一种运用垂直螺旋式硅通孔电感的新型超紧凑无源谐振器制造技术

本发明专利技术公开一种运用垂直螺旋式硅通孔电感的新型超紧凑无源谐振器。信号由输出端口输入，电流一部分按硅通孔方向流入同轴硅通孔金属内芯，通过金属外环流入电流返回路径；电流另一部分按硅通孔方向流入第一硅通孔，经第四硅通孔、第二硅通孔、第五硅通孔、第三硅通孔、第六硅通孔，流入同轴硅通孔的金属内芯；信号由输出端口输出。运用同轴硅通孔充当电容器，相较于传统二维的电容器拥有较短的互连长度，使得延迟时间、导体损耗减少。此外垂直螺旋式硅通孔电感器的使用更是大大减少了谐振器的物理尺寸，而且大大提高了谐振器的各项性能。

A new ultra compact passive resonator using vertical spiral silicon through hole inductance

The invention discloses a novel ultra compact passive resonator using a vertical spiral silicon through hole inductance. The output signal from the input port, according to the current part of TSV direction into silicon via coaxial metal core, the metal outer ring into the current return path; the other part according to the current direction of silicon silicon vias into the first through holes, fourth holes, second silicon through silicon vias, fifth silicon vias, No. silicon vias, sixth silicon vias, into the hole coaxial silicon metal inner core; the signal from the output port. A coaxial silicon through hole is used as a capacitor, which has a shorter interconnect length compared to the traditional two dimensional capacitor, which reduces the delay time and the loss of the conductor. In addition, the use of vertical spiral silicon through hole inductor greatly reduces the physical size of the resonator, and greatly improves the performance of the resonator.

【技术实现步骤摘要】
一种运用垂直螺旋式硅通孔电感的新型超紧凑无源谐振器
本专利技术属于无源电子器件
，涉及一种微波谐振器元件，尤其涉及一种运用硅通孔的无源谐振器结构。
技术介绍
随着社会的发展，人们对大容量高速度的通信的需求越来越大，较低频段的频谱已经非常拥挤，高频微波频段有着极为丰富的资源。随着通信技术的迅猛发展，人们对通讯设备的重量和尺寸要求也越来越高。随着集成器件的不断缩小，其中传统的谐振器在占用面积和封装成本上已无法满足需求。近年来，随着三维集成电路的飞速发展，一种新兴的集成电路制作工艺硅通孔工艺受到广泛的关注。它能够在三维集成电路的不同堆栈层之间提供垂直互联。并且硅通孔技术可提供更大的设计自由度和更好的电学性能来设计不同的元器件。将硅通孔技术引入无源谐振器的设计之中，无源谐振器的尺寸可以得到进一步的缩小。
技术实现思路
本专利技术针对目前的技术不足，提供了一种由同轴硅通孔电容器和垂直螺旋式硅通孔电感器构成的超紧凑无源谐振器的设计方案。本专利技术具体为无源RC并联谐振器，使用同轴硅通孔做电容器，垂直硅通孔做电感器来设计RC并联谐振器。本专利技术无源谐振器由多个元件单元构成，输入和输出端口位于基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种运用垂直螺旋式硅通孔电感的新型超紧凑无源谐振器，由多个元件单元构成，输入和输出端口位于基底顶部的重新布局层；其特征在于：所述元件单元包括位于基底顶部的重新布局层、位于基底中间的硅通孔阵列与同轴硅通孔、位于基底底部的重新构建层；硅通孔阵列包括位于同一直线且互不连接的六个硅通孔；第一硅通孔的重新布局层端与同轴硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第二硅通孔的重新布局层端与第六硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第三硅通孔的重新布局层端与第五硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第四硅通孔的重新布局层端与同轴硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第一硅通孔的重新构建层端与第六硅通孔的重新构建层端通过金...

【技术特征摘要】
1.一种运用垂直螺旋式硅通孔电感的新型超紧凑无源谐振器，由多个元件单元构成，输入和输出端口位于基底顶部的重新布局层；其特征在于：所述元件单元包括位于基底顶部的重新布局层、位于基底中间的硅通孔阵列与同轴硅通孔、位于基底底部的重新构建层；硅通孔阵列包括位于同一直线且互不连接的六个硅通孔；第一硅通孔的重新布局层端与同轴硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第二硅通孔的重新布局层端与第六硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第三硅通孔的重新布局层端与第五硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第四硅通孔的重新布局层端与同轴硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第一硅通孔的重新构建层端与第六硅通孔的重新构建层端通过金属线连接，第二硅通孔的重新构建层端与第五硅通孔的重新构建层端通过金属线连接，第三硅通孔的重新构建层端与第四硅通孔的重新构建层端通过金属线连接；将同轴硅通孔的重新布局层端同时作为整个谐振器的信号输入输出端口或与相邻单元的信号输入输出端口连接。2.如权利要求1所述的一种运用垂直螺旋式硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵文生，泮金炜，赵鹏，徐魁文，王高峰，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33