一种超高度集成的LED调光电路制造技术

本发明专利技术公开了一种超高度集成的LED的调光电路，包括：电压源；可控硅调光器，所述可控硅调光器的一端耦接于所述电压源；功率存储输出电路，包括LED灯条；整流桥，所述整流桥的第一端耦接于所述可控硅调光器的另一端，第二端分别耦接于调节模块的一端和所述LED灯条的负极端，第三端耦接于所述电压源，第四端耦接于所述调节模块的另一端；所述调节模块包括且仅包括：调节电容，所述调节电容的一端分别耦接于所述整流桥第一端和所述LED灯条的负极端、另一端耦接于所述整流桥第四端；功能单元，包括功能电阻，以及功能电容；高度集成主控芯片。本发明专利技术的调光电路能够降低生产成本，减少电路体积占用。

An ultra high integrated LED dimming circuit

The invention discloses a dimming circuit, an ultra highly integrated LED including: voltage source; SCR dimmer, end coupling the controllable silicon dimmer is connected to the voltage source; storage power output circuit, including LED lights; the other end of the bridge, one end of the coupling the bridge rectifier connected to the controllable silicon dimmer, negative second ends are respectively coupled to one end of the adjustment module and the LED lamps, the third end is connected to the voltage source, the fourth end is coupled to the other end of the adjusting module; the control module includes and only including: adjusting the capacitance, negative extreme, one end of the regulating capacitor are respectively coupled to the first end of the bridge rectifier and the LED lamp and the other end is coupled to the rectifier fourth terminal; function unit, including the function of resistance and capacitance; highly integrated control chip. The dimming circuit of the invention can reduce the production cost and reduce the volume occupancy of the circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种超高度集成的LED调光电路
本专利技术涉及灯具调光领域，特别是涉及一种超高度集成的LED调光电路。
技术介绍
可控硅调光技术是一种调光设备，早期主要用于调节钨丝灯、节能灯的亮度；近年来由于LED照明的兴起，也被用来调节LED照明灯具的亮度。现有的调光电路有不少，例如主流的升降压结构（BUCK-BOOST）LED可控硅调光电路，该电路主要包括可控硅调光器、用于将输入的交流电转变为波动的直流电的整流桥、用于控制整个系统的工作同时提供保护等功能的主控制芯片、主控制芯片外围电路和LED灯条电路，其中该主控制芯片外围电路至少拥有如下功能：用于检测能够反应LED灯条亮度相对应的电压波形的检测网络，并将该检测值反馈给主控制芯片，然后再根据检测值调光。但现有的控制方案中，芯片内部的实现比较复杂，再加上外围配套的元件比较多，直接导致整体成本比较高；另外，现有的调光电路外围元器件较多，制成的电路板体积占用较大，无法应用于体积要求比较高的应用中，例如一些灯丝灯的调光应用。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
