一种实现内部串联的功率器件制造技术

本发明专利技术公开了一种实现内部串联的功率器件。该功率器件包括从上到下依次设置的导电盖板、芯片、凸台和导电基板；凸台包括高压区凸台和低压区凸台；高压区凸台与导电盖板之间从上至下依次设置第一钼片、芯片、第二钼片、导电片和第一绝缘垫块；低压区凸台与导电盖板之间从上至下依次设置第二绝缘垫块、导电片、第三钼片、芯片和第四钼片；导电片的一端设置在第二钼片与第一绝缘垫块之间，导电片的另一端设置在第二绝缘垫块与第三钼片之间，实现高压区凸台上的芯片与低压区凸台上的芯片连接。因此，本发明专利技术提供的功率器件，实现了功率器件模块内部的芯片级串联，降低功率器件封装结构的体积和重量，降低了成本，提高了功率器件封装结构的可靠性。

A power device to realize internal series

The invention discloses a power device in which the internal series is realized. The power device comprises from top to bottom set cover, conductive chip, the boss and the boss of the conductive substrate; including high pressure and low pressure region area lug bosses; between the boss and the high pressure area of conductive cover from top to bottom in turn set the first chip and second molybdenum sheets, molybdenum sheet, conductive sheet and the first insulation block between the boss and the low pressure area; conductive cover from top to bottom in turn set second insulation pad, a conductive sheet, third molybdenum sheets, chip and fourth molybdenum sheet; end of the conductive sheet is arranged on the second molybdenum sheet and the first insulation cushion block, the other end is provided with the conductive sheet of insulating blocks and third molybdenum sheet in second, the area of high boss chip and the low pressure area on the convex platform chip. Therefore, the power device provided by the invention realizes the chip level cascade in the power device module, reduces the volume and weight of the power device packaging structure, reduces the cost, and improves the reliability of the power device packaging structure.

【技术实现步骤摘要】
一种实现内部串联的功率器件
本专利技术涉及功率器件封装领域，特别是涉及一种实现内部串联的功率器件。
技术介绍
工程实践中，很多应用场合都需要高耐压的功率器件。现有商用的功率器件的耐压能力有限，很少有单个芯片可以达到6500V以上的。为了实现高耐压特性，从工艺上考虑，该功率器件需要增加漂移区层的厚度来提高阻断电压的能力。而较厚的漂移区生长工艺，目前还很难实现。另外，随着漂移区厚度的增加，功率器件导通时由于电导调制效应会带来更多的载流子注入，导致功率器件关断速度变慢，关断损耗增加。即使采用上述方法制备出高耐压的功率器件，也会因性能低、成本高，而失去实用价值。为了解决上述问题，需要将多个功率器件串联使用。目前，由于压接式功率器件相对于传统焊接型功率器件具有双面散热、易于串联等特点，所以现有技术中采用压接式功率器件串联来实现高耐压特性。压接式功率器件串联的方法为功率器件模块级的串联，具体为：串联压接式功率器件的主体为若干压接型功率器件，在单个压接型功率器件的一侧放置散热器以降低压接型功率器件内部的温度使其能够正常工作，将压接型功率器件底面与下一个压接型功率器件的散热器顶面电连接实现压接式功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现内部串联的功率器件，所述功率器件为压接式封装结构，其特征在于，所述功率器件包括从上到下依次设置的导电盖板、芯片、凸台和导电基板；所述凸台包括高压区凸台和低压区凸台；所述高压区凸台与所述导电盖板之间从上到下依次设置第一钼片、所述芯片、第二钼片、导电片和第一绝缘垫块；所述低压区凸台与所述导电盖板之间从上至下依次设置第二绝缘垫块、所述导电片、第三钼片、所述芯片和第四钼片；所述导电片的一端设置在所述第二钼片与所述第一绝缘垫块之间，所述导电片的另一端设置在所述第二绝缘垫块与所述第三钼片之间；所述导电片用于实现所述高压区凸台上的所述芯片与所述低压区凸台上的所述芯片的连接。

【技术特征摘要】
1.一种实现内部串联的功率器件，所述功率器件为压接式封装结构，其特征在于，所述功率器件包括从上到下依次设置的导电盖板、芯片、凸台和导电基板；所述凸台包括高压区凸台和低压区凸台；所述高压区凸台与所述导电盖板之间从上到下依次设置第一钼片、所述芯片、第二钼片、导电片和第一绝缘垫块；所述低压区凸台与所述导电盖板之间从上至下依次设置第二绝缘垫块、所述导电片、第三钼片、所述芯片和第四钼片；所述导电片的一端设置在所述第二钼片与所述第一绝缘垫块之间，所述导电片的另一端设置在所述第二绝缘垫块与所述第三钼片之间；所述导电片用于实现所述高压区凸台上的所述芯片与所述低压区凸台上的所述芯片的连接。2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述导电片的形状为折线形；所述导电片水平放置时，所述导电片的一端高于所述导电片的另一端。3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述导电片是由两个相同的长方形导电薄层结构通过放样连接而成。4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括银垫片；所述银垫片包括第一银垫片和第二银垫片；所述第一银垫片设置在所述高压区凸台与所述第一绝缘垫块之间；所述第二银垫片设置在所述低压区凸台与所述第四钼片之间。5.根据权利要求4所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括弹簧顶针；所述弹簧顶针包括第一弹簧顶针和第二弹簧顶针；所述第一弹簧顶针一端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵志斌，范思远，倪筹帷，崔翔，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：北京,11