The invention discloses an anti ultraviolet radiation low dielectric loss Al2O3 ceramic and a manufacturing method. It is characterized by high pure Al2O3 powder (the content of Al2O3 > 99.95%) as the main material with Ta2O5 dopant (Ta2O5 doping amount per 100gAl2O3 powder material is 0.5 1.0g), ball milling and dry pressing blank prepared by using the mixture, and then put into the furnace, 1550 1650 C 2 sintering 4H you can get, dense Al2O3 ceramics. The Al2O3 ceramics has excellent microwave dielectric properties, the dielectric constant is 9.80 * Q and 9.85.
【技术实现步骤摘要】
一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法
本专利技术涉及一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法，是一种微波介质材料，可用于电子及微波通讯等领域。
技术介绍
Al2O3陶瓷是一种重要的介质材料，具有电绝缘性能好、介电常数低、介电损耗低、导热率较高、机械强度较高，以及耐高温、耐磨及耐化学腐蚀等特点，且工艺成熟，成本低廉，在电子、通信、电真空等领域有着广泛的用途。通过适当的掺杂如MgO、TiO2等，还可进一步降低其介电损耗、提高其Q×f值，使其应用于要求更加苛刻的场合。但是，现在的Al2O3陶瓷（包括MgO、TiO2等掺杂的Al2O3陶瓷）有一个缺点，就是受环境紫外线的影响较明显，在紫外线辐照后，其介电损耗往往大幅提高，Q×f值下降，造成性能不稳定。由于紫外线辐照在电子产品制备时常常用到（比如用胶粘接或密封时会用到紫外固化工艺），而产品使用时也可能长期暴露在太阳光下，同样会有紫外线的辐照。因此，提高Al2O3陶瓷的抗紫外辐照的能力，对于提高产品的性能的稳定性很有意义。但是到目前为止，还没有抗紫外辐照的Al2O3陶瓷的相关文章、专利或产品出现。专利技...
【技术保护点】
一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法，其特征在于其工艺分为3个步骤：（1）以高纯Al2O3粉（Al2O3含量>99.95%）为主料，加入加上适量的Ta2O5掺杂剂；（2）将步骤（1）中的主料与掺杂剂在球磨机中加水球磨，干燥后过筛得到混合粉料；（3）将步骤（2）得到的粉料干压成型、烧制，即可得到所需的陶瓷样品。
【技术特征摘要】
1.一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法，其特征在于其工艺分为3个步骤：（1）以高纯Al2O3粉（Al2O3含量>99.95%）为主料，加入加上适量的Ta2O5掺杂剂；（2）将步骤（1）中的主料与掺杂剂在球磨机中加水球磨，干燥后过筛得到混合粉料；（3）将步骤（2）得到的粉料干压成型、烧制，即可得到所需的陶瓷样品。2.根据权利要求1所述一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法，其特征在于：步骤（2）中，主料与烧结助剂的配比为100：（0.5-1.0）（重量百分比），所述球磨时间为12-24h，球磨介质为氧化锆磨球和去离子水...
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