有鉴于现有技术的上述缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是提供了能够降低生成成本，并减少体积占用的超高度集成的LED的调光电路。为实现上述目的，本专利技术提供了一种超高度集成的LED的调光电路，包括：电压源；可控硅调光器，所述可控硅调光器的一端耦接于所述电压源；功率存储输出电路，包括LED灯条；整流桥，所述整流桥的第一端耦接于所述可控硅调光器的另一端，第二端分别耦接于调节模块的一端和所述LED灯条的负极端，第三端耦接于所述电压源，第四端耦接于所述调节模块的另一端；所述调节模块包括且仅包括：调节电容，所述调节电容的一端分别耦接于所述整流桥第一端和所述LED灯条的负极端、另一端耦接于所述整流桥第四端；功能单元，包括功能电阻，以及一端耦接于所述功能电阻、另一端耦接于所述整流桥第四端的功能电容；高度集成主控芯片，所述高度集成主控芯片的电源端耦接在所述功能电阻和功能电容之间，接地端分别接地和耦接于所述整流桥的第四端，输出端耦接于所述LED灯条的正极端。进一步的，所述高度集成主控芯片包括：VCC引脚，耦接于电源电压产生电路；电压钳位和钳位电流产生电路，所述电压钳位和钳位电流产生电路的输入端耦接于所述VCC引脚，接地端耦接于GND引脚；电流检测电路，所述电流检测电路的第一端耦接于所述电压钳位和钳位电流产生电路的输出端；波形整形和补偿电路，所述波形整形和补偿电路的输入端耦接于所述电压钳位和钳位电流产生电路的输出端和所述电流检测电路的第一端；比较器，所述比较器的正输入端耦接于所述波形整形和补偿电路的输出端；驱动器，所述驱动器的第一输入端耦接于所述比较器的输出端，第二输入端耦接于退磁电路；主动开关，所述主动开关的栅极耦接于所述驱动器的输出端，源极耦接于D引脚，漏极耦接于所述电流检测电路的第二端。本实施方案中，该电压钳位和钳位电流产生电路的输出端的电压就是调节电容两端信号电压的线性函数，该电压钳位和钳位电流产生电路将VCC引脚多余的电压转化为电流，而该电流检测电路则将该电流转化为适合控制的电压，如此，使得该LED灯条的亮度能够被功能单元和高度集成主控芯片构成的电路进行有效控制；其中，该波形整形和补偿电路结合比较器的前馈控制，可以省去该补偿电容C3，并使得线路的相应速度更加快，解决了缓慢的响应有可能导致控制器和调光器不匹配，从而引起闪烁的问题。进一步的，所述高度集成主控芯片还包括：相位检测单元，所述相位检测单元的输入端耦接于所述电压钳位和钳位电流产生电路的输出端；兼容性增加单元，所述兼容性增加单元的输入端耦接于所述相位检测单元的输出端，输出端耦接于所述驱动器的第三输入端。本实施方案中，该相位检测单元与该功能电容和功能电阻配合应用从而组成了相位检测网络，配合该兼容性增加单元可以实现对相位的检测，在相位角比较小的时候（对应LED灯条亮度比较暗），打开兼容性增加控制电路，调节开关管的导通时间，使得该可控硅调光器有适合大小的维持电流以维持LED灯条不闪烁，并使得该调光电路能够完成电压波形的切相，进而实现快速而准确的调光。进一步的，所述电压钳位和钳位电流产生电路包括输入端耦接于所述VCC引脚、输出端耦接于所述电流检测电路的第一端的钳位二极管。本实施方案中，具体的，该电压钳位和钳位电流产生电路将VCC引脚多余的电压转化为电流，以便该电流检测电路将电流转化为适合控制的电压，而该钳位二极管可以以极度简单的电路结构，完成该功能，有助于节约空间占用和生成成本。进一步的，所述电压钳位和钳位电流产生电路包括：电压检测网络，所述电压检测网络的第一端耦接VCC引脚，接地端接地；运算放大器单元，所述运算放大器单元的输入端分别耦接于所述电压检测网络的输出端和基准电压；电流镜单元，所述电流镜单元的第一端耦接于所述运算放大器单元的输出端，第二端耦接于VCC引脚，第三端耦接于所述电流检测电路的第一端。本实施方案中，该电压检测网络、运算放大器和电流镜单元，是电压钳位和钳位电流产生电路的具体实现电路，通过上述电路可以将VCC引脚多余的电压转化为电流，以便该电流检测电路将电流转化为适合控制的电压。进一步的，所述电压检测网络包括串联的第一电感和第二电感；所述运算放大器单元包括正输入端耦接于所述第一电感和第二电感之间、负输入端耦接于基准电压的运算放大器，以及源极耦接于所述电流镜单元第一端、栅极耦接于所述运算放大器输出端、漏极接地的放大MOS管；所述电流镜单元包括栅极共用、源极均耦接于所述VCC引脚的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏极耦接于所述放大MOS管的漏极，所述第二MOS管的漏极连接于所述电流检测电路的第一端；所述第一MOS管和第二MOS管的栅极耦接于所述第一MOS管的漏极。本实施方案中，介绍了电压检测网络、运算放大器单元和电流镜单元的具体电路。