导电基底接合的一第二半导体裸片。9.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其进一步包括在该半导体裸片的该第二表面和该空腔的该底表面之间的一导电粘合层，其中该导电粘合层接触限定该空腔的一侧壁的该导电基底的一部分。10.一种半导体器件封装，其包括：一导电基底，其包括：一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面；和从该导电基底的该第一表面限定的一空腔，该空腔具有一底表面和一深度；一半导体裸片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱基综，王盟仁，庄程淅，谢慧英，李彗华，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71