具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法技术

一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶为靶材，单晶硅作为衬底，纯度99.99％以上的高纯氩气(Ar)作为溅射气体，溅射过程中通入氢气(H2)作为掺杂源沉积，得到不同磁化特征的氢铪共掺杂氧化铟薄膜。

Preparation of indium oxide Co doped thin film with room temperature ferromagnetic hydrogen hafnium

A method of preparation of indium oxide Co doped thin film with room temperature ferromagnetic hydrogen hafnium Co doped indium oxide film is prepared by DC magnetron sputtering. In two hafnium oxide (HfO2) doped with 1.5 ~ In2O3 ceramic target 10wt.% as target, single crystal silicon as substrate, more than 99.99% purity of high purity argon (Ar) as the sputtering gas in the sputtering process by hydrogen (H2) as doping source deposition, hydrogen different magnetization of Co doped hafnium indium oxide film.

【技术实现步骤摘要】
具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种直流磁控溅射制备室温铁磁性薄膜的方法，特别涉及一种通过氢气掺杂量来调控薄膜磁化特征的方法。
技术介绍
稀磁半导体结合了半导体的电荷输运特性和磁性材料的信息存贮特性，因其在自旋电子器件中的应用引起了广泛研究的兴趣。基于Dietl等人[T.Dietl等，Phys.Rev.B，63，195205(2001)]理论预言了宽带隙半导体材料的室温铁磁性，过渡金属元素掺杂氧化锌，二氧化钛及氧化铟等氧化物稀磁半导体材料吸引了相当关注。目前，研究得到钼[C.Y.Park等，Appl.Phys.Lett.，95，122502(2009)]、锰[Y.K.An等，Appl.Phys.Lett.，102，212411(2013)]、镍[G.Peleckis等，Appl.Phys.Lett.，89，022501(2006)]、铁[X.H.Xu等，Appl.Phys.Lett.，94，212510(2009)]掺杂、锰铬[F.X.Jiang等，Appl.Phys.Lett.，96，052503(2010)]、铁铜[Y.K.Yoo等，Appl.Phys本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征是：所述制备方法采用二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶，Ar气为溅射气体，溅射过程中通入H2作为掺杂源，通过调控溅射功率密度、衬底温度、沉积气压、H2掺杂量，获得不同磁化特征的IHFO薄膜；具体步骤如下：步骤1、清洗单晶硅衬底把单晶硅衬底放入去离子水中，加入含烷基苯磺酸钠的洗涤灵，80℃水浴1h以上；待降温到低于40℃，超声15min以上，然后用去离子水冲洗至没有泡沫，倒入适量酒精，超声15min以上，再用去离子水冲洗5次以上，加入适量去离子水，再超声15min以上；步骤2、制备薄膜将经清洗的单晶硅衬底装入...

【技术特征摘要】
1.一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征是：所述制备方法采用二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶，Ar气为溅射气体，溅射过程中通入H2作为掺杂源，通过调控溅射功率密度、衬底温度、沉积气压、H2掺杂量，获得不同磁化特征的IHFO薄膜；具体步骤如下：步骤1、清洗单晶硅衬底把单晶硅衬底放入去离子水中，加入含烷基苯磺酸钠的洗涤灵，80℃水浴1h以上；待降温到低于40℃，超声15min以上，然后用去离子水冲洗至没有泡沫，倒入适量酒精，超声15min以上，再用去离子水冲洗5次以上，加入适量去离子水，再超声15min...

【专利技术属性】
技术研发人员：王光红，王文静，赵雷，莫丽玢，刁宏伟，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11