用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置制造方法及图纸

一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在

A composition, silica layer, and electronic device used to form a silica layer

A composition, silica layer and electronic device used to form a silica layer. The components used to form a silica layer are included in the composition of the silicon dioxide layer.

【技术实现步骤摘要】
用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置相关申请的交叉参考本申请主张2016年8月31日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请第10-2016-0112026号和2016年9月22日在韩国知识产权局申请的第10-2016-0121750号的优先权和权益，其全部内容以引入的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、使用所述组成物制造的二氧化硅层及电子装置。
技术介绍
平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为切换装置，且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。另外，在半导体与若干电极之间形成绝缘层以将其隔开。绝缘层一般为通过将含硅聚合物转化成氧化硅形成的二氧化硅层。在本文中，根据含硅聚合物的结构，二氧化硅层的耐蚀刻性、间隙填充特征、平面化特征以及类似者可以不同，且可能影响用于形成二氧化硅层的组成物的储存稳定性。这些特征彼此具有折衷关系，且因此需要同时满足特性的二氧化硅层。
技术实现思路
一个实施例提供具有改善耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成二氧化硅层的组成物，其特征在于，包括：含硅聚合物以及溶剂，其中所述含硅聚合物的

【技术特征摘要】
2016.08.31 KR 10-2016-0112026;2016.09.22 KR 10-2011.一种用于形成二氧化硅层的组成物，其特征在于，包括：含硅聚合物以及溶剂，其中所述含硅聚合物的1H-NMR光谱满足等式1以及2：[等式1]B/A＝0.2到0.4[等式2](A+B)/C＝4.8到12.0其中，在等式1以及等式2中，A为大于或等于4.5ppm以及小于5.5ppm的峰面积，B为大于或等于3.8ppm以及小于4.5ppm的峰面积，以及C为大于或等于0.2ppm以及小于2.5ppm的峰面积：限制条件为所述1H-NMR光谱根据条件1测量：[条件1]将含硅聚合物添加到二丁醚溶剂中以制备固体含量为15±0.1重量％的样品1，获取3立方厘米的样品1，使用旋涂器在直径8英寸的硅晶片中心分配所述样品1，以及以1,500转/分钟将其旋转5分钟以在所述硅晶片上形成膜，用切割器获取所述膜以及将所获取的所述膜与CDCl3溶剂混合以制备溶液，制备样品2，其中所获取的所述膜的含量为按所述溶液的总量计的3.0重量％，以及在300兆赫兹下测量所述样品2的1H-NMR光谱。2.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李知虎，沈秀姸，金眞敎，朱英在，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR