一种晶振及其制作方法和电子设备技术

本发明专利技术提供一种晶振及其制作方法和电子设备，其中晶振包括：晶振本体、载板、电连接元件和缓冲结构；所述缓冲结构包括导电外壳和缓冲件，所述导电外壳包裹所述缓冲件设置；所述晶振本体与所述载板堆叠设置，所述电连接元件的一端与所述载板电性连接，所述电连接元件的另一端与所述导电外壳连接。所述晶振的电连接元件通过缓冲结构的导电外壳与电子设备的电路板电性连接。所述晶振随电子设备整机跌落时，缓冲结构缓冲所述晶振本体所受应力，达到了避免了晶振本体损伤破坏的技术效果。

A crystal oscillator and its fabrication methods and electronic equipment

The invention provides a crystal oscillator and manufacturing method thereof and electronic equipment, which includes: crystal crystal body, carrier plate, electrical connection element and buffer structure; the buffer structure comprises a conductive shell and a buffer, the conductive shell of the buffer member is provided; the crystal body and the carrier plate stack set and one end of the electrical connecting element and the carrier plate is electrically connected, the other end is electrically connected with the conductive shell element connection. The electrical connection element of the crystal oscillator is electrically connected to the circuit board of the electronic device through the conductive shell of the buffer structure. When the crystal oscillator falls down with the whole electronic equipment, the buffer structure buffers the stress of the crystal oscillator body, and achieves the technical effect of avoiding damage and destruction of the crystal body.

【技术实现步骤摘要】
一种晶振及其制作方法和电子设备
本专利技术涉及通信
，特别涉及一种晶振及其制作方法和电子设备。
技术介绍
随着通信技术的发展，电子元器件的功能也越来越强大，晶振通常用于为系统提供基本的时钟信号，是电子设备重要组成器件。晶振多贴于硬质的PCB基板上，晶振的焊盘一般为较硬的金属材质。当晶振所在随整机跌落时，应力容易传递到晶振的内部，造成晶振内部材料损伤破坏，造成晶振功能失效。可见，现有的晶振存在随整机跌落时容易损伤破坏的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种晶振及其制作方法和电子设备，以解决现有晶振存在随整机跌落时容易损伤破坏的技术问题。为了达到上述目的，本专利技术实施例提供的具体方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶振，所述晶振包括：晶振本体、载板、电连接元件和缓冲结构；所述缓冲结构包括导电外壳和缓冲件，所述导电外壳包裹所述缓冲件设置；所述晶振本体与所述载板堆叠设置，所述电连接元件的一端与所述载板电性连接，所述电连接元件的另一端与所述导电外壳连接。第二方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括：设备本体、电路板，以及如第一方面所述的晶振，所述设备本体与所述电路板电性连接，所述缓冲结构的第一端与所述晶振的载板电性连接，所述缓冲结构的第二端与所述电路板电性连接。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种晶振制作方法，所述晶振制作方法包括：在缓冲件外表面涂覆胶粘层；将导电外壳包裹在所述缓冲件表面，制成缓冲结构；将所述缓冲结构哈街到晶振的电连接元件。本专利技术实施例提供了晶振及其制作方法和电子设备，晶振与电子设备的电路板电性连接。晶振包括晶振本体、电连接元件和缓冲结构，缓冲结构包括缓冲件和设置于缓冲件上的导电外壳。所述晶振的电连接元件通过缓冲结构的导电外壳与电子设备的电路板电性连接。所述晶振随电子设备整机跌落时，缓冲结构缓冲所述晶振本体所受应力，达到了避免了晶振本体损伤破坏的技术效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种晶振的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的晶振制作方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的晶振的缓冲结构的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参见图1，图1为本专利技术实施例提供的晶振的结构示意图。如图1所示，一种晶振100，应用于电子设备。所述晶振100包括：晶振本体110、载板120、电连接元件130和缓冲结构140，所述晶振本体110与所述载板120堆叠设置，所述缓冲结构140包括导电外壳142和缓冲件141，所述导电外壳142包裹所述缓冲件141设置。所述电连接元件130的一端与所述载板120电性连接，所述电连接元件130的另一端与所述导电外壳142连接。所述晶振本体110为所述晶振100的主要功能部件，所述晶振本体110可以包括铁壳111、石英晶体112、器件层113和陶瓷，所述石英晶体112、所述器件层113和所述陶瓷均设置于所述铁壳111内，所述晶振100的载板120也设置于所述铁壳111内。将所述铁壳111靠近所述电连接元件130的一端设为第一端，将远离所述电连接元件130的一端设为第二端。所述铁壳111内从所述第二端向所述第一端的依次堆叠材料为：所述石英晶体112层、所述器件层113、所述陶瓷层114和所述载板120。在其他实施方式中，所述晶振100的包裹外壳还可以为除了铁壳111之外的其他材质的壳体，构成所述晶振本体110的内部材质层及其堆叠顺序均可以存在其他实施方式，在此不做限定。所述载板120为所述晶振100实现时钟信号功能的电路板，所述载板120与所述晶振本体110堆叠设置，通过所述电连接元件130实现信号输入和输出。载板120连接电连接元件130的一端，电连接元件130的另一端与缓冲结构140的导电外壳142电性连接，缓冲结构140的导电外壳142连接到电子设备的电路板上。通过电连接元件130和缓冲结构140实现载板120与电子设备的电路板的信号传输。在一种实施方式中，所述电连接元件130可以包括两个焊盘，设为第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述载板120的正输出端连接，所述第二焊盘与所述载板120的负输出端连接。相应的，所述缓冲结构140的数量为两个，可以设为第一缓冲结构140和第二缓冲结构140。所述第一焊盘与所述第一缓冲结构140的导电外壳142电性连接，所述第二焊盘与所述第二缓冲结构140的导电外壳142电性连接。所述第一缓冲结构140和所述第二缓冲结构140对应连接到电子设备的电路板的两个信号传输端，以实现所述晶振100的载板120与所述电子设备的电路板的信号传输。所述缓冲结构140包括导电外壳142和缓冲件141，所述导电外壳142包裹所述缓冲件141设置。缓冲件141实现应力缓冲功能，所述导电外壳142实现电信号传输功能。所述缓冲结构140的导电外壳142与所述晶振100载板120的电连接元件130和电子设备的电路板输出端均连接，实现晶振100载板120与所述电子设备的电路板之间的电信号传输。所述导电外壳142包裹所述缓冲件141的方式可以有多种。所述导电外壳142可以直接包裹在缓冲件141的整个外表面上，或者仅包裹在缓冲件141与晶振100载板120的电子连接元件和所述电子设备电路板输出端的连接位置处，其他能实现导电功能的导电外壳142包裹缓冲件141的方式均可适用于本实施例，在此不做限定。在上述实施例的基础上，所述缓冲结构140的缓冲件141可以为硅胶缓冲件141或者泡棉缓冲件141等弹性较好、缓冲吸震效果较好的软质结构。在一种实施方式中，所述缓冲件141可以包括硅胶泡棉、聚乙烯(polyethylene，简称PE)泡棉或者聚氨酯(Polyurethane，简称PU)泡棉中的至少一种，其他能实现应力缓冲的缓冲件141均可应用于本实施例，在此不做限定。设置缓冲件141降低晶振100对机械应力，使得缓冲件141可以有效缓冲晶振100随电子设备整机跌落时传递至晶振100的应力，降低晶振100对机械应力的敏感度，极大程度地减缓所述晶振100的晶振本体110内部轻脆易碎部件所受应力，降低了晶振100失效率，延长了晶振100的使用寿命。在上述实施例的基础上，所述导电外壳142可以为金属箔外壳，实现导电功能的同时降低晶振100的体积和重量。所述导电外壳142所应用的金属箔可以包括锡箔、铜箔和镍箔中的至少一种，所述金属箔外壳的厚度范围可以是5微米至10微米，实现基础的电性连接功能，且易焊接到焊盘上，进一步提高了晶振100制造的便捷性。在上述实施例的基础上，所述导电外壳142与所述缓冲件141的连接方式可以有多种。可以通过固定件将所述导电外壳142固定在所述缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶振，其特征在于，所述晶振包括：晶振本体、载板、电连接元件和缓冲结构；所述缓冲结构包括导电外壳和缓冲件，所述导电外壳包裹所述缓冲件设置；所述晶振本体与所述载板堆叠设置，所述电连接元件的一端与所述载板电性连接，所述电连接元件的另一端与所述导电外壳连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶振，其特征在于，所述晶振包括：晶振本体、载板、电连接元件和缓冲结构；所述缓冲结构包括导电外壳和缓冲件，所述导电外壳包裹所述缓冲件设置；所述晶振本体与所述载板堆叠设置，所述电连接元件的一端与所述载板电性连接，所述电连接元件的另一端与所述导电外壳连接。2.根据权利要求1所述的晶振，其特征在于，所述电连接元件包括两个焊盘，所述缓冲结构的数量为两个，每个焊盘均与一个缓冲结构的导电外壳电性连接。3.根据权利要求1所述的晶振，其特征在于，所述缓冲件包括硅胶缓冲件或泡棉缓冲件。4.根据权利要求1所述的晶振，其特征在于，所述导电外壳为金属箔外壳。5.根据权利要求4所述的晶振，其特征在于，所述金属箔外壳的厚度范围是5微米至10微米。6.根据权利要求1所述的晶振，其特征在于，所述缓冲件外涂覆有胶粘层，所述导电外壳通过所述胶粘层贴合在所述缓冲件上。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：易小军，王乐，李占武，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44