进一步的，所述波形整形和补偿电路包括：第三MOS管，所述第三MOS管的源极耦接于所述电压钳位和钳位电流产生电路的输出端；第四MOS管，所述第四MOS管的漏极耦接于所述电压钳位和钳位电流产生电路的输出端，源极接地；第一整形电阻和第二整形电阻，串联设置在所述第四MOS管的源极和所述波形整形和补偿电路的输出端之间；整形比较器，所述整形比较器的正输入端通过整形电容耦接于所述第四MOS管的源极，并通过第三整形电阻耦接于所述第四MOS管的漏极；负输入端耦接于所述第一整形电阻和第二整形电阻之间。本实施方案中，该波形整形和补偿电路的输入端的电压就是该调节电容两端信号电压的线性函数，通过上述的具体电路，可以实现对该节点进行上下限压、滤波和线性比例收缩等操作，从而将输出信号输送到该比较器的输入端，并与该开关管的电流信号进行比较，绝对该开关管什么时候导通和关闭，从而实现高精度调光；并且，该波形整形和补偿电路结合比较器的前馈控制，不仅摒弃了现有技术依赖运算跨导放大器进行运算的算法，而且，省去了补偿电容，使得线路的相应速度变快，避免了响应缓慢而造成的控制器和调光器不匹本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高度集成的LED的调光电路，其特征在于，包括：电压源；可控硅调光器，所述可控硅调光器的一端耦接于所述电压源；功率存储输出电路，包括LED灯条；整流桥，所述整流桥的第一端耦接于所述可控硅调光器的另一端，第二端分别耦接于调节模块的一端和所述LED灯条的负极端，第三端耦接于所述电压源，第四端耦接于所述调节模块的另一端；所述调节模块包括且仅包括：调节电容，所述调节电容的一端分别耦接于所述整流桥第一端和所述LED灯条的负极端、另一端耦接于所述整流桥第四端；功能单元，包括功能电阻，以及一端耦接于所述功能电阻、另一端耦接于所述整流桥第四端的功能电容；高度集成主控芯片，所述高度集成主控芯片的电源端耦接在所述功能电阻和功能电容之间，接地端分别接地和耦接于所述整流桥的第四端，输出端耦接于所述LED灯条的正极端。

【技术特征摘要】
1.一种超高度集成的LED的调光电路，其特征在于，包括：电压源；可控硅调光器，所述可控硅调光器的一端耦接于所述电压源；功率存储输出电路，包括LED灯条；整流桥，所述整流桥的第一端耦接于所述可控硅调光器的另一端，第二端分别耦接于调节模块的一端和所述LED灯条的负极端，第三端耦接于所述电压源，第四端耦接于所述调节模块的另一端；所述调节模块包括且仅包括：调节电容，所述调节电容的一端分别耦接于所述整流桥第一端和所述LED灯条的负极端、另一端耦接于所述整流桥第四端；功能单元，包括功能电阻，以及一端耦接于所述功能电阻、另一端耦接于所述整流桥第四端的功能电容；高度集成主控芯片，所述高度集成主控芯片的电源端耦接在所述功能电阻和功能电容之间，接地端分别接地和耦接于所述整流桥的第四端，输出端耦接于所述LED灯条的正极端。2.如权利要求1所述的一种超高度集成的LED的调光电路，其特征在于，所述高度集成主控芯片包括：VCC引脚，耦接于电源电压产生电路；电压钳位和钳位电流产生电路，所述电压钳位和钳位电流产生电路的输入端耦接于所述VCC引脚，接地端耦接于GND引脚；电流检测电路，所述电流检测电路的第一端耦接于所述电压钳位和钳位电流产生电路的输出端；波形整形和补偿电路，所述波形整形和补偿电路的输入端耦接于所述电压钳位和钳位电流产生电路的输出端和所述电流检测电路的第一端；比较器，所述比较器的正输入端耦接于所述波形整形和补偿电路的输出端；驱动器，所述驱动器的第一输入端耦接于所述比较器的输出端，第二输入端耦接于退磁电路；主动开关，所述主动开关的栅极耦接于所述驱动器的输出端，源极耦接于D引脚，漏极耦接于所述电流检测电路的第二端。3.如权利要求2所述的一种超高度集成的LED的调光电路，其特征在于，所述高度集成主控芯片还包括：相位检测单元，所述相位检测单元的输入端耦接于所述电压钳位和钳位电流产生电路的输出端；兼容性增加单元，所述兼容性增加单元的输入端耦接于所述相位检测单元的输出端，输出端耦接于所述驱动器的第三输入端。4.如权利要求2所述的一种超高度集成的LED的调光电路，其特征在于，所述电压钳位和钳位电流产生电路包括输入端耦接于所述VCC引脚、输出端耦接于所述电流检测电路的第一端的钳位二极管。5.如权利要求2所述的一种超高度集成的LED的调光电路，其特征在于，所述电压钳位和钳位电流产生电路包括：电压检测网络，所述电压检测网络的第一端耦接VCC引脚，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖练章，
申请(专利权)人：上海典芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31