偏振器及其制造方法和具有其的显示设备技术

公开了偏振器及其制造方法和具有其的显示设备。所述偏振器包括：基体基底；线栅层，具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起，在所述多个凸起之间设置有多个气隙；第一层，设置在线栅层上，第一层包括氧化硅；以及第二层，设置在第一层上，第二层包括氮化硅。还公开了包含偏振器的显示设备及其制造方法。

Polarizers and their manufacturing methods and display devices with them

【技术实现步骤摘要】
偏振器及其制造方法和具有其的显示设备
专利技术总体上涉及一种偏振器、一种制造该偏振器的方法以及一种具有该偏振器的显示器，更具体地，示例性实施例涉及一种可以包含在显示器中的偏振器、一种制造该偏振器的方法以及一种具有该偏振器的显示器。
技术介绍
近来，已经制造了具有重量轻和小尺寸的显示器。阴极射线管(CRT)显示器由于性能和有竞争力的价格而已经被使用。然而，CRT显示器受限于尺寸或便携性。因此，诸如等离子体显示器、液晶显示器和有机发光显示器的显示器因其小尺寸、重量轻和低功耗而已经受到高度重视。根据光学需求，显示器可以包括偏振器。通常，已经在显示器中使用了薄膜型偏振器。最近，已经在显示器中使用了提供改善的光效率和简化的制造工艺的线栅偏振器。用于制造具有覆盖层的线栅偏振器的工艺中的高温会损坏显示器的结构。当不使用高温时，排气(outgassing)造成活性未填充区域(“AUA”)的缺陷。另外，在线栅偏振器上存在覆盖层降低了显示器的透射率。在该
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于促进对专利技术构思的背景的理解，因此，它可包含不形成对本领域普通技术人员来讲在该国已经知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏振器，所述偏振器包括：基体基底；线栅层，具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起，在所述多个凸起之间设置有多个气隙；第一层，设置在所述线栅层上，所述第一层包括氧化硅；以及第二层，设置在所述第一层上，所述第二层包括氮化硅。

【技术特征摘要】
2016.08.29 KR 10-2016-01098411.一种偏振器，所述偏振器包括：基体基底；线栅层，具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起，在所述多个凸起之间设置有多个气隙；第一层，设置在所述线栅层上，所述第一层包括氧化硅；以及第二层，设置在所述第一层上，所述第二层包括氮化硅。2.如权利要求1所述的偏振器，其中，所述多个气隙中的至少一个包括与所述多个凸起中的至少一个邻近的氧化硅材料。3.如权利要求1所述的偏振器，其中，所述第二层包括具有至的厚度的覆盖层。4.如权利要求1所述的偏振器，其中，所述第一层包括具有或更大的厚度的覆盖层。5.如权利要求1所述的偏振器，所述偏振器还包括：第一中间层，位于所述第一层与所述第二层之间，所述第一中间层包括氮氧化硅。6.如权利要求5所述的偏振器，所述偏振器还包括：第二中间层，位于所述第二层上，所述第二中间层包括氮氧化硅。7.一种偏振器，所述偏振器包括：基体基底；线栅层，具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起，在所述多个凸起之间设置有多个气隙；以及第一层，具有厚度并设置在所述线栅上，所述第一层包括氧化硅和氮化硅，其中，氧化硅与氮化硅的比率根据在所述第一层的厚度中的深度而变化。8.如权利要求7所述的偏振器，所述第一层还包括覆盖层，所述覆盖层具有：下层，包括氧化硅的第一量和氮化硅的第一量；上层，位于所述下层的与所述线栅层背对的一侧上，所述上层包括氧化硅的第二量和氮化硅的第二量；以及中间层，位于所述上层与所述下层之间，所述中间层包括比所述氧化硅的第一量和所述氧化硅的第二量低的氧化硅的第三量以及比所述氮化硅的第一量和所述氮化硅的第二量高的氮化硅的第三量。9.一种制造偏振器的方法，所述方法包括下述步骤：在基底上形成线栅层，所述线栅层具有多个凸起，所述多个凸起形成基本上均匀的线栅；在所述线栅层上形成包括氧化硅的第一层；在所述线栅层的所述多个凸起中的至少两个凸起之间形成气隙；加热所述第一层，使得所述第一层部分地在所述至少两个凸起之间流动以围绕所述气隙；以及在所述第一层上形成包括氮化硅的第二层。10.如权利要求9所述的方法，其中，在230℃或更低的温度下形成所述第一层和所述第二层。11.如权利要求9所述的方法，其中，将所述第二层形成为具有至的厚度的覆盖层，以及将所述第一层形成为具有或更大的厚度的覆盖层。12.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰佑，南重建，李相旭，赵国来，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR