负离子恒量输出源制造技术

本发明专利技术属于负离子领域，特别涉及到一种负离子产生源。现有负离子产生源，散热效果不佳，长时间使用会导致内部温度上升，在温度上升的情况下，电容C2的容量下降，使电压下降，产生负离子的数量也下降。为了解决以上问题，本发明专利技术提供了一种负离子恒量输出源，包括电容（C2）和硅整流二极管（QX1），所述电容（C2）和硅整流二极管（QX1）组成倍压电路，通过变压器（T1）产生高压，还设有一电容（CX）通过温控开关（TK）和电容（C2）并联。本发明专利技术提供的负离子产生源，负离子输出端稳定的输出负离子，不会因为内部的温度的变化负离子输出而有起伏。恒量的输出负离子。

【技术实现步骤摘要】
负离子恒量输出源
本专利技术属于负离子领域，特别涉及到一种负离子产生源。
技术介绍
负离子的产生一般通过高压，利用高压正负电极产生不均匀电场，由电晕放电的方法电离空气生成空气负离子，电容C2和硅整流二极管QX组成倍压电路，通过变压器T1产生高压，从而产生负离子。由于负离子产生装置是灌装的模块结构，工作时产生温升且散热的效果很不好，或者可以说没有散热，随着负离子输出源的持续工作，内部温度上升。在温度上升的情况下，一般自温度到达50度开始，电容C2的容量开始下降，产生的高压也随之下降，负离子源输出的负离子的数量也开始明显下降。影响到了负离子输出源的负离子的效果。
技术实现思路
1、所要解决的技术问题：现有负离子产生源，散热效果不佳，长时间使用会导致内部温度上升，在温度上升的情况下，电容C2的容量下降，使输出负高压下降，产生负离子的数量明显减少。2、技术方案：为了解决以上问题，本专利技术提供了一种负离子恒量输出源，包括电容C2和硅整流二极管QX1，所述电容C2和高压整流管QX1组成倍压电路，通过变压器T1产生高压，还设有一电容CX通过温控开关TK和电容C2并联。所述的温控开关TK在温度大于50度时开关闭合，使电容CX和电容C2并联。所述电容CX还和限流电阻R6串联。所述电容C2和电容CX容量相同，耐压相同。所述的电容C2和电容CX的容量为101K，耐压为10KV。3、有益效果：本专利技术提供的负离子产生源，负离子输出端稳定的输出负离子，不会因为内部的温度的变化负离子输出而有起伏。附图说明图1为本专利技术的负离子输出源的电路图。具体实施方式下面通过附图来对本专利技术进行详细说明。现有的负离子源，在工作当中，由于电容C2在温度升高的情况下，容量下降，从而导致高压不稳，导致负离子的输出不稳定，负离子的输出量明显减少。为了解决这个问题，如图1所示，本专利技术在现有的基础上，设置电容CX通过温控开关TK和电容C2并联。所述的温控开关TK只有在温度达到50度以上的时候才闭合，温度达不到50度的时候，开关断开。正是由于温控开关TK的特性，在负离子源内的温度在50度以下的时候，电容C2容量正常，负离子输出端负离子正常输出，而当温度达到50度的时候，电容C2的容量下降，负离子输出量明显下降，此时温控开关TK闭合，电容CX和电容C2并联，弥补了电容C2的容量下降的问题，使并联后的电容为正常容量，使产生的高压维持原来的状况，负离子输出量保持恒定。所述电容CX还和限流电阻R6串联。所述电容C2和电容CX容量相同，耐压相同。所述的电容C2和电容CX的容量为101K，耐压为10KV。本专利技术在电容C2上并联电容CX，由温控开关TK通过温度补偿来控制，需要的时候电容CX和电容C2并联，弥补电容C2容量的下降，不需要的时候，电容C2单独工作，由于电容始终保证正常的容量，高压也稳定，所以负离子输出量保持稳定并且恒定。以上原文的实施例仅为说明本专利技术的技术思想，不能以此限定本专利技术的保护范围，凡是按照本专利技术提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本专利技术保护范围之内。本专利技术未涉及的技术均可通过现有的技术加以实现。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负离子恒量输出源，包括电容（C2）和硅整流二极管（QX1），所述电容（C2）和硅整流二极管（QX1）组成倍压电路，通过变压器（T1）产生高压，其特征在于：还设有一电容（CX）通过温控开关（TK）和电容（C2）并联。

【技术特征摘要】
1.一种负离子恒量输出源，包括电容（C2）和硅整流二极管（QX1），所述电容（C2）和硅整流二极管（QX1）组成倍压电路，通过变压器（T1）产生高压，其特征在于：还设有一电容（CX）通过温控开关（TK）和电容（C2）并联。2.如权利要求1所述的负离子恒量输出源，其特征在于；所述的温控开关（TK）在温度大于50度时闭合开关，使电容（CX）和电...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗畅，罗启康，纪建平，孙潘海，
申请(专利权)人：镇江市康特电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32